用于产生经质量分析的带状离子束的对称束线的方法

    公开(公告)号:CN100538987C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN03818040.5

    申请日:2003-07-29

    Abstract: 公开了离子注入系统以及用于该系统的束线,其中质量分析并准直具有相对大宽高比的带状束,以提供用于注入一个或多个工件的经质量分析的带状束。束线系统(12)包括两个相似的磁体(22、24),其中第一磁体(22)质量分析带状束以提供经质量分析的中间离子束,第二磁体(24)准直该中间束以向终端台(18)提供均匀的经质量分析的带状束。该对称系统为横跨细长的束宽度的离子提供等距离的束轨道(41、43),以便减轻系统的束输运中的非线性,从而使最终经质量分析后的束具有均匀的高度。

    像差校正阴极透镜显微镜仪器

    公开(公告)号:CN101390186A

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200780006879.9

    申请日:2007-02-14

    Inventor: R·M·特罗普

    Abstract: 提供一种像差校正显微镜仪器。所述仪器具有用于接收第一非色散的电子衍射图形的第一磁偏转器(206)。第一磁偏转器还被构造为在第一磁偏转器的出射面(A2)内投影第一能量色散的电子衍射图形。在第一磁偏转器的出射面内设置有静电透镜(224)。第二磁偏转器(222)基本上与第一磁偏转器相同,其被设置用于接收来自静电透镜的第一能量色散的电子衍射图形。第二磁偏转器还被构造为在第二磁偏转器的第一出射面(B2)内投影第二非色散的电子衍射图形。电子反射镜(226)被构造为用于校正第二非色散的电子衍射图形内的一个或多个像差。电子反射镜被设置用于将第二非色散的电子衍射图形反射到第二磁偏转器,用于在第二磁偏转器的第二出射面(B3)内投影第二能量色散的电子衍射图形。

    用于产生经质量分析的带状离子束的对称束线的方法

    公开(公告)号:CN1672235A

    公开(公告)日:2005-09-21

    申请号:CN03818040.5

    申请日:2003-07-29

    Abstract: 公开了离子注入系统以及用于该系统的束线,其中质量分析并准直具有相对大宽高比的带状束,以提供用于注入一个或多个工件的经质量分析的带状束。束线系统(12)包括两个相似的磁体(22、24),其中第一磁体(22)质量分析带状束以提供经质量分析的中间离子束,第二磁体(24)准直该中间束以向终端台(18)提供均匀的经质量分析的带状束。该对称系统为横跨细长的束宽度的离子提供等距离的束轨道(41、43),以便减轻系统的束输运中的非线性,从而使最终经质量分析后的束具有均匀的高度。

    可选择射束电流和能量分布的粒子源

    公开(公告)号:CN1658331A

    公开(公告)日:2005-08-24

    申请号:CN200510051944.2

    申请日:2005-02-16

    Applicant: FEI公司

    CPC classification number: H01J37/05 H01J37/09 H01J37/153 H01J37/26

    Abstract: 本发明揭示了一种能够进行能量选择的粒子源。能量选择是通过使带电粒子束(13)偏心通过透镜(6)。由于这种方式,在经透镜(6)所形成的像15内出现能量扩散。通过将像(15)投射到光阑(7)上,可仅允许能谱内有限部分的粒子通过。因此,通过的射束(16)具有减小的能够分布。通过增设偏转单元(10),该粒子束(16)能够向光轴偏转。还可选择向光轴偏转通过透镜(6)中央的(例如具有较大射束电流的)射束(12)。

    离子注入装置及离子束的调整方法

    公开(公告)号:CN105428193B

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201510477413.3

    申请日:2015-08-06

    Abstract: 本发明提供一种离子注入装置及离子束的调整方法,其课题在于在避免离子注入装置的生产率的下降的同时实现能量精度的提高。本发明的离子注入装置的能量分析狭缝(28)构成为可切换标准狭缝开口(110)与高精度狭缝开口(112),所述标准狭缝开口用于在所给注入条件下进行的注入处理;所述高精度狭缝开口具有比标准狭缝开口(110)高的能量精度,且为了调整高频线性加速器的加速参数而使用。加速参数取决于所给注入条件,以便使向高频线性加速器供给的离子的至少一部分加速至目标能量,并且使通过射束测量部测量的射束电流量与目标射束电流量相当。

    质量分析电磁铁
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105575754B

    公开(公告)日:2018-06-26

    申请号:CN201510548657.6

    申请日:2015-08-31

    Abstract: 本发明提供一种质量分析电磁铁,其能抑制在离子束(IB)的质量分离方向以外的位置因离子束(IB)与分析管(9)的壁面碰撞而附着、堆积的堆积物混入目标物(5)中。质量分析电磁铁(2)具备在内侧区域形成离子束(IB)通道的分析管(9),使离子束(IB)向规定的方向偏转,利用质量的不同分离包含在离子束(IB)中的离子,在与离子束(IB)的前进方向和离子束(IB)的质量分离方向垂直的方向上,分析管(9)具有遮蔽离子束(IB)的端部的至少一个遮蔽构件(SH)。

    电子束调节
    47.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104250687B

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201410223350.4

    申请日:2014-05-26

    Applicant: 苹果公司

    Abstract: 公开了一种电子束调节。所描述的实施例一般地涉及调整输出或电子束的调节。更具体而言,公开了涉及将入射到工件的电子束的足迹保持在所限定的能量水平内的各种构造。这样的构造允许电子束仅将工件的特定部分加热到在其中金属间化合物分解的过热状态。在一个实施例中,公开了阻止电子束的低能量部分接触工件的掩模。在另一个实施例中,电子束可以用将电子束保持在一能量水平以使得基本所有的电子束在阈值能量水平之上的方式被聚焦。

    用于高分辨率电子束成像的设备及方法

    公开(公告)号:CN104380427B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201380025282.4

    申请日:2013-04-02

    Inventor: 姜辛容 韩立群

    CPC classification number: H01J37/153 H01J37/05 H01J37/28 H01J2237/1534

    Abstract: 一个实施例涉及一种用于高分辨率电子束成像的设备。所述设备包含经配置以限制入射电子束中的电子的能量扩散的能量过滤器。所述能量过滤器可使用消像散维恩(Wien)过滤器及过滤器孔口而形成。另一实施例涉及一种形成用于高分辨率电子束设备的入射电子束的方法。另一实施例涉及一种包含弯曲导电电极的消像散维恩过滤器。另一实施例涉及一种包含一对磁轭及多极偏转器的消像散维恩过滤器。本发明还揭示其它实施例、方面及特征。

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