-
公开(公告)号：KR1020100029041A
公开(公告)日：2010-03-15
申请号：KR1020090082951
申请日：2009-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/45565 , H01L21/02046 , H01L21/28556
Abstract: PURPOSE: A depositing method and a film forming apparatus are provided so that the adhesion of a precoat film formed at the subsequent processes etc can be improved. It can control that particle generates in the film forming process. CONSTITUTION: A film forming apparatus comprises a treatment basin(14), a main chuck(62), a heating means(66), a shower head part(18), a head peripheral unit gas supply means(22). The vacuum evacuation possible, the treatment basin is included. The main chuck prepares within the treatment basin. The processed article is in the upper part mount. The heating means heats the processed article. It faces in the main chuck and the shower head part is arranged. The necessary gas is introduced within the treatment basin. Supplies the inactive gas in the increase in temperature after the cleaning processing within the treatment basin to the head peripheral unit gas supply means is the peripheral unit of the shower head part.
Abstract translation: 目的：提供一种沉积方法和成膜装置，使得可以提高在后续处理过程中形成的预涂膜的粘合性。 它可以控制颗粒在成膜过程中产生。 构成：成膜装置包括处理池（14），主吸盘（62），加热装置（66），淋浴头部分（18），头部周边单元气体供应装置（22）。 真空排空可能，包括处理盆。 主卡盘在处理池内准备。 加工品在上部安装。 加热装置加热经处理的物品。 它位于主卡盘中，并安装淋浴头部分。 在处理池内引入必要的气体。 在处理池内的清洁处理之后，在不断增加温度的情况下提供惰性气体到头部周边单元气体供应装置是淋浴头部分的周边单元。
-
公开(公告)号：KR1020090057944A
公开(公告)日：2009-06-08
申请号：KR1020087030958
申请日：2007-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/42 , H01L29/49
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/52 , H01L21/28097 , H01L21/28556 , H01L29/4975 , H01L29/517
Abstract: A substrate is disposed in a treating vessel. An organic Ta compound gas having a Ta=N bond, an Si-containing gas, and an N-containing gas are introduced into the treating vessel to form a TaSiN film by CVD. In this film formation, at least one of the partial pressure of the Si-containing gas in the treating vessel, total pressure in the treating vessel, film formation temperature, and partial pressure of the N-containing gas is controlled to thereby regulate the Si concentration in the film. Especially when SiH4 gas is used as the Si-containing gas, the partial SiH4 gas pressure is determined based on the fact that the desired Si concentration in the film under given processing conditions can be expressed as a linear function involving the logarithm of the partial pressure of SiH4 gas.
Abstract translation: 将基板设置在处理容器中。 将具有Ta = N键的有机Ta化合物气体，含Si气体和含N气体引入处理容器中，通过CVD形成TaSiN膜。 在该成膜中，处理容器内的含Si气体的分压，处理容器内的总压，成膜温度，含N气体的分压中的至少一个被控制，从而调节Si 集中在电影里。 特别是当使用SiH 4气体作为含Si气体时，部分SiH 4气体压力基于以下事实来确定：在给定加工条件下膜中期望的Si浓度可以表示为涉及分压对数的线性函数 的SiH4气体。
-
公开(公告)号：KR1020080025198A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：KR1020087002703
申请日：2006-08-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마사키히데아키
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/34 , C23C16/42 , C23C16/45525 , H01L21/28097 , H01L29/4975
Abstract: Disclosed is a method for forming a W-based film comprising a step for placing a substrate in a process chamber, a step for forming a WSi film by alternately repeating deposition of W through introduction of a W(CO) 6 gas into the process chamber and silicification of W or deposition of Si through introduction of an Si-containing gas into the process chamber, and a step for purging the process chamber between the supply of the W(CO)6 gas and the supply of the Si-containing gas. ® KIPO & WIPO 2008
Abstract translation: 公开了一种形成W基膜的方法，包括将基板放置在处理室中的步骤，通过将W（CO）6气体引入处理室中交替重复沉积W形成WSi膜的步骤 以及通过将Si含量的气体引入到处理室中，W的硅化或Si的沉积，以及在W（CO）6气体的供给和含Si气体的供给之间吹扫处理室的步骤。 ®KIPO＆WIPO 2008
-
公开(公告)号：KR100666042B1
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020037012079
申请日：2002-03-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L28/65 , C23C16/0218 , C23C16/0236 , C23C16/18 , C23C16/452 , C23C16/45523 , H01L21/3105 , H01L21/31612 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/90
Abstract: 본 발명에 따르면, 반도체 기판(101)은 소정의 처리 용기내에 배치되고, 예를 들어 플라즈마로의 전환에 의해 활성화된 산소 기체가 절연 막(108)상에 공급된다. 층간 절연 막(106) 및 절연 막(108)의 표면이 활성화된 산소 기체에 노출된다. 그 후, CVD에 의해 루테늄 막(109)이 형성된다.
Abstract translation: 根据本发明，将半导体基板101放置在预定处理容器中，并且通过例如转换成等离子体而激活的氧气被供应到绝缘膜108上。 层间绝缘膜106和绝缘膜108的表面暴露于活性氧气。 之后，通过CVD形成钌膜109。
-
公开(公告)号：KR100610416B1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1019990046706
申请日：1999-10-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/0281 , C23C16/34 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28556 , H01L21/28568 , H01L21/32051
Abstract: 텅스텐원자를 포함하는 제1원료가스를 피처리체에 접촉시키고, 또한 질소원자를 포함하는 제2원료가스를 피처리체에 접촉시키지 않은 전공정과, 제1원료가스와 제2원료가스를 사용하여, 피처리체에 질화텅스텐막을 형성하여 반도체장치를 제조하는 성막공정을 구비한 반도체장치의 제조방법이다. 이 방법에 의하면, 성막후의 열처리시에 있어서의 막박리를 방지할 수가 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100579148B1
公开(公告)日：2006-05-12
申请号：KR1020030046847
申请日：2003-07-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05D11/138 , C23C16/16 , C23C16/4481 , C23C16/52
Abstract: 본 발명은, 저증기압 원료를 사용한 CVD법에 의한 성막에 있어서도, 캐리어 가스중의 소스 가스의 농도를 고정밀도로 또한 신속하게 조정할 수 있는, CVD 성막 장치의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은, 성막실에 성막용 소스 가스를 공급하기 위한 원료 공급 장치를 구비한 성막 장치로서, 상기 원료 공급 장치는, 소스 가스를 반송하는 캐리어 가스중의 상기 소스 가스의 농도를 측정하는 농도 측정 수단과, 상기 소스 가스의 측정 농도에 기초하여, 상기 캐리어 가스에 부가하는 불활성 가스의 유량을 증감하는 불활성 가스 유량 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 불활성 가스의 유량을 증감함으로써, 간단하고 또한 신속하게 소스 가스의 농도를 제어할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100540188B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020027001790
申请日：2000-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마사키히데아키
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명의 반도체장치의 제조방법은 표면에 부분적으로 凹부가 형성된 절연층에 복수의 성막을 실시하여 반도체장치를 제조하는 방법이다. 본 방법은, 상기 凹부의 내주면을 포함하는 상기 절연층의 표면에 고융점 금속을 포함하는 밑바닥 금속막을 형성하는 밑바닥 금속막 형성공정과, OH기를 갖춘 유기용매에 의해 상기 밑바닥 금속막의 표면을 처리하는 표면처리공정 및, 표면처리 후의 상기 밑바닥 금속막상에 CVD법에 의해 적어도 상기 凹부내의 일부 또는 전부를 매립하도록 배선용 금속을 퇴적시키는 배선용 금속 퇴적공정을 구비하여 이루어진다.
-
公开(公告)号：KR100479283B1
公开(公告)日：2005-03-28
申请号：KR1020027009180
申请日：2001-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 본 발명의 금속 막 형성 방법은 ① 다양한 종류의 원료 가스를 기부 배리어 막(3)에 순차로 공급하는 단계(S13, S15)로서, 상기 가스중 적어도 하나가 금속을 포함하는, 상기 공급 단계(S13, S15)와, ② 상기 단계 ①의 원료 가스를 진공 배기시키거나, 상기 단계 ①의 원료 가스가 각각 공급된 후에 상기 단계 ①의 원료 가스를 다른 종류의 가스로 대체시키는 단계(S14, S16)를 포함하며, 이에 의해 상기 금속의 극히 얇은 막(5)이 상기 기부 배리어 막(3)상에 형성된다.
-
公开(公告)号：KR1020040005702A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：KR1020030046847
申请日：2003-07-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05D11/138 , C23C16/16 , C23C16/4481 , C23C16/52
Abstract: PURPOSE: A film-formation apparatus, a source supplying apparatus therefor, and a gas concentration measuring method are provided to monitor and control the source gas concentration by using an infrared spectrometer. CONSTITUTION: A film-formation apparatus includes a film-formation chamber and a source gas supplying apparatus for supplying a source gas to the film-formation chamber together with a carrier gas. The source gas supplying apparatus includes a concentration detector for detecting a concentration of the source gas and a gas flow controller for controlling a flow rate of an inert gas added to the carrier gas based on a result of measurement of the concentration of the source gas obtained by the concentration detector.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，其源供给装置和气体浓度测量方法，以通过使用红外光谱仪监测和控制源气体浓度。 构成：成膜装置包括成膜室和用于将气体与载气一起供给到成膜室的源气体供给装置。 源气体供给装置包括用于检测源气体的浓度的浓度检测器和用于控制添加到载气中的惰性气体的流量的气体流量控制器，其基于获得的源气体的浓度的测量结果 通过浓度检测器。
-
公开(公告)号：KR1020030061851A
公开(公告)日：2003-07-22
申请号：KR1020037007935
申请日：2001-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C16/4585 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6835 , H01L2924/3025
Abstract: 박막이 웨이퍼의 처리면에 증착되고 웨이퍼가 처리실의 외부로 분출된 후에, 클램프의 접촉 돌출부가 서섭터와 접촉하여 클램프를 가열한다. 그 후에, 박막이 증착되지 않은 웨이퍼가 반입될 때 클램프를 상승시키는 것에 의해서 웨이퍼가 서셉터상에 배치된다. 그 후에, 클램프는 웨이퍼와 접촉하게 되고 웨이퍼는 소정 온도로 안정화된다. 그 후에, 웨이퍼의 처리면에 박막이 증착된다.
Abstract translation: 在薄片沉积在晶片的处理表面上并且晶片从处理室移出之后，使夹具的接触突起与基座接触以加热夹具。 接下来，在没有沉积薄膜的晶片被输入时，通过提升夹具来将晶片设置在基座上。之后，使夹具与晶片接触，并且晶片稳定至预定温度 。 此后，在晶片的处理表面上沉积薄膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.068 seconds)
