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公开(公告)号:KR100220212B1
公开(公告)日:1999-10-01
申请号:KR1019910020383
申请日:1991-11-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H02N13/00 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , Y10T279/23
Abstract: 마그네트론 플라즈마 에칭 장치의 진공챔버(10)내에, 웨이퍼(1)를 흡착하는 정전척(20)이 형성되어 있다. 이 정전척은 베이스 부재(81)와, 베이스 부재 위에 형성되어 폴리이미드로 형성된 제1절연층(41)과, AIN으로 형성된 제2절연층(42)과, 제1절연층(41)과 제2절연층(42)과의 사이에 형성된 도전성 시트(44)와, 제1절연층(41)과 제3절연층(42)을 접착하기 위한 열경화성 수지의 접착체층(43)을 가지고, 제2절연층(42)위에 웨이퍼(1)를 얹어 놓고, 고전압 전원(24)에서 급전시트(23)를 통하여 도전성 시트(44)에 급전함으로써 웨이퍼(1)와 도전성 시트(44)와의 사이에 인가된 전압에 의해 발생하는 정전기에 기인하는 쿨롱힘에 의해 제2절연층(42)위에 웨이퍼(1)가 흡착된다.
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公开(公告)号:KR100193376B1
公开(公告)日:1999-06-15
申请号:KR1019910012350
申请日:1991-07-19
Applicant: 티디케이가부시기가이샤 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: G01F23/00
Abstract: 본 발명의 액면검출장치는 저온액체 또는 고온 액체 등의 피검출 액체의 액면을, 온도검출에 의해 상기 액체와의 기계적인 접촉을 의뢰하지 않고 신뢰성 높은 검출을 행할 수 있는 것이다. 상기 액면검출장치는 피검출 액체가 수용되는 액체수용부와, 상기 액체수용부에 연결되고, 상기 피검출 액체를 상기 액체수용부내에 공급하기 위한 도입관과, 상기 액체수용부에 연결되고, 상기 액체수용부내의 상기 액체가 일정액위 이상으로 오버플로 했을때에 상기 액체를 배출하는 배출관과, 상기 액체수용부의 상부 또는 측부에 설치되고, 상기 액체수용부의 상기 액체의 온도를 검출하기 위한 온도측정용 단자와, 상기 온도측정용 단자를 가열하기 위한 히터로부터 구성된다.
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53.플라즈마 장치 및 고주파가 인가되는 부재에 있어서의 전기신호의 추출방법 및 전기신호 추출시스템 失效
Title translation: 用于提取高频波应用的会员电气信号的等离子体装置和方法及系统公开(公告)号:KR100155567B1
公开(公告)日:1998-11-16
申请号:KR1019910012353
申请日:1991-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H05H1/02
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 플라즈마 에칭장치에 있어서의 고주파 전극의 온도 측정 시스템은, 온도를 검출하기 위한 온도 검출 소자(62)와, 이 온도검출소자(62)가 그 속에 절연하여 설치하되, 직류적으로 플로팅상태로 유지된 금속 시이스 부재(63)와, 이 시이스 부재와 고주파 전극과를 절연하는 절연부재(25)와 온도검출소자로 부터의 전기신호에 있어서의 고주파성분을 제거하는 필터(65)를 구비한 것이다.
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公开(公告)号:KR1019920010778A
公开(公告)日:1992-06-27
申请号:KR1019910021527
申请日:1991-11-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H01L21/302
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号:KR1019920003435A
公开(公告)日:1992-02-29
申请号:KR1019910012354
申请日:1991-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H01L21/306
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号:KR101910678B1
公开(公告)日:2018-10-22
申请号:KR1020137012435
申请日:2011-11-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3244
Abstract: 본발명의플라즈마처리장치는, 기판을탑재하기위한탑재대가마련되는처리용기, 상기처리용기내로제1 가스를공급하도록구성되는제1 가스공급유닛, 상기제1 가스의적어도일부를제1 플라즈마로변환하도록구성되는제1 플라즈마생성유닛, 상기처리용기내로제2 가스를공급하도록구성되는제2 가스공급유닛, 및상기제2 가스의적어도일부를제2 플라즈마로변환하도록구성되는제2 플라즈마생성유닛을포함한다. 탑재대로부터제2 가스의유입구의높이는, 탑재대로부터제1 가스의유입구의높이보다낮다.
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公开(公告)号:KR101788918B1
公开(公告)日:2017-11-15
申请号:KR1020150078798
申请日:2015-06-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/3222 , H01L21/67069
Abstract: 여기에개시된기법들은플라즈마프로세싱챔버내에발생된플라즈마를이용하여기판들을처리하는장치를포함한다. 일실시예에서, 플라즈마시스템의유전체판들은균일한플라즈마를발생시키는것을보조하도록구성된구조적피쳐들을포함할수 있다. 이러한구조적피쳐들은플라즈마를마주한표면에표면형상을정의한다. 이러한구조적피쳐들은거의비선형단면을갖는동심고리세트를포함할수 있고, 유전체판의표면으로부터돌출될수 있다. 이러한구조적피쳐들은피쳐깊이, 폭, 및동심고리에따라깊이및 폭이달라질수 있는주기적패턴들을포함할수 있다.
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公开(公告)号:KR1020170032195A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:KR1020160117223
申请日:2016-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 노자와도시히사
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/50 , H01J37/32211 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01J37/32715
Abstract: 본발명은, 배치대상의피처리기판에대하여플라즈마중의이온을경사방향으로부터균일하게입사시키는것을목적으로한다. 플라즈처리장치는, 처리용기와, 처리용기내에설치되고, 기판이배치되는배치대와, 배치대에대향하여처리용기에부착되고, 플라즈마를생성하기위한전자에너지를처리용기내로공급하는플라즈마생성기구와, 배치대와플라즈마생성기구의중간위치보다배치대에가까운위치에설치된격자형부재또는복수의막대형부재와, 격자형부재또는복수의막대형부재와, 배치대를상대적으로이동시키는이동기구를갖는다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是将等离子体中的离子从倾斜方向均匀地引入到作为排列目标的基板上。 等离子体处理装置,该处理容器中,并在处理容器提供,等离子体至基板被布置放置成抵靠和相反于载置台安装到处理容器中,供给所述电磁能向处理容器,用于产生等离子体生成机构 和移动机构用于放置靠并等离子体生成机构相对移动格栅形构件或多个棒状构件的,格子状部件或多个棒状构件和布置成用于安装在一个位置靠近地方超过的中间位置 有。
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公开(公告)号:KR1020160078245A
公开(公告)日:2016-07-04
申请号:KR1020150178191
申请日:2015-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 노자와도시히사
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32532 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32779
Abstract: 본발명은, 동시에복수의기판에대하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치에있어서, 배치대상의복수의기판에대하여균일한플라즈마분포를실현하여, 처리의균일성을향상시키는것을목적으로한다. 처리가스를플라즈마화시켜기판을처리하는플라즈마처리장치(1)에있어서, 처리용기(2) 내의아래쪽에는, 회전가능한복수의기판스테이지(31, 32)가설치되어있다. 처리용기(2) 내의위쪽에는, 고주파전원(25)으로부터고주파의공급을받아, 처리용기(2) 내에공급된처리가스를플라즈마화하는상부전극(10)이설치되어있다. 상부전극(10)은, 구동기구(5), 회전기구(4)에의해, 전극지지부재(11)의수직부(11a)를중심으로회전가능하다.
Abstract translation: 在同时对多个基板进行等离子体处理的等离子体处理装置中,本发明的目的是通过在布置台上均匀地喷射等离子体到基板来提高加工的均匀性。 在等离子体处理装置(1)中,通过将处理气体作为等离子体进行处理,能够在处理容器(2)内的下侧安装能够旋转的多个基板台(31,32)。 在处理容器(2)内的上侧安装有用于通过从高频源(25)接受高频的供给而将作为等离子体提供到处理容器(2)中的处理气体的上电极(10) 。 上电极(10)可以通过驱动工具(5)和旋转工具(4)以电极支撑构件(11)的垂直单元(11a)为中心旋转。
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公开(公告)号:KR1020150048754A
公开(公告)日:2015-05-07
申请号:KR1020157005309
申请日:2013-06-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , C23C16/511 , C23C16/458
CPC classification number: H01J37/32779 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32788 , H01J37/32834 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 회전배치대를회전시키면서복수의기판을동시에처리할때에, 회전배치대의반경방향의기판표면의처리균일성을향상시킨다. 처리실(102) 내에회전가능하게배치된회전축(114)에지지되고, 웨이퍼(W)를배치하는웨이퍼배치부(113)를원주방향으로복수개 나란하게설치한회전배치대(110)와, 처리실내에처리가스를공급하는처리가스공급부(170)와, 회전배치대에대향하여처리실의천장에설치되며, 처리가스의플라즈마를생성하기위한복수의마이크로파도입기구(224)를원주방향을따라서환상으로나란하게일렬로하고, 이것을회전배치대가회전했을때의웨이퍼궤적의내측으로부터외측에걸쳐복수열 이격하여배열한플라즈마생성부(200)와, 처리실내부를배기하는배기부(164)를설치했다.
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