公开(公告)号：DE102015111493A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE102015111493

申请日：2015-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MAUTE MARKUS ,  HÖPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  SCHWARZ THOMAS ,  SABATHIL MATTHIAS ,  WIRTH RALPH ,  LINKOV ALEXANDER ,  BAUR JOHANNES

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/36 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (L) eingerichtet ist. Das Bauelement weist außerdem eine elektrische Kontaktschicht (61) auf einer Strahlungsaustrittsfläche auf, wobei das Bauelement in unmittelbarer Umgebung der elektrischen Kontaktschicht eine Abschirmungsstruktur (4) enthält, die dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf die Kontaktschicht zu verhindern.

公开(公告)号：DE102015122627A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102015122627

申请日：2015-12-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  ARZBERGER MARKUS ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: H01L33/58 ,  G01B11/25 ,  H01L33/08

Abstract: Eine optoelektronische Anordnung zur Erzeugung eines Lichtmusters umfasst einen Leuchtdiodenchip, der ausgebildet ist, an seiner Oberseite elektromagnetische Strahlung abzustrahlen, die an der Oberseite des Leuchtdiodenchips ein zweidimensionales Muster bildet. Die optoelektronische Anordnung umfasst außerdem ein optisch abbildendes Element, das ausgebildet ist, von dem Leuchtdiodenchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung in eine Umgebung der optoelektronischen Anordnung abzubilden.

公开(公告)号：DE102015104220A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102015104220

申请日：2015-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  LINKOV ALEXANDER ,  SPERL MATTHIAS ,  KIESSLING MATTHIAS

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: – einen Träger, – auf welchem eine lichtemittierende Diode angeordnet ist, – wobei auf einer lichtemittierenden Oberfläche der Diode eine mehrere Mikrolinsen aufweisende Mikrolinsenstruktur angeordnet ist, – wobei auf der Mikrolinsenstruktur eine Konversionsschicht angeordnet ist, – so dass von der lichtemittierenden Oberfläche emittiertes Licht zumindest teilweise durch die Mikrolinsenstruktur abgebildet und dann konvertiert werden kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

公开(公告)号：DE102014100991A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102014100991

申请日：2014-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  LINKOV ALEXANDER ,  GÖÖTZ BRITTA ,  DIRSCHERL GEORG

IPC: H01L33/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/075 ,  H01L33/52 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird eine lichtemittierende Anordnung angegeben, mit – einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5), der im Betrieb Primärstrahlung (6) zumindest aus einer Hauptemissionsfläche (51) emittiert, – einem ersten Konversionselement (2), das einen Teil der Primärstrahlung (6) absorbiert und Sekundärstrahlung (7) emittiert, – einem Umlenkelement (9), das zumindest für einen Teil der Primärstrahlung (6) eine Richtungsänderung bewirkt, wobei – das erste Konversionselement (2) in einer lateralen Richtung neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5) angeordnet ist, – das Umlenkelement (9) einen Teil der Primärstrahlung (6) auf das erste Konversionselement (2) leitet, und – die lichtemittierende Anordnung im Betrieb Mischlicht (8) umfassend die Primärstrahlung (6) und die Sekundärstrahlung (7) emittiert.

公开(公告)号：DE112013004762A5

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：DE112013004762

申请日：2013-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/56 ,  G02B5/02

公开(公告)号：DE112013001416A5

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE112013001416

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  ILLEK STEFAN ,  VON MALM NORWIN ,  LINKOV ALEXANDER ,  BLEICHER THOMAS ,  MÖNCH WOLFGANG

IPC: F21K99/00 ,  G02F1/1335 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

公开(公告)号：DE112013000928A5

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：DE112013000928

申请日：2013-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KAISER STEPHAN ,  LINKOV ALEXANDER ,  SCHLERETH THOMAS

IPC: H01L33/46 ,  H01L31/0216 ,  H01L33/52

公开(公告)号：DE102012110552A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：DE102012110552

申请日：2012-11-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  LINKOV ALEXANDER ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Ein Konverterelement (100) für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (20) umfasst einen Schichtstapel (10), der aufweist: – eine erste Schicht (1) mit einem Phosphor eines ersten Typs, und – eine zweite Schicht (2) mit einem Phosphor eines zweiten Typs, wobei der erste und der zweite Typ unterschiedlich sind.

公开(公告)号：DE102010038396A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102010038396

申请日：2010-07-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINKOV ALEXANDER ,  WIRTH RALPH

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

Abstract: Es handelt sich um ein Optoelektronisches Bauelement (1) zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld. Das Optoelektronisches Bauelement (1) umfasst einen Träger (2). Auf dem Träger (2) ist mindestens ein erster Halbleiterchip (3) mit einer ersten Strahlungsaustrittsfläche (13) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem ersten Spektralbereich (14) vorgesehen. Auf dem Träger (2) ist mindestens ein zweiter Halbleiterchip (4) mit einer zweiten Strahlungsaustrittsfläche (17) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem zweiten Spektralbereich (15) vorgesehen. Auf den vom Träger (2) abgewandten Strahlungsaustrittsflächen (13, 17) der Halbleiterchips (3, 4) ist eine Streuschicht (8) vorgesehen.