公开(公告)号：CN104106123B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380004763.7

申请日：2013-01-14

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05 ,  H01J37/16

CPC classification number: H01J37/147 ,  G01K5/00 ,  H01J37/05 ,  H01J37/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置，可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹，用于在击中工件前进一步撞击，并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。

公开(公告)号：CN105470082A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510840116.0

申请日：2015-11-27

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐文新 ,  余雷 ,  祝林

IPC: H01J37/147

CPC classification number: H01J37/147

Abstract: 本发明公开了一种电子束90度偏转器，它包括金属偏转阳极、金属偏转阴极和偏压电极片，金属偏转阳极位于90度圆弧的内层，金属偏转阴极位于90度圆弧的外层，两块偏压电极片通过螺栓和刚玉陶瓷垫片贴压在金属偏转阳和金属偏转阴极的两侧面，由金属偏转阳极、金属偏转阴极和两块偏压电极片所围成的空腔构成偏转器通道，金属偏转阴极上开设有从正面直射光阴极的激光通孔，金属偏转阴极内壁弧面设有沟槽，沟槽内嵌插有超薄玻璃。本发明的优点是：激光正面垂直入射微米级打在光阴极，避免了现有电子束90度偏转器电极开较大孔径空洞对内电场畸变的影响，有效的提升了电子显微术的时间和空间分辨率。

公开(公告)号：CN103492027B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280019786.0

申请日：2012-03-28

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 立川敏树 ,  小笠原毅

IPC: A61N5/10 ,  G21K1/04 ,  G21K5/04

CPC classification number: G21K5/04 ,  A61N5/1045 ,  A61N5/1075 ,  A61N2005/1087 ,  A61N2005/1095 ,  G21K1/046 ,  H01J37/147

Abstract: 本发明提供一种带电粒子束照射装置（4），其能够获得多叶准直器（8）的开口部（8c）的清晰的摄像图像。带电粒子束照射装置（4）具有：散射体（6）及隆起滤过板（7），将由回旋加速器（5）供给的带电粒子束（P）对患者A的体内的肿瘤部B进行照射；及多叶准直器（8），配合肿瘤部B的形状而设定带电粒子束（P）的照射范围。隆起滤过板（7）与多叶准直器（8）之间配置有能够相对于带电粒子束（P）的照射轴（Q）进退的准直器形状确认单元（9）。准直器形状确认单元（9）具有直接对多叶准直器（8）的开口部（8c）进行拍摄的摄像机（11），且构成为能够在与包含带电粒子束（P）的照射轴（Q）的照射区域（R）对应的摄像位置与远离包含带电粒子束（P）的照射轴（Q）的照射区域（R）的退避位置之间进行移动。

公开(公告)号：CN104428866A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380036057.0

申请日：2013-05-14

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： A.H.V.范维恩

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/09 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/0262 ,  H01J2237/0264 ,  H01J2237/16 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/188

Abstract: 本发明涉及一种带电粒子光刻系统。该系统具有子射束产生器，包括射束产生器，用于产生带电粒子射束；孔径阵列(6)，用于从该带电粒子射束形成多个子射束；以及子射束投射器，用于将该子射束投射在目标的表面上。带电粒子射束产生器包含带电粒子源(3)，用于产生发散的带电粒子射束；准直器系统(5a、5b、5c)，一个或多个泵(220)，高电压屏蔽配置(201)，用于屏蔽保护该高电压屏蔽配置外面的器件，避免受到高电压屏蔽配置内的高电压影响，以及冷却配置(203，204)，用于移除热量。一个或多个泵位于高电压屏蔽配置和冷却配置之间。

公开(公告)号：CN104380427A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380025282.4

申请日：2013-04-02

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 姜辛容 ,  韩立群

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/10 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/153 ,  H01J37/05 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/1534 ,  H01J37/22 ,  H01J37/10 ,  H01J37/147

Abstract: 一个实施例涉及一种用于高分辨率电子束成像的设备。所述设备包含经配置以限制入射电子束中的电子的能量扩散的能量过滤器。所述能量过滤器可使用消像散维恩(Wien)过滤器及过滤器孔口而形成。另一实施例涉及一种形成用于高分辨率电子束设备的入射电子束的方法。另一实施例涉及一种包含弯曲导电电极的消像散维恩过滤器。另一实施例涉及一种包含一对磁轭及多极偏转器的消像散维恩过滤器。本发明还揭示其它实施例、方面及特征。

公开(公告)号：CN104377104A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410392945.2

申请日：2014-08-12

Applicant: FEI公司

Inventor： P.C.蒂伊梅杰 ,  S.J.P.科宁斯 ,  A.亨斯特拉

IPC: H01J37/26

CPC classification number: H01J37/261 ,  H01J37/147 ,  H01J37/22 ,  H01J37/26 ,  H01J37/263 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/2605 ,  H01J2237/262

Abstract: 本发明公开了使用环境透射电子显微镜的方法以及环境透射电子显微镜。环境透射电子显微镜遭受气体诱发的分辨率劣化。已发现该劣化并不是样品上的电流密度的函数，而是电子束的总电流的函数。发明人得出结论，劣化是由于ETEM的样品室中的气体的电离而引起的，并且提出使用样品室中的电场来移除电离气体，从而减小气体诱发的分辨率劣化。电场不需要是强场，并且能通过例如使样品114相对于样品室138偏置而引起。经由电压源144施加的100V的偏置电压足以实现气体诱发的分辨率劣化的显著改善。极化并不是重要的。备选地，能通过例如将电偏置导线或纱网154离轴地放置在样品室中来使用垂直于光轴104的电场。

公开(公告)号：CN101896980B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200880116751.2

申请日：2008-09-26

Applicant: 离子束应用股份有限公司

Inventor： M·阿布斯 ,  S·扎雷姆巴 ,  W·克里文

IPC: G21K1/08 ,  G21K5/04 ,  G21K5/10 ,  H05G2/00 ,  A61L2/00 ,  A61L2/08 ,  A61N5/10 ,  G01V5/00

CPC classification number: H01J37/10 ,  A61L2/087 ,  A61L2202/122 ,  A61N5/1043 ,  A61N2005/1087 ,  G21K1/08 ,  G21K5/04 ,  G21K5/10 ,  H01J37/147 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/103 ,  H01J2237/12 ,  H01J2237/14 ,  H01J2237/2602 ,  H01J2237/30 ,  H01J2237/31701 ,  H05G2/00

Abstract: 本发明涉及一种用于传输带电粒子束的设备(10)。该设备包括：用于在靶(3)上扫描带电粒子束的装置(12)、被布置在用于扫描的装置上游的偶极磁体(15)、布置在偶极磁体与用于扫描的装置之间的至少三个四极透镜(17)和用于根据带电粒子束的扫描角来调整所述至少三个四极透镜的场强度的装置。可以使所述设备至少单消色差。

公开(公告)号：CN103367088A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310106485.8

申请日：2013-03-29

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 狩谷宏行 ,  石川雅基 ,  院田佳昭 ,  黑濑猛 ,  八木田贵典 ,  弓山敏男

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/147 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/147 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24521 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24542 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67213

Abstract: 本发明提供了一种离子注入装置及其控制方法。通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置测量离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值。控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段，根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值，同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节、确保横向离子束密度的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节以及确保纵向离子注入分布的均匀性所必需的纵向射束尺寸的调节中的至少一者。

公开(公告)号：CN101901733B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010001016.6

申请日：2010-01-18

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 任克川 ,  杨允儒 ,  万志民

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/147 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明是有关于一种离子布植机与调整离子束形状的方法，当离子束自分析磁铁单元输出之后，至少有一组棒状磁铁用来当离子束通过棒状磁铁周围的空间时调整离子束的形状。该组棒状磁铁可以施加多阶磁场于离子束。由于多阶磁场施加非均匀磁力以改变离子的轨迹，因此离子束的不同部分将有不同的变形或变化。此外，每一棒状磁铁仅由一电源提供电源，该组棒状磁铁仅可调整多阶磁场的强度。产生多阶磁场的结构与技术并不限于本发明所叙述者。本发明提出一种新颖的离子布植机与一种新的调整离子束的方法以有效并经济地调整离子束的形状而无须针对传统离子布植机的构造进行大幅或昂贵的修改，非常适于实用。

公开(公告)号：CN101777481B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200910266872.1

申请日：2004-06-14

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·班威尼斯特 ,  R·拉斯梅尔 ,  黄扬强

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J2237/057

Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器，所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方，并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈，用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中，披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性，并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。