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    입방형 탄화규소 완충막을 이용하여 규소 (100) 기질 위에양질의 산화마그네슘 막을 적층 성장시키는 방법
    51.
    发明公开
    입방형 탄화규소 완충막을 이용하여 규소 (100) 기질 위에양질의 산화마그네슘 막을 적층 성장시키는 방법 失效
    通过使用CUBIFORM硅碳化物缓冲层在硅（100）衬底上生长优异的氧化镁层的方法

    公开(公告)号：KR1020020011592A

    公开(公告)日：2002-02-09

    申请号：KR1020000044955

    申请日：2000-08-03

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김윤수 ,  이선숙 ,  이성용

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

    Abstract: PURPOSE: A method for growing an excellent magnesium oxide layer on a silicon (100) substrate by using a cubiform silicon carbide buffer layer is provided to stack magnesium oxide as a good-quality single crystalline layer in a direction of (100), by depositing the magnesium oxide layer after the cubiform silicon carbide buffer layer is formed on the silicon (100) substrate or a silicon (100) substrate which is deviated a little to a direction of (110). CONSTITUTION: After the cubiform silicon carbide buffer layer is grown on a silicon substrate, the magnesium oxide layer is deposited on the cubiform silicon carbide buffer layer. A silicon (100) surface which is cut at an angle of 4 and 6 degrees in the direction of (110) is used as the silicon substrate.

    Abstract translation: 目的：提供通过使用立方碳化硅缓冲层在硅（100）衬底上生长优异的氧化镁层的方法，以（100）的方向堆叠氧化镁作为优质单晶层，通过沉积 在硅（100）衬底上形成了立方碳化硅缓冲层之后的氧化镁层，或者向（110）方向偏移一点的硅（100）衬底。 构成：在硅衬底上生长立方碳化硅缓冲层之后，将氧化镁层沉积在立方碳化硅缓冲层上。 使用在（110）的方向上以4度和6度的角度切割的硅（100）表面作为硅衬底。

    갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법
    52.
    发明公开
    갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법 失效
    氮化镓单晶薄膜的制造方法

    公开(公告)号：KR1019950032727A

    公开(公告)日：1995-12-22

    申请号：KR1019940010611

    申请日：1994-05-16

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김향숙 ,  이선숙 ,  황진수 ,  정필조

    IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

    Abstract: 본 발명은 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법과 그 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, GaN)를 사파이어 단결정 표면에 헤테로에피탁시(heteroepitaxy)하게 단결정 박막으로 피복성장시키는 과정에 있어서, 별도에 알루미늄 금속원 공급 없이 사파이어의 결합자리에 질소원자를 치환시켜 알루미늄 나이트라이드(Aluminum Nitride, AiN)를 완충막으로 도입하고 그 위에 HVPE(Halide Vapor Phase Epitaxy)방법을 이용하여 결정결함이 적은 부르자이트형(wurtzite type)구조의 갈륨 나이트라이드 단결정 박막을 피복성장시키는 방법과 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조장치에 관한 것이다.

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