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公开(公告)号：KR1020140108940A
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020130022858
申请日：2013-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464
Abstract: The present invention provides an image sensor and a manufacturing method thereof. The image sensor according to the embodiment of the present invention includes a substrate, a photoelectric conversion unit which is formed on the substrate, a gate electrode which is arranged on the photoelectric conversion unit, and a pixel separating unit which is arranged on the substrate and separates pixel regions. The pixel separating unit to separate the pixel regions includes a deep device isolation film and a channel stop region.
Abstract translation: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。 根据本发明的实施例的图像传感器包括基板，形成在基板上的光电转换单元，布置在光电转换单元上的栅电极和布置在基板上的像素分离单元， 分离像素区域。 用于分离像素区域的像素分离单元包括深度器件隔离膜和通道停止区域。
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公开(公告)号：KR1020140105970A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130019826
申请日：2013-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: The present invention relates to an image sensor and a method of forming the same. The image sensor according to one embodiment of the present invention includes a device isolation layer and a channel stop region. According to one embodiment of the present invention, the device isolation layer includes a pixel separation part which separates each pixel region.
Abstract translation: 图像传感器及其形成方法技术领域本发明涉及一种图像传感器及其形成方法。 根据本发明的一个实施例的图像传感器包括器件隔离层和通道停止区域。 根据本发明的一个实施例，器件隔离层包括分离每个像素区域的像素分离部分。
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公开(公告)号：KR101393312B1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020080045060
申请日：2008-05-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3418 , G11C16/3427
Abstract: 채널 부스팅을 이용하지 않고 신뢰성 있게 동작 가능한 비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법이 제공된다. 낸드 -타입의 비휘발성 메모리 소자는 복수의 비트 라인들 및 복수의 워드 라인들에 결합된 복수의 메모리 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 비트 라인들 가운데 프로그램을 위한 선택 비트 라인과 프로그램 방지를 위한 비선택 비트 라인들을 설정한다. 상기 복수의 워드 라인들 가운데 스트링 선택 라인에 최인접한 워드 라인을 포함하는 적어도 하나의 방지 워드 라인에 방지 전압을 인가한다. 상기 복수의 워드 라인들 가운데 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가한다. 이에 따라, 상기 복수의 메모리 트랜지스터들 가운데 상기 비선택 비트 라인들 내의 메모리 트랜지스터들의 프로그램을 방지하면서 상기 선택 비트 라인 내의 상기 선택된 워드 라인에 결합된 메모리 트랜지스터를 프로그램할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101124505B1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：KR1020050131879
申请日：2005-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , D01F9/127 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00 , Y10T428/2918
Abstract: 유기금속 화학증착법에 의해 450℃ 이하의 저온에서 카본파이버를 성장시킬 수 있는 카본파이버의 저온성장 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 카본파이버의 제조방법은, 반응챔버 내에 기판을 장착한 후, 상기 기판을 가열하여 200℃ 내지 450℃ 온도범위로 유지하는 단계, 니켈(Ni) 원소를 포함하는 유기금속 화합물을 준비하는 단계, 상기 유기금속 화합물을 기화시켜 유기금속 화합물 증기를 제조하는 단계, 상기 반응챔버 내에 상기 유기금속 화합물 증기와 오존(O
3 )을 포함하는 반응가스를 공급하여 이들을 화학반응시킴으로써, 상기 기판 상에 카본파이버를 성장시키는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020110050351A
公开(公告)日：2011-05-13
申请号：KR1020100083681
申请日：2010-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14689
Abstract: PURPOSE: An image sensor is provided to improve the transfer speed of signal charge by forming a transfer transistor to have a surface channel, a side channel, and a buried channel. CONSTITUTION: In an image sensor, a deep well is provided in a semiconductor substrate(10). An element isolation region(15) includes an element isolation film made of an insulating material and also includes an element isolation impurity region. A photoelectric conversion unit is provided in the active region of the semiconductor substrate. A first photoelectric conversion unit(23) includes a first N-type impurity area(22). A second photoelectric conversion unit includes a second N-type impurity region(25).
Abstract translation: 目的：提供一种图像传感器，通过形成具有表面通道，侧通道和埋入通道的转移晶体管来提高信号电荷的传输速度。 构成：在图像传感器中，在半导体衬底（10）中提供深阱。 元件隔离区域（15）包括由绝缘材料制成的元件隔离膜，并且还包括元件隔离杂质区域。 在半导体基板的有源区域设置有光电转换单元。 第一光电转换单元（23）包括第一N型杂质区（22）。 第二光电转换单元包括第二N型杂质区（25）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110043867A
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：KR1020090100581
申请日：2009-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14641 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L2224/9212 , H01L2224/80896 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
Abstract: PURPOSE: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to obtain high performance and reduce the height of a structure by using a copper wire with low resistance. CONSTITUTION: A driving device is arranged on a first substrate. A first silicon oxide layer is formed on the first substrate and covers the driving device. A photoelectric conversion device is arranged on a second substrate(200a). A second silicon oxide layer covers the photoelectric conversion device and the surface of the second silicon oxide layer is bonded with the upper side of the first silicon oxide layer. A connection unit passes through the second substrate, the second silicon oxide layer, and the silicon oxide layer. An anti-reflection layer(238) is formed on the second surface of the second substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种图像传感器及其制造方法，以通过使用具有低电阻的铜线来获得高性能并降低结构的高度。 构成：驱动装置布置在第一基板上。 第一氧化硅层形成在第一基板上并覆盖驱动装置。 光电转换装置设置在第二基板（200a）上。 第二氧化硅层覆盖光电转换元件，第二氧化硅层的表面与第一氧化硅层的上侧接合。 连接单元通过第二基板，第二氧化硅层和氧化硅层。 在第二基板的第二表面上形成防反射层（238）。
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公开(公告)号：KR1020100053205A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080112221
申请日：2008-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L23/62
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1666 , H01L23/5252
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device is provided to increase the stability of a data storage layer by forming a reaction preventive layer between the data story layer and electrodes. CONSTITUTION: At least one vertical electrode(20) is arranged to cross at least one horizontal electrode(10). At least one data storage layer(30) is interposed in the area where the vertical electrode and the horizontal electrode cross each other. The data storage layer stores changes in resistance. At least one reaction preventive layer(40) is interposed in the area where the vertical electrode and the horizontal electrode cross each other. The reaction preventive layer includes a first reaction preventive layer(40a) and a second reaction preventive layer(40b). The first reaction preventive layer is interposed between the horizontal electrode and the data storage layer. The second reaction preventive layer is interposed between the vertical electrode and the data storage layer.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件，通过在数据故事层和电极之间形成反应预防层来提高数据存储层的稳定性。 构成：至少一个垂直电极（20）布置成与至少一个水平电极（10）交叉。 在垂直电极和水平电极彼此交叉的区域中插入至少一个数据存储层（30）。 数据存储层存储电阻变化。 在垂直电极和水平电极交叉的区域中插入至少一个反应防止层（40）。 反应防止层包括第一防反应层（40a）和第二防反应层（40b）。 第一反应防止层介于水平电极和数据存储层之间。 第二反应防止层介于垂直电极和数据存储层之间。
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公开(公告)号：KR1020090048877A
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020070114958
申请日：2007-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/00
CPC classification number: G11C16/10 , G11C2213/71
Abstract: 고집적화된 3차원 적층 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 신뢰성 있는 동작 방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자는 적층된 복수의 반도체층들을 포함한다. 복수의 낸드 스트링들은 상기 복수의 반도체층들 상에 각각 형성되고, 낸드-구조로 배치된 복수의 메모리셀들 및 하나 이상의 스트링 선택 트랜지스터를 각각 포함한다. 공통 비트 라인은 상기 복수의 메모리셀들 일측의 상기 복수의 낸드 스트링들에 공유로 연결된다. 공통 소오스 라인은 상기 복수의 메모리셀들 타측의 상기 복수의 낸드 스트링들에 공유로 연결된다. 복수의 스트링 선택 라인은 상기 공통 비트 라인으로 인가된 신호가 상기 복수의 낸드 스트링들에 선택적으로 인가되도록 상기 복수의 낸드 스트링들 각각의 상기 하나 이상의 스트링 선택 트랜지스터에 각각 결합된다.
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公开(公告)号：KR1020080069866A
公开(公告)日：2008-07-29
申请号：KR1020070007642
申请日：2007-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11206
Abstract: A nonvolatile memory device and methods for operating and fabricating the same are provided to deposit oxide based compound semiconductor layers so as to increase an integration degree of the device with a multiple structure and to divide/operate blocks simultaneously. A nonvolatile memory device(100) comprises at least one oxide based compound semiconductor layer(110), a plurality of assistant gate electrodes(130), a plurality of control gate electrodes(155), and a plurality of charge storage layers(145). The assistant gate electrodes are insulated from the oxide based compound semiconductor layer. The control gate electrodes are insulated from the oxide based compound semiconductor layer. The charge storage layers are placed between the oxide based compound semiconductor layers and the control gate electrodes respectively. A device isolation layer(120) is placed between the oxide based compound semiconductor layers. A substrate electrode(105) is contacted with lower parts of the oxide based compound semiconductor layers.
Abstract translation: 提供非易失性存储器件及其操作和制造方法以沉积氧化物基化合物半导体层，以增加具有多重结构的器件的集成度并同时分割/操作块。 非易失性存储器件（100）包括至少一个基于氧化物的化合物半导体层（110），多个辅助栅电极（130），多个控制栅电极（155）和多个电荷存储层（145） 。 辅助栅电极与氧化物基化合物半导体层绝缘。 控制栅电极与氧化物基化合物半导体层绝缘。 电荷存储层分别置于氧化物基化合物半导体层和控制栅电极之间。 在氧化物基化合物半导体层之间放置器件隔离层（120）。 基板电极（105）与氧化物基化合物半导体层的下部接触。
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公开(公告)号：KR100773564B1
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：KR1020060113041
申请日：2006-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 읽기 동작의 장애를 줄이고, 단채널 효과를 개선시킬 수 있는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자는 몸체 및 한 쌍의 핀들을 포함하는 반도체 기판을 포함한다. 브릿지 절연막은 한 쌍의 핀들 사이에 보이드를 한정하도록 한 쌍의 핀들의 상단 부근을 연결한다. 제어 게이트 전극은 보이드 반대편의 한 쌍의 핀들의 외측면의 일부분 상을 덮고 브릿지 절연막 상을 가로질러 신장하고, 반도체 기판과 절연된다. 게이트 절연막들은 제어 게이트 전극 및 한 쌍의 핀들 사이에 각각 개재된다. 스토리지 노드막들은 게이트 절연막 및 제어 게이트 전극 사이에 각각 개재된다.
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