탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의한 탄소나노튜브 반도체 소자
    51.
    发明公开
    탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의한 탄소나노튜브 반도체 소자 失效
    生产碳纳米管半导体器件的方法和碳纳米管半导体器件

    公开(公告)号:KR1020080096126A

    公开(公告)日:2008-10-30

    申请号:KR1020070041154

    申请日:2007-04-27

    Abstract: A carbon nanotube is provided to be used as the channel of the semiconductor device because of having only semiconductive by removing metallic properties from the grown and formed carbon nanotube. The sensitivity of sensor is improved by improving properties of the semiconductor device. A catalyst accelerating growth of the carbon nanotube is introduced to the location in which the carbon nanotube is formed. The carbon nanotube is formed on the substrate treated by the catalysis. A surface modification agent is processed in the carbon nanotube and a metallic property is removed from the carbon nanotube. The surface modification agent comprises the electron affinity molecule. The electron affinity molecule is selected from nitronium, diazonium, pyrillium and irium.

    Abstract translation: 提供碳纳米管用作半导体器件的通道,因为通过从生长和形成的碳纳米管中除去金属性质而仅具有半导体性。 通过改善半导体器件的性能来提高传感器的灵敏度。 碳纳米管的促进生长的催化剂被引入形成碳纳米管的位置。 在通过催化处理的基板上形成碳纳米管。 在碳纳米管中处理表面改性剂,从碳纳米管除去金属性。 表面改性剂包括电子亲和分子。 电子亲和分子选自硝鎓,重氮,吡啶鎓和铱。

    황화수소 광분해용 가시광 금속산화물계 광촉매와, 상기가시광 촉매를 이용한 황화수소의 광분해반응으로 수소를제조하는 방법
    52.
    发明公开
    황화수소 광분해용 가시광 금속산화물계 광촉매와, 상기가시광 촉매를 이용한 황화수소의 광분해반응으로 수소를제조하는 방법 有权
    用于光催化降解氢硫化物的新型可见光金属氧化物光催化剂和使用光催化剂的可见光照射下的光催化剂生产方法

    公开(公告)号:KR1020070062620A

    公开(公告)日:2007-06-18

    申请号:KR1020050122216

    申请日:2005-12-13

    CPC classification number: B01J35/004 B01D53/88 B01J21/00 B01J23/00

    Abstract: Noble visible light metal oxide-based photocatalysts for photocatalytic decomposition of hydrogen sulfide, and a photocatalytic decomposition method of hydrogen sulfide, which produces hydrogen from hydrogen sulfide by activating the catalysts under visible lights, are provided. A visible light metal oxide-based photocatalyst for photocatalytic decomposition of hydrogen sulfide is represented by CdBiLaO4, SrV2MoO7, PbCrO4, CdBi2Ta2O9, CdAlBiO4, ZnFe2Ta2O9, SrTiBi4O9, or Ca2FeMo6. A method for photocatalytic decomposition of hydrogen sulfide comprises subjecting hydrogen sulfide to photocatalytic decomposition under visible lights using one or more metal oxides selected from CdBiLaO4, SrV2MoO7, PbCrO4, CdBi2Ta2O9, CdAlBiO4, ZnFe2Ta2O9, SrTiBi4O9, and Ca2FeMo6 as photocatalysts. The photocatalytic decomposition of hydrogen sulfide is conducted by applying a process system including a photocatalytic decomposition reaction part comprising a hydrogen sulfide gas(1), a gas flow controller(2), a light filter(3), an agitator(4), a xenon lamp(5), an infrared light filter(6) and a photoreactor(7), a generating gas collection part comprising an aqueous sodium hydroxide solution trap(8) and a liquid nitrogen trap(9), and a generated gas storing and analyzing part comprising a gas chromatography(10), a gas pump(11) and a hydrogen storage container(12).

    Abstract translation: 提供了用于硫化氢光催化分解的贵金属可见光金属氧化物基光催化剂,以及通过在可见光下活化催化剂从硫化氢产生氢的硫化氢的光催化分解方法。 用于光催化分解硫化氢的可见光金属氧化物基光催化剂由CdBiLaO4,SrV2MoO7,PbCrO4,CdBi2Ta2O9,CdAlBiO4,ZnFe2Ta2O9,SrTiBi4O9或Ca2FeMo6表示。 硫化氢的光催化分解方法包括使用一种或多种选自CdBiLaO4,SrV2MoO7,PbCrO4,CdBi2Ta2O9,CdAlBiO4,ZnFe2Ta2O9,SrTiBi4O9和Ca2FeMo6的金属氧化物作为光催化剂,在可见光下使硫化氢进行光催化分解。 通过应用包括含有硫化氢气体(1),气体流量控制器(2),光过滤器(3),搅拌器(4),光催化剂分解反应部分的光催化分解反应部分的工艺系统来进行硫化氢的光催化分解 氙灯(5),红外光过滤器(6)和光反应器(7),包含氢氧化钠水溶液收集器(8)和液氮捕集器(9)的发生气体收集部分, 分析部件包括气相色谱仪(10),气体泵(11)和氢气储存容器(12)。

    변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터
    53.
    发明授权
    변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터 失效
    具有SU-8抗蚀剂的碳纳米管晶体管涂覆在电极中

    公开(公告)号:KR100692916B1

    公开(公告)日:2007-03-12

    申请号:KR1020050057443

    申请日:2005-06-30

    Abstract: 본 발명은 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쉽게 패터닝이 가능한 네가티브 포토레지스트인 SU-8 을 탄소 나노튜브 트랜지스터의 전극부분에 코팅하여 탄소 나노튜브 트랜지스터에 안정적인 p 도핑을 유도하고, 바이오센서로 이용하기 위해 전극을 절연시킬 수 있도록 한 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것이다.
    이를 위해, 본 발명은 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터에 있어서,
    상기 전극에 포토레지스트, 저분자 자기조립막 및 기타 폴리머 중 어느 하나가 코팅되는 것을 특징으로 하는 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제공한다.
    SU-8 네가티브 포토레지스트, 탄소 나노튜브, 트랜지스터, 저분자 자기조립막, 폴리머

    티타니아 나노튜브의 제조방법
    54.
    发明授权
    티타니아 나노튜브의 제조방법 有权
    制备二氧化钛纳米管

    公开(公告)号:KR100664751B1

    公开(公告)日:2007-01-03

    申请号:KR1020040012210

    申请日:2004-02-24

    Abstract: 본 발명은 티타니아 나노튜브의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 티타니아를 알칼리 처리하여 용해시키고, 수차례의 수세 공정으로 알칼리 성분이 남아 있지 않은 상태에서 특정반응 조건으로 무기산 처리하여 숙성시키는 2단계 공정으로, 종래의 용해 및 숙성이 연속적으로 수행되는 알칼리 공정에 의한 나노튜브 제조법에 비해 산 숙성 공정을 도입하여 비표면적, 직경 및 길이의 제어가 가능하고, 큰 이방성(aspect ratio), 재현성, 균일성 및 강도 등에서 우수한 티타니아 나노튜브의 제조방법에 관한 것이다.
    알칼리, 수세, 무기산, 2단계 공정, 티타니아 나노튜브

    소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계금속 나노 졸의 미세라인 형성방법
    55.
    发明授权
    소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계금속 나노 졸의 미세라인 형성방법 有权
    用于喷墨法的表面改性ITO玻璃上的金属纳米溶胶微生物线的制备方法

    公开(公告)号:KR100620121B1

    公开(公告)日:2006-09-19

    申请号:KR1020040068606

    申请日:2004-08-30

    Abstract: 본 발명은 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양이온 고분자 전해질 또는 비이온성 계면활성제를 사용한 적층기법(layer-by-layer)에 의하여 소수성 기판을 개질하여 친수화 시킴으로써 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제 처리하여 제조한 100 ㎚ 이하 크기의 고농도 수계 금속나노 졸을 이용하여 직접 잉크젯 기법으로 기판상에 미세라인을 형성할 수 있도록 한 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것이다.
    고분자 전해질, 금속 나노 졸, 표면개질제, 소수성 기판

    구상 성형체의 제조 방법
    56.
    发明授权
    구상 성형체의 제조 방법 有权
    珠生产方法

    公开(公告)号:KR100577355B1

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:KR1020040027592

    申请日:2004-04-21

    Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의하면 구의 직경의 조절이 용이하여 직경이 1 ㎜ 이하인 구상 성형체를 제조할 수 있고, 오일상에 분산 후 겔화에 의하여 고화시키므로 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 성형할 수 있으며, 상기 겔화에 의하여 강도가 부여된 구를 하소 및 소결을 거쳐 밀도 및 강도가 높은 구상 성형체를 용이하게 대량으로 제조할 수 있다.
    구상 성형체, 수계 슬러리, 겔화, 고화

    구상 성형체의 제조 방법
    57.
    发明授权
    구상 성형체의 제조 방법 有权
    制造球形体的方法

    公开(公告)号:KR100576801B1

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:KR1020040027593

    申请日:2004-04-21

    Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 중합개시제와 계면활성제를 포함하는 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의하면 기존과는 달리 수계 슬러리가 아닌 오일상에 중합개시제와 계면활성제를 주입한 후 수계 슬러리를 분산시킴으로써, 오일상에 분산시키기 전 수계 슬러리의 저장시간이 길어져서 제조공정 중 불안요인이 제거되며, 상기 수계 슬러리의 겔화 방지를 위한 저온 제어장치가 필요없어 공정설비의 단순화를 달성할 수 있고, 전체적인 공정의 제어가 용이하면서, 제조된 구가 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 단시간에 성형할 수 있는 효과가 있다.
    구상 성형체, 수계 슬러리, 겔화

    Abstract translation: 本发明涉及一种生产球形模制品,和更具体地说,涉及一种陶瓷或金属粉末的方法包括将所述含水浆料(浆料)聚合引发剂和在制造表面活性剂,和水浆的高浓度分散在有机基团的单体溶液 通过将球状液滴均匀地分散在油相上而产生球状液滴,通过凝胶化而赋予强度,煅烧并烧结球状液滴,从而制造球状液滴的工序。

    팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서
    58.
    发明公开
    팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서 无效
    氢气传感器使用铂包覆碳纳米管

    公开(公告)号:KR1020050039016A

    公开(公告)日:2005-04-29

    申请号:KR1020030074363

    申请日:2003-10-23

    Abstract: 본 발명은 팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수소를 선택적으로 흡착하여 해리시키는 촉매 금속인 팔라듐을 탄소 나노튜브 표면에 코팅하고 이를 수소센서의 전극 사이에 위치시킨 것으로써, 팔라듐이 수소분자를 수소원자로 해리시키고, 이때 해리된 수소원자가 탄소 나노튜브 표면에 흡착되면서 전자가 수소에서 탄소 나노튜브로 이동되어 탄소 나노튜브의 정공 (hole) 농도를 감소시키고 동시에 탄소 나노튜브의 전기전도도를 감소시켜 효과적이면서 고감도로 수소가스를 검출할 수 있는 팔라듐이 코팅된 탄소 나노튜브 수소센서에 관한 것이다.

    그래핀 저온 전사방법
    60.
    发明公开
    그래핀 저온 전사방법 审中-实审
    石墨烯冷转移法

    公开(公告)号:KR1020170043472A

    公开(公告)日:2017-04-21

    申请号:KR1020160133143

    申请日:2016-10-13

    CPC classification number: B01J21/00 B01J23/00 H01B1/04 H01B5/14 C01B32/186

    Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用聚合物介导的石墨烯沉积方法制造其上具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板的方法; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征,以确定这增加了含有金属的层的表面能(上)石墨烯薄膜的含有金属的层的金属表面状况,并且确定用于含金属层改变到金属表面上确定的状态的条件。

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