公开(公告)号：KR1020060060159A

公开(公告)日：2006-06-05

申请号：KR1020040099058

申请日：2004-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은애 ,  최재형 ,  정정희 ,  김영선 ,  유차영

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L21/7687 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 하부 전극을 형성하기 위한 습식 식각 공정시, 하부 전극의 하단에 위치하는 막들의 유실을 방지할 수 있는 MIM 캐패시터 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 MIM 캐패시터는, 제 1 도전막, 상기 제 1 도전막 상부에 형성되는 케미컬 베리어층 및 상기 케미컬 베리어층 상부에 형성되는 제 2 도전막으로 구성되는 하부 전극, 상기 하부 전극 표면에 형성되는 유전막, 및 상기 유전막 표면에 형성되는 상부 전극을 포함한다. 상기 케미컬 베리어층은 상기 제 1 및 제 2 도전막과 서로 다른 물질이며, 상기 제 1 및 제 2 도전막의 두께보다 얇은 두께를 갖는다.
케미컬 베리어층, 하부 전극, TiN, MIM

Abstract translation: 公开了一种MIM电容器及其制造方法，其能够防止位于下电极下端的膜在用于形成下电极的湿蚀刻工艺期间的损失。 本发明的MIM电容器包括由第一导电膜，形成在第一导电膜上的化学阻挡层和形成在化学阻挡层上的第二导电膜构成的下电极， 并且在电介质膜的表面上形成上部电极。 化学屏障层是与第一和第二导电层不同的材料并且具有比第一和第二导电层的厚度小的厚度。

公开(公告)号：KR1020060019011A

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020040067433

申请日：2004-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재형 ,  정정희 ,  유차영 ,  김영선 ,  박영근 ,  남갑진 ,  김성태 ,  오세훈 ,  정은애 ,  최한메 ,  이승환 ,  최정식

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L29/92 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

Abstract: 유전막의 결정화로 인한 누설 전류를 방지할 수 있는 MIM 캐패시터 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 MIM 캐패시터는, 금속 물질로 된 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성되는 유전막, 상기 유전막 상부에 형성되는 금속 물질로 된 상부 전극을 포함한다. 상기 유전막은 그 내부에 상기 유전막과 상이한 물질로 된 결정화 방지막을 포함한다.
결정화 방지막, ALD, 하프늄 산화막, 알루미늄 산화막, 티타늄 질화막, 누설 전류

公开(公告)号：KR100505675B1

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：KR1020030012326

申请日：2003-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원석준 ,  정정희 ,  정용국 ,  오세훈 ,  권대진 ,  유차영

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L28/91

Abstract: 전극 표면에 대한 다단계 습식 처리 과정을 도입한 커패시터 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 관점에 의한 방법은, 커패시터의 하부 금속 전극을 형성하고, 하부 금속 전극 표면에 원하지 않게 존재할 수 있는 표면 산화층을 제거하기 위해 불산(HF) 또는/및 랄(LAL)을 포함하는 식각액으로제1습식 처리하고, 제1습식 처리 단계에 사용되는 식각액과 다른 식각액을 사용하여 원하지 않게 존재할 수 있는 표면 유기물을 제거하기 위해서 황산(H
2 SO
4 ) 또는 오존수를 포함하는 식각액으로 제2습식 처리한다. 하부 금속 전극 상에 고유전 물질로 유전막을 형성하고, 상부 금속 전극을 형성하여 커패시터를 완성한다.

公开(公告)号：KR100487563B1

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：KR1020030027556

申请日：2003-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오세훈 ,  김성태 ,  유차영 ,  정정희 ,  최재형 ,  최정식

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897

Abstract: 누설전류를 억제할 수 있는 반도체 소자 및 그 형성 방법이 개시된다. 이 반도체 소자는 주변회로 영역에서 저항소자의 일부분과 접속하는 차례로 적층된 오믹층과, 메탈콘택플러그에 비해 단차가 매우 낮은 패드콘택플러그를 구비하되 상기 오믹층과 상기 패드콘택플러그는 셀 어레이 영역에 위치하는 커패시터보다 낮은 층에 형성된다. 따라서, 후속공정에서 셀 어레이 영역에서 커패시터와 같은 여러 소자를 형성한 다음에 주변회로 영역에서 메탈콘택플러그를 형성하더라도 셀 어레이 영역의 여러 소자들이 열화되지 않는다.

公开(公告)号：KR1020040108222A

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：KR1020030039128

申请日：2003-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재형 ,  정정희 ,  유차영 ,  조남면 ,  최정식 ,  오세훈 ,  박동균

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91

Abstract: PURPOSE: An MIM(Metal-Insulator-Metal) capacitor and a manufacturing method thereof are provided to form a lower electrode made of metal on a conventional polysilicon contact plug without the increase of contact resistance and leakage current by improving the structure and composition of the lower electrode. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(110) is formed on a semiconductor substrate(100). A contact plug(120) made of polysilicon is formed in the interlayer dielectric. A lower electrode(200) is formed on the contact plug via a transition metal silicide layer(170). The lower electrode includes a bottom portion(B) for contacting electrically the contact plug and a sidewall portion(A) prolonged vertically from the bottom portion. A main frame of the lower electrode is a first nitride containing transition metal film(180). A transition metal film(160) and a second nitride containing transition metal film(155) are added to the sidewall portion, so that the thickness of the sidewall portion is larger than that of the bottom portion.

Abstract translation: 目的：提供一种MIM（金属 - 绝缘体 - 金属）电容器及其制造方法，以在常规多晶硅接触插塞上形成由金属制成的下电极，而不增加接触电阻和漏电流，通过改善其结构和组成 下电极。 构成：在半导体衬底（100）上形成层间电介质（110）。 在层间电介质中形成由多晶硅制成的接触插塞（120）。 经由过渡金属硅化物层（170）在接触塞上形成下电极（200）。 下部电极包括用于使接触塞电接触的底部（B）和从底部垂直延伸的侧壁部分（A）。 下电极的主框架是含有第一氮化物的过渡金属膜（180）。 过渡金属膜（160）和含有第二氮化物的过渡金属膜（155）被添加到侧壁部分，使得侧壁部分的厚度大于底部的厚度。

公开(公告)号：KR1020040003127A

公开(公告)日：2004-01-13

申请号：KR1020020037487

申请日：2002-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤정 ,  이승환 ,  정정희 ,  김성태 ,  김영선 ,  여재현

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: An MIM(Metal Insulator Metal) capacitor having a capping layer and a manufacturing method thereof are provided to be capable of reducing the contact resistance of the capacitor and simultaneously protecting an upper electrode when carrying out a metal line contact process. CONSTITUTION: A lower electrode(110) is formed at the upper portion of a semiconductor substrate(100). A ferroelectric layer(120) is formed at the upper portion of the lower electrode. An upper electrode(130) containing metal is formed at the upper portion of the ferroelectric layer. A polysilicon capping layer(150) is formed at the upper portion of the resultant structure. Preferably, the polysilicon capping layer is formed by supplying silicon gas under predetermined gas atmosphere. Preferably, the predetermined gas is inert gas.

Abstract translation: 目的：提供一种具有覆盖层的MIM（金属绝缘体金属）电容器及其制造方法，能够降低电容器的接触电阻，同时在进行金属线接触处理时保护上部电极。 构成：在半导体衬底（100）的上部形成下电极（110）。 在下电极的上部形成铁电体层（120）。 在铁电体层的上部形成含有金属的上部电极（130）。 在所得结构的上部形成多晶硅覆盖层（150）。 优选地，通过在预定气体气氛下供应硅气体来形成多晶硅覆盖层。 优选地，预定气体是惰性气体。

公开(公告)号：KR1020030078394A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：KR1020020017426

申请日：2002-03-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기철 ,  김성태 ,  김영선 ,  정정희 ,  김완돈 ,  이윤정 ,  최한메

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/65

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor memory device is provided to be capable of reducing the contact resistance of a capacitor and preventing attack of oxygen into an upper electrode when depositing a capping layer. CONSTITUTION: A method comprises the following steps of forming a capacitor(150) composed of a lower electrode(120), a dielectric film(130) and an upper electrode(140), forming a capping layer on the capacitor, and crystallizing the dielectric film(130). The step of forming the capping layer further includes the following sub-steps of preparing the deposition conditions, depositing the capping layer by supplying reaction sources, and purging the non-reaction gases.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体存储器件的方法，其能够降低电容器的接触电阻，并且当沉积覆盖层时防止氧气进入上部电极。 构成：一种方法包括形成由下电极（120），电介质膜（130）和上电极（140）构成的电容器（150）的步骤，在电容器上形成覆盖层，并使电介质 膜（130）。 形成封盖层的步骤还包括以下准备沉积条件的子步骤，通过供应反应源沉积封盖层和清洗非反应气体。

公开(公告)号：KR100393209B1

公开(公告)日：2003-07-31

申请号：KR1020010002960

申请日：2001-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정정희 ,  박인성 ,  여재현

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/18 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31683 ,  H01L28/90

Abstract: An integrated circuit capacitor is manufactured by forming a lower electrode on a substrate and forming a metal preprocessed layer on the lower electrode using chemical vapor deposition in which a metal precursor is used as a source gas and the metal precursor comprises oxygen. A dielectric layer is then formed on the metal preprocessed layer and an upper electrode is formed on the dielectric layer. The metal preprocessed layer may reduce oxidation of the lower electrode due to oxygen supplied during formation of the dielectric layer.

Abstract translation: 集成电路电容器通过在基板上形成下电极并使用化学气相沉积在下电极上形成金属预处理层来制造，其中使用金属前体作为源气体并且金属前体包含氧。 然后在金属预处理层上形成介电层，并在介电层上形成上电极。 金属预处理层可以减少由于在形成电介质层期间供应的氧而引起的下电极的氧化。

公开(公告)号：KR1020020008928A

公开(公告)日：2002-02-01

申请号：KR1020000041920

申请日：2000-07-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정정희

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

Abstract: PURPOSE: A photosensitive polymer for an electron beam and a resist composition for chemically amplified electron beam are provided, which are improved in the sensitivity, the resolution and the dry etching resistance and can be patterned by using common developing solution. CONSTITUTION: The polymer is represented by the formula 1, wherein X is cyano group, nitro group, a halogen atom, an alkoxy group or a thioalkyl group; and R is an aliphatic cyclic hydrocarbon group. The weight average molecular weight of the polymer is 3,000-100,000. Preferably R is the following formulas 2 and 3. In the formula 1, l/(l+m+n) = 0.27-0.3, m/(l+m+n) = 0.3-0.37, and n/(l+m+n) = 0.3-0.37. The resist composition comprises 100 parts by weight of the polymer of the formula 1; 1-20 parts by weight of a photoacid generator; and optionally 0.01-2 wt% of an organic base.

Abstract translation: 目的：提供用于电子束的光敏聚合物和用于化学放大电子束的抗蚀剂组合物，其在灵敏度，分辨率和耐干蚀刻性方面得到改进，并且可以通过使用普通的显影液进行图案化。 构成：聚合物由式1表示，其中X为氰基，硝基，卤素原子，烷氧基或硫代烷基; R为脂肪族环状烃基。 聚合物的重均分子量为3,000-100,000。 优选地，R是下式2和3.在式1中，l /（1 + m + n）= 0.27-0.3，m /（1 + m + n）= 0.3-0.37，和n /（1 + + n）= 0.3-0.37。 抗蚀剂组合物包含100重量份的式1的聚合物; 1-20份重量的光酸产生剂; 和任选的0.01-2重量％的有机碱。

公开(公告)号：KR1020000010320A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019980031191

申请日：1998-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정정희 ,  남동석

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757

Abstract: PURPOSE: A resist constituent is provided to perform a top surface imaging process by a small dose of exposure energy and form a pattern by a photolithography process using existing equipment in a short time. CONSTITUTION: The resist constituent is composed of a polymer comprising aromatic group hydrocarbon, of which an average molecular weight is 3000 to 7000. Alternatively, the constituent is composed of a photo acid generator of 1 to 20 weight percent on the standard of the polymer weight. The constituent is coated on a wafer, exposed by the top surface imaging process, and developed using a sililation reagent.

Abstract translation: 目的：提供抗蚀剂成分以通过小剂量的曝光能进行顶表面成像处理，并通过在短时间内使用现有设备的光刻工艺形成图案。 构成：抗蚀剂成分由包含平均分子量为3000〜7000的芳香族烃的聚合物构成。或者，该成分由聚合物重量标准为1〜20重量％的光酸发生剂 。 将组分涂覆在晶片上，通过顶表面成像工艺曝光，并使用硅烷化试剂显影。