公开(公告)号：CN104685604A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380041167.6

申请日：2013-10-02

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 威廉·李 ,  威廉·雷诺兹 ,  斯坦利·斯通

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/20 ,  H01J37/18 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67766

Abstract: 本发明涉及一种离子注入系统，该系统向置于冷却夹盘上的处理腔室的真空环境中的工件提供离子。处理腔室内的预冷站具有配置成将工件冷却至第一温度的冷却的工件支撑件，处理腔室内的后热站具有配置成将工件加热至第二温度的加热的工件支撑件。第一温度低于处理温度，第二温度高于外部温度。工件传送臂进一步配置成在夹盘、装载锁定腔室、预冷站及后热站中的两个或两个以上构件之间同时传送两个或两个以上工件。

公开(公告)号：CN104380428A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380028481.0

申请日：2013-05-24

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 威廉·李 ,  史蒂夫·德拉蒙德

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/18

CPC classification number: H01J37/185 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明涉及一种离子注入系统(101)，该系统向置于低于环境温度夹盘(130)上的处理腔室(122)的处理环境(126)中的工件(118)提供离子(112)。具有中间环境(138)的中间腔室(136)与外部环境(132)流体连通并具有用于冷却和加热工件(118)的冷却站(140)及加热站(142)。在处理腔室(122)与中间腔室(136)之间提供装载锁定腔室(150)，以使处理环境(126)与中间环境(138)隔离。正压源(166)在中间腔室(136)内提供干气(168)，中间腔室(136)的露点低于中间腔室外部环境(132)的露点。正压源通过自中间腔室流向外部环境的干气流而使中间环境与外部环境隔离。

公开(公告)号：CN102106191B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN200980128986.8

申请日：2009-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  卡尔蒂克·拉马斯瓦米 ,  沙希德·劳夫 ,  塙广二 ,  詹尼弗·Y·孙 ,  安德鲁·源 ,  托尔斯特恩·B·莱尔 ,  梅华·沈

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/38 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6833

Abstract: 在静电夹盘中，RF偏压功率系分别被施加至工件和环绕工件的制程套组环。由系统控制器所控制的至少一个可变阻抗组件系调节工件和制程套组环之间的RF偏压功率分配，以允许在工件最边缘处的等离子体鞘电场的动态调整，由此例如在不同的等离子体条件下使电场均匀性最佳化。

公开(公告)号：CN102246276B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200980149410.X

申请日：2009-12-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 史帝文·R·沃特

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/2001

Abstract: 一种工件冷却系统与方法。将热自工件(离子植入过程中的半导体晶圆)传送离开是不可或缺的。典型地，热被传送至工件支座或平台。在一实施例中，所需的操作温度被决定。基于此，选择具有在所需范围中的蒸汽压(例如10torr至50torr)的气体。此范围必须足够低，以致低于固定力。此可冷凝气体用以填入工件与工件支座之间的空间。基于吸附与去吸附，发生热传送，与传统使用的气体(例如氦气、氢气、氮气、氩气和空气)相比，藉此来提供改进的传送特性。

公开(公告)号：CN103210467A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054529.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 渡边俊哉 ,  许斐麻美 ,  高须久幸 ,  上野敦史

IPC: H01J37/305 ,  G01N1/28 ,  G01N1/36 ,  H01J37/20

CPC classification number: H01J37/3053 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/2802 ,  H01J2237/31745

Abstract: 提供一种离子铣削装置以及离子铣削加工方法，通过使试料(3)相对于离子束(2)的光轴(Z轴)倾斜振动，重复进行在如下两状态间的试料(3)的加工面(3a)的倾斜以及倾斜复位，由此，离子束(2)低角度照射向加工面(3a)，抑制因空穴(61)、异种物质(62)产生的凹凸(63)，其中一状态是试料(3)的加工面(3a)朝向倾斜轴方向(Y轴向)的面状态，其二是从该面状态，加工面(3a)的试料台侧部分相比加工面(3a)的掩膜侧部分更向倾斜轴方向(Y轴向)突出的倾斜面状态。由此，在剖面试料制作时，可以抑制因空穴、异种物质产生的凹凸，可以制作适于观察/分析的试料剖面。

公开(公告)号：CN102907180A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180019903.9

申请日：2011-06-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 哈密迪·塔瓦索里 ,  逍平·周 ,  沙恩·C·尼维尔 ,  道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  费纳多·M·斯李维亚 ,  巴德·L·梅斯 ,  蒂娜·琼 ,  科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 ,  亚莎斯维尼·B·帕特 ,  达·D·源 ,  沃特·R·梅丽

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32908 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H05H1/34

Abstract: 本发明描述通过脉冲式施加加热功率和脉冲式施加冷却功率来控制等离子体处理腔室中的温度的方法和系统。在实施例中，温度控制至少部分地基于前馈控制信号，前馈控制信号源自输入到处理腔室中的等离子体功率。在另一实施例中，部分地通过耦接两个储器的被动平衡管，来维持热储器与冷储器各自的液位，两个储器耦接至温度受控部件。在另一实施例中，随着取决于加热/冷却工作循环值和比例循环的脉冲宽度，打开数字式传热流体流量控制阀，比例循环具有提供良好温度控制性能的持续时间。

公开(公告)号：CN101903960B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200880110580.2

申请日：2008-08-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 ,  史蒂夫·E·克劳斯 ,  艾立克·D·赫尔曼森 ,  拉塞尔·J·罗

IPC: H01B17/56 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/26

Abstract: 一种绝缘导体元件及其相关方法。用于电压结构的绝缘导体元件包括导体以及多个绝缘区段。导体连接一电压，多个绝缘区段包围此导体且多个绝缘区段彼此靠接或接触。

公开(公告)号：CN102804328A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080028969.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 特温克里克技术公司

Inventor： G.里丁 ,  T.H.斯米克 ,  K.珀泽 ,  J.D.吉莱斯皮 ,  H.格拉维什

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  F16J15/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202

Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14)，所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中，轮的旋转轴线固定，并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的，离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c)，以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17)，所述磁体在带状平面中弯曲所述束。

公开(公告)号：CN101916715B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201010246114.6

申请日：2005-02-25

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： C-T·高 ,  J-P·周 ,  C·赖 ,  S·阿姆托艾 ,  J·休斯顿 ,  S·郑 ,  M·张 ,  X·袁 ,  Y·张 ,  X·陆 ,  W·W·王 ,  S-E·潘

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于从衬底表面上去除天然氧化物的方法和装置。一方面，该腔包括一个腔体和一个至少部分布置在腔体内并适合在其上支撑衬底的支撑装置。该支撑装置包括至少部分在其中形成并能冷却衬底的一个或多个流体通道。该腔进一步包括布置在腔体上表面的盖装置。该盖装置包括在其间限定了等离子空腔的第一电极和第二电极，其中第二电极适合连接地加热衬底。

公开(公告)号：CN101695655B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200910161637.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 芝浦机械电子装置股份有限公司

Inventor： 平冈纯治 ,  高盐稔 ,  福嶋哲弥 ,  野口大辅 ,  川又由雄

IPC: B01J21/06 ,  B01J37/00 ,  B01J37/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/5853 ,  B01J21/063 ,  B01J35/004 ,  B01J37/347 ,  C23C14/083 ,  C23C14/541 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2065

Abstract: 本发明的光催化剂的制造方法，通过形成非晶的氧化钛，在含氧气氛中进行热处理，可以得到具有良好光催化作用的光催化剂。特别是利用反应性溅射法，在低温下以高成膜速度进行堆积，得到非晶的氧化钛。使用设有冷却手段的溅射装置，可以提高成膜工序的产量。