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公开(公告)号：KR101775977B1
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160038667
申请日：2016-03-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/049 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/03926 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/042 , H01L31/049 , H01L31/0504 , H01L31/18 , H01L31/1892
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지모듈의제조방법및 이에의해제조된플렉시블태양전지모듈에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에후면전극층을형성하는제2단계와, 상기후면전극층상부에전도성플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기벌크기판을제거하여상기의전도성플렉시블기판, 후면전극층및 반도체층으로이루어진반도체셀을분리하고, 상기반도체셀을임시기판상에상기전도성플렉시블기판이접하도록형성하는제4단계와, 상기임시기판상에형성된상기반도체층상부의일부영역에전면전극및 반사방지막을형성하고, 에칭공정을이용하여복수개의태양전지셀을제조하는제5단계와, 이송수단을이용하여상기복수개의태양전지셀을상기임시기판으로부터분리하는제6단계와, 후면전극회로가인쇄된밀봉재필름또는후면전극회로가인쇄된백시트필름상에상기복수개의태양전지셀의후면(전도성플렉시블기판측)을부착하는제7단계와, 전면전극회로가인쇄된밀봉재필름, 또는 (전면전극회로가인쇄되지않은) 전면밀봉재필름을상기복수개의태양전지셀의전면(전면전극측)에부착하여플렉시블태양전지모듈구조체를형성하는제8단계및 상기후면전극회로가인쇄된백시트필름을사용한경우에는상기플렉시블태양전지모듈구조체상부에전면시트필름을위치시키고, (상기후면전극회로가인쇄된백시트필름을사용하지않고) 상기후면전극회로가인쇄된밀봉재필름을사용하는경우에는상기플렉시블태양전지모듈구조체상하부에각각전면시트필름및 백시트필름을위치시킨후, 라미네이팅공정을수행하여플렉시블태양전지모듈을형성하는제9단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는플렉시블태양전지모듈의제조방법및 이에의해제조된플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은전도성플렉시블기판을적용하여기존의플렉시블태양전지셀에서의전기적및 열적특성을개선시키고, 전극연결구조를개선하며, 특히전극회로가인쇄된필름을이용하여라미네이팅공정을적용함으로써, 금속전극선본딩공정이배제되고태양전지셀의직렬및 병렬연결구조가단순화되어플렉시블태양전지모듈의제조가용이한이점이있다.
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公开(公告)号：KR101762921B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明稠合形式阳光涉及一种发电的方法和系统，所述方法包括：计算一个太阳能黄道调整根据太阳能跟踪方法的太阳能电池板，集中构成太阳能面板上的一个或更多个单元模块的太阳光 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并且根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。
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公开(公告)号：KR101673971B1
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020150001431
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101663644B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020140150214
申请日：2014-10-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 흡수층및 증폭층이각각분리되어형성된(separate absorption and multiplication) 애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑및 조성변화층의조합으로이루어지되, 상기도핑및 조성변화층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지면서, 상기화합물반도체의조성을기판에대해 10% 오차범위내에서의격자부정합또는정합이유지되도록변형하여형성되는것을특징으로하는변형된도핑및 조성흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 도핑이되어있으면서조성변화가이루어진도핑및 조성변화층은소수캐리어의에너지밴드를가변함으로써전계를인가하여캐리어이동을돕게되어, 캐리어가증폭층으로도달하는속도를가속할수 있도록하여, 효율특성및 응답속도를더욱개선시키는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020160110742A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: B82B3/0019 , B82B1/001 , B82B3/0014 , H01L21/02601 , H01L21/0274
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101626393B1
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020130169385
申请日：2013-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본발명의일 측면에의하면, 기판을준비하는기판준비단계; 상기기판과상이한격자상수를가진희생층을상기기판상에성장시키는희생층성장단계; 상기기판과상기희생층사이의긴장상태와반대인긴장상태를가진보상층을상기희생층상에성장시키는보상층성장단계;및상기보상층상에소자층을성장시키는소자층형성단계; 를포함하는것을특징으로하는기판재활용구조생성방법을제공한다. 이상에서살펴본본 발명에의하면, 희생층을두텁게성장시킬수 있게함 으로써, 소자를손쉽게제거할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020160050574A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140149039
申请日：2014-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원 , (재)한국나노기술원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/184 , H01L31/1844
Abstract: 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种放大电子和空穴并具有高电压增益的光电二极管及其制造方法。 光电二极管包括：基板; 设置在所述基板上的第一载流子放大层; 设置在所述第一载流子放大层上的光子吸收层; 以及设置在光子吸收层上的第二载流子放大层。 制造光电二极管的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一载流子放大层; 在所述第一载流子放大层上形成光子吸收层; 以及在所述光子吸收层上形成第二载流子放大层。 根据本发明的实施例，可以通过使用两种载体两者放大信号来提高电压增益和光子检测的可靠性。
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公开(公告)号：KR101556090B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140174004
申请日：2014-12-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20 , H01L21/31 , H01L21/306
CPC classification number: H01L27/1203
Abstract: 본발명은실리콘기판상에고품위의반도체소자를형성하는방법에관한것으로서, 실리콘기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, 실리콘(001) 기판상에패터닝공정을통해실리콘(001)면이노출되도록절연물에의한 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을형성하는제1단계와, 상기 ART패턴하부에습식식각을통해실리콘(111)면이노출되도록 AART(Arrow Aspect Ratio Trapping) 패턴을형성하는제2단계와, 상기절연물하측에실리콘(111)면의노출이진행됨에따른절연물과실리콘계면상에언더컷을형성하는제3단계및 상기 ART패턴영역과 AART패턴영역상측으로반도체층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기 ART패턴영역과 AART패턴영역그리고반도체층전면에마스킹절연막을형성하고, 상기 ART패턴과 AART패턴영역외의상기실리콘기판상에상기제1단계내지제4단계를반복수행하여다종의반도체층을형성하는것을특징으로하는실리콘(001) 기판상에다종의반도체에피층성장방법을기술적요지로한다. 이에의해, 실리콘기판상에실리콘(111)면이노출된화살표형태의트랩핑패턴을형성하여, 실리콘과반도체층간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 반도체소자를제공할수 있으며, 결함이없는(defect free) 에피층을더욱낮은두께에서얻을수 있어소자의제조가용이하고, 이를반복수행함으로써동일한실리콘기판상에서결함이없는다종의반도체에피층을얻을수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及在硅衬底上形成高质量半导体器件的方法，更具体地说，涉及在硅衬底上生长半导体外延层的方法。 根据本发明的实施例的在硅衬底上生长半导体外延层的方法包括通过绝缘材料形成纵横比捕获（ART）图案的第一步骤，形成箭头纵横比捕获的第二步骤（ AART）图案，在硅和绝缘材料的界面上形成底切的第三步骤，以及在AART图案区域和ART图案区域的上侧生长半导体层的第四步骤。
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公开(公告)号：KR101357059B1
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020110123500
申请日：2011-11-24
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/043
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 다중접합 태양전지에서 최상부 태양전지 셀을 제외한 나머지 하부 태양전지 셀에서 전류 부정합을 일으키는 한 개 또는 다수 개 셀에 대해, 한 개 또는 다 수개의 개구(Aperture)를 구비함으로써, 전류 정합을 유도하여 전체 전류 생성을 증가시키고, 전체 다중접합 태양전지 효율을 향상시키는 다중접합 태양전지에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 제 2 태양전지 셀, 제 2 태양전지 셀 상에 형성된 제 1 태양 전지 셀 및 제 2 태양전지 셀에 태양광의 입사를 위해 제 1 태양전지 셀의 일 구간에 형성된 개구부를 포함한다. 아울러, 본 발명에 따른 다중접합 태양전지는 기판과 제 2 태양전지 셀 사이에 제 3 내지 제 m 태양전지 셀을 더 포함하며, 제 m 태양전지 셀이 포함될 경우, 개구부는 m-1개로 형성되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020130013779A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020110075575
申请日：2011-07-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/683 , H01L21/288
Abstract: PURPOSE: An auxiliary device of a wafer holder for semiconductor electroplating is provided to easily perform electroplating on a small or large wafer by using a metal electrode for various wafers. CONSTITUTION: A metal electrode(301) fixes a wafer. The metal electrode has a length which is different according to wafer size. An electrode tip(304) is positioned in the end part of the metal electrode. A holder substrate(302) includes the wafer, a wafer holding groove(302a) and a metal electrode holding groove(302b). An electrode combination member(303) combines the metal electrode with the holder substrate.
Abstract translation: 目的：提供用于半导体电镀的晶片保持器的辅助装置，通过使用用于各种晶片的金属电极容易地在小或大晶片上进行电镀。 构成：金属电极（301）固定晶片。 金属电极具有根据晶片尺寸不同的长度。 电极头（304）位于金属电极的端部。 保持基板（302）包括晶片，晶片保持槽（302a）和金属电极保持槽（302b）。 电极组合构件（303）将金属电极与保持器基板结合。
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