公开(公告)号：CN101401168A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008696.0

申请日：2007-02-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松村达也

IPC: G21K5/00 ,  G21K5/04

CPC classification number: H01J35/06 ,  H01J33/04 ,  H01J2235/087 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/06308 ,  H01J2237/164

Abstract: 一种电子线产生装置(1a)具有：电子枪(2)；真空容器(3)；框部件(11)；以及窗部件(13)。电子枪(2)，具有射出电子线(EB的灯(filament)(7)。真空容器(3)收容灯丝(7)。框部件(11)具有用于使电子线(EB)通过的电子通过孔(11c)，并可装卸地安装在真空容器(3)上。窗部件(13)，以对电子通过孔(11c)进行气密地密封的方式，接合(钎焊)在框部件(11)上，并使电子线(EB)透过。

公开(公告)号：CN1973346A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN03815031.X

申请日：2003-06-26

Applicant: 山米奎普公司

Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森

IPC: H01J7/24 ,  H01J31/26

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01J27/20 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/304 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx－，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。

公开(公告)号：CN1868029A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030404.X

申请日：2004-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔纳索·Y·斯莫恩斯 ,  约翰·R·谢利 ,  安德鲁·斯蒂芬·德瓦涅

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/023 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明提供一种用于离子注入器的动态电极安装件，其中具有限定孔(34)的电极体部分的电极插入构件(21b)插入到电极支撑架。在一个实施例中，插入构件的第一动态对准销(29a)接合电极支撑架(21a)第一沟槽状动态对准表面，以在两个垂直方向上相对于电极支撑架对准第一对准销。另外，插入构件的第二动态对准销(29b)接合电极支撑架(43)的第二动态对准表面，以在旋转方向上相对于电极支撑架对准插入构件。插入构件的多个凸缘接合电极支撑架，以在对准位置保持插入构件并将电极插入构件电耦合到电极支撑架。定位于电极插入构件(21b)和电极支撑架(21a)之间的弹簧(61a)在相对于电极支撑架的对准和保持位置偏置电极插入构件。在另一个实施例中，电极支撑架具有对准销，插入构件具有对准槽。

公开(公告)号：CN104603078B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201380046452.7

申请日：2013-03-12

Applicant: 利拉茨有限公司

Inventor： V·利索特申克

IPC: C03C23/00 ,  H01J37/06 ,  H01J37/147 ,  H01J37/15 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J29/70 ,  H01J3/30 ,  H01J29/04 ,  H01J29/48 ,  H01J31/00 ,  H01J37/06 ,  H01J37/147 ,  H01J37/15 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/06308

Abstract: 本发明涉及一种用于产生电子束(4)的装置(20)，其包括热阴极(1)、阴极电极(2)、具有开口(6)的阳极电极(3)，由所述装置产生的电子束(4)可以穿过该开口，其中，在装置(20)运行时，在阴极电极(2)和阳极电极(3)之间施加有用于加速从热阴极(1)射出的电子的电压，所述装置还包括偏转机构，该偏转机构可以偏转穿过阳极电极(3)的开口的电子束(4)，其中，偏转机构包括至少一个偏转电极(8、12)，在所述偏转电极上电子束(4)可以被反射和/或所述偏转电极具有相对于电子束(4)的传播方向倾斜的偏转面(9)并且所述至少一个偏转电极(8、12)处于与阴极电极(2)相同的电势上。

公开(公告)号：CN107636792A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680029882.1

申请日：2016-01-06

Applicant: 韩国标准科学研究院

Inventor： 赵福来 ,  朴寅用

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J37/065 ,  H01J37/06 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/06341

Abstract: 本发明涉及一种易于位置调节的电子枪及包括其的电子显微镜，电子枪改善了真空结构，以便在电子枪的灯丝块(filament block)或电子尖端的中心轴与阳极及聚焦透镜的中心轴机械地错位时，即使不具备用于保持真空的波纹管，也能够使得电子枪的灯丝块或电子尖端移动，为了使得电子束的中心轴与阳极板或二次阳极对齐，阳极板与维纳尔圆柱电极相面对，二次阳极与场发射电子源及一次阳极并排配置，即使不设置包围并密封电子束产生部的波纹管，也能够移动双重O环密封部或磁性流体密封部上的上面平板，从而不仅电子束排列容易，而且结构简化、组装以及分解容易，使用能够再次使用的橡胶O环，并且与不锈钢相比，在保持超高真空方面上没有差别，将相对磁导率值大的软钢用作腔室，从而即使不设置高导磁合金或坡莫合金等包围电子束产生部的追加的构成，也能够防止杂散磁场流入，从而不仅制造容易，而且因没有采用复杂的构成而具有经济性。

公开(公告)号：CN107078010A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059947.2

申请日：2015-08-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  泰勒·洛克威尔 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  维克拉姆·辛 ,  史费特那·瑞都凡诺

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/30472

Abstract: 一种处理装置可包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。

公开(公告)号：CN103621187B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280030726.9

申请日：2012-06-21

Applicant: FEI公司

Inventor： S.克罗格 ,  A.格劳佩拉 ,  N.W.帕克 ,  M.W.乌特劳特 ,  A.B.威尔斯 ,  J.B.麦金

IPC: H05H1/00

CPC classification number: H01J27/16 ,  H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31749 ,  H05H1/28 ,  H05H1/30 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4682

Abstract: 一种用于带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括提供改进的电隔离与减少后的电容RF耦合的导电屏蔽以及使等离子体绝缘并且对其进行冷却的介电流体。可以将导电屏蔽封闭在固体介电介质内。可以通过泵使介电流体循环或不可以通过泵使其循环。热管可以用于对介电流体进行冷却。

公开(公告)号：CN102804328B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080028969.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 特温克里克技术公司

Inventor： G.里丁 ,  T.H.斯米克 ,  K.珀泽 ,  J.D.吉莱斯皮 ,  H.格拉维什

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  F16J15/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202

Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14)，所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中，轮的旋转轴线固定，并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的，离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c)，以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17)，所述磁体在带状平面中弯曲所述束。

公开(公告)号：CN104900470A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510006559.X

申请日：2015-01-07

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： W·德维尔吉欧 ,  S·萨瓦斯 ,  S·费尔奇 ,  盛天予 ,  陈皞

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083

Abstract: 一种用于工件的材料改性的基于等离子体的材料改性系统可包括耦接至工艺腔的等离子体源腔。被配置成支撑工件的支撑结构可布置在工艺腔内。等离子体源腔可包第一多个磁体、第二多个磁体和第三多个磁体，第三多个磁体围绕等离子体源腔内的等离子体产生区域。等离子体源腔可被配置成在等离子体产生区域内产生具有离子的等离子体。第三多个磁体可被配置成限制等离子体产生区域内能量大于10eV的等离子体的大多数电子同时允许来自等离子体的离子穿过第三多个磁体而进入处理腔以用于工件的材料改性。

公开(公告)号：CN102934195B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201180027850.5

申请日：2011-04-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  杰·舒尔 ,  约瑟·欧尔森 ,  法兰克·辛克莱 ,  丹尼尔·迪斯塔苏

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/0815 ,  H05H1/30

Abstract: 揭示一种用于提取带离子束的电感耦合等离子源，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。