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    44.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005016592A1

    公开(公告)日：2005-11-24

    申请号：DE102005016592

    申请日：2005-04-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BADER STEFAN ,  SCHMID WOLFGANG

    IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

    Abstract: A thin-film light-emitting diode chip, in which the distance between a mirror layer (4) and a light-generating active zone (3) is set in such a way that a radiation emitted by the active zone (3) interferes with a light reflected from the mirror layer (4), the internal quantum efficiency of the active zone (3) being influenced by this interference and the emission characteristic of the active zone (3) of at least one preferred direction thereby being obtained.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
    47.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102013022696B4

    公开(公告)日：2025-02-20

    申请号：DE102013022696

    申请日：2013-05-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRÖLL MARKUS ,  KLEMP CHRISTOPH ,  SCHMID WOLFGANG

    IPC: H10H20/83 ,  H10D64/01

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Halbleiterkristalls (100), der eine Oberfläche (110) aufweist;- Aufbringen einer ersten Schicht (200), die ein Dielektrikum aufweist, auf die Oberfläche (110);- Aufbringen und Strukturieren einer Fotolackschicht (300) auf der ersten Schicht (200), wobei die Fotolackschicht (300) so strukturiert wird, dass sie eine Öffnung (310) aufweist;- Teilweises Herauslösen der ersten Schicht, um einen ersten und einen zweiten lateralen Bereich (120, 121, 122) der Oberfläche (110) freizulegen, wobei in einem dritten lateralen Bereich (11) die erste Schicht (200) auf der Oberfläche angeordnet ist, wobei die Fotolackschicht (300) während des Herauslösens der ersten Schicht (200) teilweise unterätzt wird;- Aufbringen einer Kontaktfläche (410), die ein erstes Metall aufweist, im ersten lateralen Bereich (121) der Oberfläche (110);- Entfernen der Fotolackschicht (300);- Aufbringen einer zweiten Schicht (500), die ein optisch transparentes, elektrisch leitfähiges Material aufweist, auf die Kontaktfläche (410) und den zweiten lateralen Bereich (120, 122) der Oberfläche (110);- Aufbringen einer dritten Schicht (600), die ein zweites Metall aufweist, auf die zweite Schicht (500).

    Verfahren zum Proben von Halbleiterchips und Halbleiterchip
    48.
    发明专利
    Verfahren zum Proben von Halbleiterchips und Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102017119773A1

    公开(公告)日：2019-02-28

    申请号：DE102017119773

    申请日：2017-08-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHMID WOLFGANG

    IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Proben von Halbleiterchips (10), bei dem eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern (2) bereitgestellt wird, die auf einer ersten gemeinsamen Elektrodenschicht (30) angeordnet sind, wobei die Halbleiterkörper durch Trenngräben (50) voneinander lateral getrennt sind. Es wird eine zweite Elektrodenschicht (40) auf den Halbleiterkörpern gebildet, wobei die Halbleiterkörper in vertikaler Richtung zwischen der ersten gemeinsamen Elektrodenschicht und der zweiten Elektrodenschicht angeordnet sind und die zweite Elektrodenschicht eine Mehrzahl von Teilbereichen (41) aufweist, die jeweils im elektrischen Kontakt mit genau einer Gruppe der zu probenden Halbleiterkörper stehen. Schließlich werden die Halbleiterkörper gruppenweise geprobt, wobei die zu probenden Halbleiterkörper derselben Gruppe über die erste gemeinsame Elektrodenschicht und einen der Teilbereiche der zweiten Elektrodenschicht miteinander parallel verschaltet sind und gleichzeitig geprobt werden.Des Weiteren wird ein Halbleiterchip angegeben.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
    49.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102017112127A1

    公开(公告)日：2018-12-06

    申请号：DE102017112127

    申请日：2017-06-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SUNDGREN PETRUS ,  SCHMID WOLFGANG

    IPC: H01L33/38

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben (1), das eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer ersten Halbleiterschicht (101) eines ersten Leitungstyps, einer zweiten Halbleiterschicht (102) und eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (103) aufweist, wobei die aktive Schicht (103) zwischen der ersten Halbleiterschicht (101) und der zweiten Halbleiterschicht (102) angeordnet ist.Ferner weist das optoelektronische Bauelement eine Aussparung (150) in der ersten Halbleiterschicht (101) auf.Weiterhin ist eine Vorderseite (10A) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung,eine erste elektrische Anschlussschicht (121) und eine zweite elektrische Anschlussschicht (122), die an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite (10B) angeordnet sind vorgesehen, wobei die erste elektrische Anschlussschicht (121) zumindest teilweise in der Aussparung (150) angeordnet ist.Eine Kontaktzone (180) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps, grenzt an die Aussparung (150) an.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.

    Leuchtdiodenchip mit einer reflektierenden Schichtenfolge
    50.
    发明专利
    Leuchtdiodenchip mit einer reflektierenden Schichtenfolge 未知

    公开(公告)号：DE102015120323A1

    公开(公告)日：2017-05-24

    申请号：DE102015120323

    申请日：2015-11-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BAUR JOHANNES ,  SCHMID WOLFGANG

    IPC: H01L33/46 ,  H01L33/20

    Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit – einem Träger (10), – einer Halbleiterschichtenfolge (2), – einer reflektierenden Schichtenfolge, die bereichsweise zwischen dem Träger (10) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, wobei die reflektierende Schichtenfolge (8) eine der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandte dielektrische Schicht (83) und eine von der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandte metallische Spiegelschicht (81) aufweist, und – einer Verkapselungsschicht (9), die stellenweise zwischen dem Träger (10) und der reflektierenden Schichtenfolge (8) angeordnet ist, wobei sich die Verkapselungsschicht (9) stellenweise durch die reflektierende Schichtenfolge (8) hindurch in die Halbleiterschichtenfolge (2) hinein erstreckt und auf diese Weise einen Trennsteg (91) ausbildet, der einen Innenbereich (51) der reflektierenden Schichtenfolge (8) von einem Randbereich (52) der reflektierenden Schichtenfolge (8) trennt.

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