公开(公告)号：DE102016121680A1

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：DE102016121680

申请日：2016-11-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/312 ,  H01L31/18

Abstract: Ein Halbleiter-Ingot wird geschnitten, um eine Halbleiterscheibe mit einer vorderseitigen Oberfläche und einer zur vorderseitigen Oberfläche parallelen rückseitigen Oberfläche zu erhalten. Eine Passivierungsschicht wird direkt auf zumindest einer der vorderseitigen Oberfläche und der rückseitigen Oberfläche gebildet. Eine Sperrschicht aus zumindest einem eines Siliziumcarbids, eines ternären Nitrids und eines ternären Carbids wird auf der rückseitigen Oberfläche gebildet.

公开(公告)号：DE102016116499A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：DE102016116499

申请日：2016-09-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KERN RONNY ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen umfasst ein Anbringen einer Glasstruktur an einem Weiter-Bandabstand-Halbleiterwafer, umfassend eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen. Das Verfahren umfasst ferner ein Bilden von zumindest einer Anschlussflächenstruktur, die mit zumindest einer Dotierungsregion eines Halbleitersubstrats des Weiter-Bandabstand-Halbleiterwafers elektrisch verbunden ist, durch Bilden von elektrisch leitfähigem Material innerhalb zumindest einer Öffnung, die sich durch die Glasstruktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102016110523A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE102016110523

申请日：2016-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  KERN RONNY ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/266 ,  G03F1/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren (2) zum Verarbeiten einer Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst Folgendes: Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10) der Leistungshalbleitervorrichtung (1), Koppeln (24) einer Maske (30) an den Halbleiterkörper (10) und Ausführen (28) einer Ionenimplantation am Halbleiterkörper (10), so dass Implantationsionen (40) die Maske (30) durchqueren, bevor sie in den Halbleiterkörper (10) eindringen.

公开(公告)号：DE102016100565A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE102016100565

申请日：2016-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Einführen von Fremdstoffen in einen Teil eines Halbleitersubstrats an einer ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Ionenimplantation, wobei die Fremdstoffe geeignet sind, um elektromagnetische Strahlung einer Energie kleiner als eine Bandlückenenergie des Halbleitersubstrats zu absorbieren (S100). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden einer Halbleiterschicht auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (S110). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bestrahlen des Halbleitersubstrats mit elektromagnetischer Strahlung, die geeignet ist, um durch die Fremdstoffe absorbiert zu werden, und die geeignet ist, um eine lokale Schädigung eines Kristallgitters des Halbleitersubstrats zu erzeugen (S120). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Trennen der Halbleiterschicht und des Halbleitersubstrats durch thermisches Prozessieren des Halbleitersubstrats und der Halbleiterschicht, geeignet, um eine Rissbildung längs der lokalen Schädigung des Kristallgitters durch thermomechanische Spannung zu verursachen (S130).

公开(公告)号：DE102016122217A1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102016122217

申请日：2016-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes enthalten: Bereitstellen eines Substrats, das eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite aufweist; Ausbilden einer vergrabenen Schicht in und/oder über dem Substrat durch Verarbeiten der ersten Seite des Substrats; und Dünnen des Substrats von der zweiten Seite des Substrats her, wobei die vergrabene Schicht eine feste Verbindung enthält, die eine größere Beständigkeit gegen das Dünnen aufweist als das Substrat, und wobei das Dünnen an der vergrabenen Schicht stoppt.

公开(公告)号：DE102016218771A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：DE102016218771

申请日：2016-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  RUPP ROLAND ,  KERN RONNY ,  UNTERWEGER JOSEF

IPC: H01L21/673

Abstract: Ein Wafer-Träger umfasst eine erste Folie, eine zweite Folie und eine Kammer zwischen der ersten Folie und der zweiten Folie. Die erste Folie weist eine Perforation auf und wird zum Tragen des Wafers verwendet. Die erste und die zweite Folie sind miteinander verbunden, um die Kammer zu bilden. Die Kammer ist konfiguriert, um evakuiert zu werden, um ein Vakuum in der Kammer zu bilden, wobei das Vakuum einen Unterdruck an der Perforation verursacht, wobei der Unterdruck eine Tragkraft für den Wafer, der getragen werden soll, bildet.

公开(公告)号：DE102015115914A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：DE102015115914

申请日：2015-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LACKNER GERALD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  UNTERWEGER JOSEF

IPC: H01L21/687

Abstract: Eine Waferanordnung (200) gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes einschließen: einen Wafer (201); und einen Wafer-Haltering (202), wobei der Wafer (201) und der Wafer-Haltering (202) so konfiguriert sind, dass sie in loslösbarer Weise aneinander angebracht werden können.

公开(公告)号：DE102015108183A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102015108183

申请日：2015-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Verfahren (100) zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann folgende Schritte aufweisen: Abscheiden eines ersten Metallisierungsmaterials über einem Halbleiterkörper (102), Ausführen eines Erwärmungsprozesses, um wenigstens ein Gebiet im Halbleiterkörper zu bilden, welches ein Eutektikum des ersten Metallisierungsmaterials und des Materials des Halbleiterkörpers aufweist (104), und Abscheiden eines zweiten Metallisierungsmaterials über der Halbleiterschicht, um die Halbleiterschicht über das wenigstens eine Gebiet in der Halbleiterschicht zu kontaktieren (106).

公开(公告)号：DE102014110316A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014110316

申请日：2014-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAGNER WOLFGANG ,  HUESKEN HOLGER ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ausführungsformen betreffen eine Halbleitervorrichtung, eine Halbleiterwaferstruktur und ein Verfahren zur Herstellung oder Bildung einer Halbleiterwaferstruktur. Die Halbleitervorrichtung weist ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Gebiet, das einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, und einem zweiten Gebiet, das einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, auf. Die Halbleitervorrichtung weist ferner eine Oxidstruktur mit unterbrochenen Bereichen und eine Metallschichtstruktur, die zumindest an den unterbrochenen Bereichen des Oxids in Kontakt mit dem zweiten Gebiet steht, auf.

公开(公告)号：DE102023125529A1

公开(公告)日：2025-03-20

申请号：DE102023125529

申请日：2023-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZIPPELIUS BERND ,  VELLEI ANTONIO ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H10D62/832 ,  H10D8/00 ,  H10D8/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D64/01 ,  H10D64/27

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen einkristallinen Siliziumcarbid-Bereich (100) mit einer ersten Oberfläche (101), einer entgegengesetzten zweiten Oberfläche (102) und einer dritten Oberfläche (103), die sich von der ersten Oberfläche (101) in Richtung der zweiten Oberfläche (102) erstreckt. Entlang der dritten Oberfläche (103) sättigen Wasserstoffatome und/oder Atome eines oder mehrerer Nicht-Metallelemente, bei denen es sich nicht um Silizium handelt und die eine Ordnungszahl größer sechs aufweisen, nicht-abgesättigte Bindungen des Siliziumcarbid-Bereichs (100), und/oder ist eine Passivierungsbeschichtung (210) in direktem Kontakt mit der dritten Oberfläche (103). Die Halbleitervorrichtung (500) umfasst ferner eine Glasstruktur (250) und eine Grenzflächenschichtstruktur (220) zwischen der dritten Oberfläche (103) und der Glasstruktur (250).