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公开(公告)号：DE102018123932A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：DE102018123932
申请日：2018-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LEBER ANDREAS , HERRMANN SIEGFRIED , RAFAEL CHRISTINE
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) weist eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (120, 130), eine dielektrische Spiegelschicht (115) sowie eine Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) auf. Die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) sind übereinandergestapelt. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) emittierte elektromagnetische Strahlung (15) wird über eine erste Hauptoberfläche (110) der zweiten Halbleiterschicht (150) ausgegeben. Die erste Stromverteilungsschicht (120) und die zweite Stromverteilungsschicht (130) sind auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet. Die dielektrische Spiegelschicht (115) ist zwischen der ersten Halbleiterschicht (140) und der ersten Stromverteilungsschicht (120) angeordnet. Die Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) erstrecken sich durch die dielektrische Spiegelschicht (115) und sind geeignet, die erste Halbleiterschicht (140) mit der ersten Stromverteilungsschicht (180) elektrisch zu verbinden. Die zweite Stromverteilungsschicht (130) ist mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch verbunden.
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42.发明专利
公开(公告)号：DE102018122684A1
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：DE102018122684
申请日：2018-09-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) und mehrere Halbleiterstrukturen (21, 22) mit jeweils einem aktiven Bereich (210). Die aktiven Bereiche sind jeweils zur Emission und/oder Absorption von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet. Die aktiven Bereiche unterschiedlicher Halbleiterstrukturen hängen nicht zusammen. Die Halbleiterstrukturen sind jeweils als Nanorod oder als Mikrorod ausgebildet. Die Halbleiterstrukturen sind in der Halbleiterschichtenfolge eingebettet.
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公开(公告)号：DE102018118962A1
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：DE102018118962
申请日：2018-08-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TAEGER SEBASTIAN , HERRMANN SIEGFRIED , AVRAMESCU ADRIAN , BEHRES ALEXANDER
Abstract: Ein Verfahren zum Aufbringen einer Konverterschicht (12) auf ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement (10) umfasst folgende Schritte:Aufbringen von Konverterelementen (14) auf ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement (10), undAusbilden einer Konverterschicht (12) auf dem elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelement (10) durch Abscheiden von mehreren dünnen Schichten (13) auf den Konverterelementen (14) mittels eines Atomlagenabscheidungsverfahrens.
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公开(公告)号：DE102017129994A1
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：DE102017129994
申请日：2017-12-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HAIBERGER LUCA , HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Textilkomponente (1) wenigstens einen flexiblen, webbaren Faden (10). In oder an dem Faden (10) ist eine Vielzahl von Halbleitersäulen (3) befestigt, die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet sind. Ferner befinden sich in oder an dem Faden (10) mehrere elektrische Leitungen (4), mittels denen die Halbleitersäulen (3) elektrisch kontaktiert sind. Eine mittlere Höhe (H) der Halbleitersäulen (3) in Richtung quer zu einer Längsrichtung (L) des Fadens (10) liegt bei höchstens 20 % eines mittleren Durchmessers (D) des Fadens (10).
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公开(公告)号：DE102017129326A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：DE102017129326
申请日：2017-12-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRASSBURG MARTIN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , VARGHESE TANSEN , HERRMANN SIEGFRIED , BEHRINGER MARTIN RUDOLF
Abstract: In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlichtquellen (1) und umfasst die Schritte:A) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) an einer Aufwachsfläche (20) zumindest eines Aufwachssubstrats (2), wobei die Halbleitersäulen (3) zur Strahlungserzeugung eingerichtet sind,B) Einprägen der fertig gewachsenen Halbleitersäulen (3) in eine Prägematrix (4), sodass zumindest Seitenflächen (35) der Halbleitersäulen (3) unmittelbar von einem Material der Prägematrix (4) umschlossen werden, undC) Ablösen der Halbleitersäulen (3) von dem zumindest einen Aufwachssubstrat (2) nach dem Einprägen in die Prägematrix (4), wobei die Prägematrix (4) die Halbleitersäulen (3) beim Ablösen festhält.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102017129319A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：DE102017129319
申请日：2017-12-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BEHRES ALEXANDER , HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlichtquellen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte:A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer Aufwachsfläche (20),B) Wachsen von ersten Halbleitersäulen (31) zur Erzeugung einer ersten Strahlung an der Aufwachsfläche (20),C) nachfolgend Wachsen von zweiten Halbleitersäulen (32) zur Erzeugung einer zweiten Strahlung an der Aufwachsfläche (20), undD) Erstellen von elektrischen Kontaktierungen (4), sodass die ersten und zweiten Halbleitersäulen (31, 32) in den fertigen Halbleiterlichtquellen (1) unabhängig voneinander ansteuerbar sind und zu einstellbar farbig emittierenden Bildpunkten (5) gruppiert sind.
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公开(公告)号：DE102017129226A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：DE102017129226
申请日：2017-12-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERRMANN SIEGFRIED , VÖLKL MICHAEL
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement weist einen optoelektronischen Halbleiterchip auf. Der optoelektronische Halbleiterchip weist ein Substrat auf. Über einer Oberseite des Substrats sind mindestens zwei lichtemittierende Abschnitte lateral nebeneinander angeordnet. Die lichtemittierenden Abschnitte sind separat ansteuerbar.Eine Anzeigevorrichtung weist eine Anordnung bestehend aus einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente auf.
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公开(公告)号：DE102017106761A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：DE102017106761
申请日：2017-03-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementen (100) mit den Schritten:A) Bereitstellen einer Vielzahl von transparenten Grundkörpern (1) mit jeweils einer Montagerückseite (12), einer der Montagerückseite gegenüberliegenden Strahlungsaustrittsseite (11) und Montageseitenflächen (13, 14), die jeweils quer zur Strahlungsaustrittsseite (11) angeordnet sind,B) Aufbringen eines Anschlusskontaktes (2) auf zumindest eine Montageseitenfläche (13) und die Montagerückseite (12) des jeweiligen Grundkörpers (1), so dass das Bauelement oberflächenmontierbar ist, wobei der Anschlusskontakt (2) zur elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschichtenfolge (3) eingerichtet ist, undC) Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge (3) auf zumindest eine Montageseitenfläche (13) des jeweiligen Grundkörpers (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, wobei die elektromagnetische Strahlung im Betrieb über die Strahlungsaustrittsseite (11) des Grundkörpers (1) aus dem Bauelement (100) auskoppelt.
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公开(公告)号：DE102017102247A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：DE102017102247
申请日：2017-02-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine von einem Aufwachssubstrat (66) abgelöste Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung von Licht zwischen einem ersten Schichtbereich (21) und einem zweiten Schichtbereich (22). Ferner sind eine erste (31) und eine zweite elektrische Kontaktstruktur (32) vorhanden, über die die Schichtbereiche (31, 32) elektrisch kontaktiert sind. Ein Trägersubstrat (6) befindet sich an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der ersten und der zweiten Kontaktstruktur (31, 32). Die erste Kontaktstruktur (31) umfasst Flächenkontakte (41) direkt an der Halbleiterschichtenfolge (2) und über die Halbleiterschichtenfolge (2) durchgehend hinweg. Die zweite Kontaktstruktur (32) umfasst elektrisch bevorzugt unabhängig ansteuerbare Kontaktzapfen (42), die sich durch die Flächenkontakte (41), den ersten Schichtbereich (21) und die aktive Zone (23) hindurch in den zweiten Schichtbereich (22) erstrecken.
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公开(公告)号：DE102012200416B4
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：DE102012200416
申请日：2012-01-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERRMANN SIEGFRIED , ILLEK STEFAN
Abstract: Optoelektronisches Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) mit: – einem Träger (102), – mindestens zwei an und/oder in dem Träger (102) angeordneten Halbleiterchips (104, 104a1, 104a2, 104b; 106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (108a; 108b), – einer auf oder in dem Träger (102) angeordneten Abstrahleinheit (110) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung (109) aus dem optoelektronischen Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234), wobei mindestens einer der Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) von der Abstrahleinheit (110) beabstandet ist, und – einem Wellenleiter (112), der die elektromagnetische Strahlung (108a) des mindestens einen beabstandeten Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Abstrahleinheit (110) leitet, wobei die Abstrahleinheit (110) eine Auskoppelstruktur (114, 114a, 114b, 114c) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung (108) aus dem Wellenleiter (112) aufweist, wobei die Abstrahleinheit (110) mindestens einen Halbleiterchip (104, 104a1, 104a2, 104b) aufweist.
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