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公开(公告)号：DE102017114369A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：DE102017114369
申请日：2017-06-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRICK PETER , GROETSCH STEFAN , SCHWALENBERG SIMON , WITTMANN MICHAEL
IPC: H01L33/58 , F21K9/60 , H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/60
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement weist einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Oberseite und einer Unterseite auf. An der Oberseite ist ein emittierender Bereich ausgebildet. Der emittierende Bereich ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Eine den emittierenden Bereich bildende Teilfläche der Oberseite ist kleiner als eine Gesamtfläche der Oberseite. Über dem emittierenden Bereich ist ein kollimierendes optisches Element angeordnet.
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公开(公告)号：DE102016116744A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：DE102016116744
申请日：2016-09-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRICK PETER , GROETSCH STEFAN
Abstract: Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement (1) mit einer Strahlungsquelle (2) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Sltrahlung, mit einer thermisch leitenden Schicht (3), wobei die thermisch leitende Schicht (3) über der Strahlungsquelle (2) angeordnet ist, mit einer Konversionsschicht (4), wobei die Konversionsschicht (4) eine Fläche und eine Dicke (8) aufweist, wobei die Konversionsschicht (4) ausgebildet ist, um eine-Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung zu verschieben, wobei die Konversionsschicht (4) über der thermisch leitenden Schicht (3) angeordnet ist, und wobei die Konversionsschicht (4) ausgebildet ist, um eine über die Fläche variierende wirksame Weglänge zum Verschieben der Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung aufzuweisen.
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公开(公告)号：DE102010033092A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：DE102010033092
申请日：2010-08-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SINGER FRANK , HAUG THOMAS DR , SAUERER ALEXANDER , LUCKNER HAGEN , GROETSCH STEFAN
IPC: F21V29/00
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Leuchtmoduls (1) weist dieses einen Kühlkörper (8) sowie eine Leiterplatte (3) und einen Träger (4) auf. An einer Trägeroberseite (40) ist einer oder sind mehrere optoelektronische Halbleiterchips (5) angebracht. Die Halbleiterchips (5) sind mit dem Träger (4) elektrisch verbunden. Mindestens eine Haltevorrichtung (7) liegt mittelbar oder unmittelbar an der Trägeroberseite (40) auf und drückt eine Trägerunterseite (45) an eine Kühlkörperoberseite (80) an. Der Träger (4) ist elektrisch mit der Leiterplatte (3) verbunden. Die Haltevorrichtung (7) ist von dem mindestens einen Halbleiterchip (5) elektrisch isoliert.
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公开(公告)号：DE102010026344A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：DE102010026344
申请日：2010-07-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： REILL JOACHIM , GROETSCH STEFAN , BOGNER GEORG
IPC: H01L33/62 , H01L25/075
Abstract: Es wird eine Leuchtdiode angegeben, umfassend – einen Träger (1) mit einer Montagefläche (11), und – zumindest zwei Leuchtdiodenchips (2), die zumindest mittelbar an der Montagefläche (11) am Träger (1) befestigt sind, wobei – der Träger (1) einen metallischen Grundkörper (12) umfasst, – eine Außenfläche (121) des metallischen Grundkörpers (12) die Montagefläche (11) umfasst, und – die zumindest zwei Leuchtdiodenchips (2) zueinander parallel geschaltet sind.
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公开(公告)号：DE102010024864A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：DE102010024864
申请日：2010-06-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RAMCHEN JOHANN , RACZ DAVID , GALLMEIER HANS-CHRISTOPH DR , GROETSCH STEFAN , JEREBIC SIMON
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen Träger (2) sowie mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der an einer Trägeroberseite (20) angebracht ist. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Bonddraht (4), über den der Halbleiterchip (3) elektrisch kontaktiert ist, sowie mindestens einen Abdeckkörper (5), der auf einer Strahlungshauptseite (30) angebracht ist und der den Bonddraht (4) überragt. Zumindest eine reflektierende Vergussmasse (6) umgibt den Halbleiterchip (3) in lateraler Richtung und reicht mindestens bis zu der Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3). Der Bonddraht (4) ist vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) oder vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) zusammen mit dem Abdeckkörper (5) überdeckt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102010012604A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：DE102010012604
申请日：2010-03-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LUTGEN STEPHAN DR , GROETSCH STEFAN
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform der Halbleiterlaserlichtquelle (1) umfasst diese einen Träger (2) sowie mindestens zwei Halbleiterlaser (3). Die Halbleiterlaser (2) sind an einer Trägeroberseite (20) angebracht. Die Halbleiterlaserlichtquelle (1) weist ferner mindestens eine optische Komponente (4) auf, die zumindest einem der Halbleiterlaser (3) in einer Abstrahlrichtung nachgeordnet ist. Über eine Abdeckung (5) sind die Halbleiterlaser (3) sowie die optische Komponente (4) in einem gemeinsamen Volumen (10) dicht gehaust. Abmessungen des Volumens (10), gesehen in drei orthogonalen Raumrichtungen, betragen jeweils höchstens 8 mm × 8 mm × 7 mm.
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公开(公告)号：DE502005011314D1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：DE502005011314
申请日：2005-12-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BOGNER GEORG , BRUNNER HERBERT , GROETSCH STEFAN , LEFRANC GUY
IPC: H01L23/473 , H01L23/427 , H01L23/467 , H01L33/64
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公开(公告)号：DE102009032253A1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：DE102009032253
申请日：2009-07-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL , GROETSCH STEFAN
Abstract: Es wird ein elektronisches Bauteil angegeben, mit - einem Grundkörper (100), der eine Oberseite (1A) sowie eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite (1B) aufweist, wobei der Grundkörper (100) an seiner Unterseite (1B) Anschlussstellen (A1, A2) aufweist, - einem elektronischen Bauelement (2), das an der Oberseite (1A) des Grundkörpers (100) am Grundkörper (100) angeordnet ist, wobei - der Grundkörper (100) zumindest eine Seitenfläche (3) aufweist, die zumindest eine Kontrollstelle (4) mit einem ersten Bereich (4A) und zweiten Bereich (4B) aufweist, wobei - der zweite Bereich (4B) als eine Einbuchtung (5) im ersten Bereich (4A) ausgebildet ist, - der erste (4A) und der zweite Bereich (4B) unterschiedliche Materialien enthalten.
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公开(公告)号：DE102009031147A1
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：DE102009031147
申请日：2009-06-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GROETSCH STEFAN , SABATHIL MATTHIAS , KOCUR SIMON , EBERHARD FRANZ
IPC: H01L33/00
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit - einem ersten, einem zweiten und einem dritten Halbleiterkörper (10, 20, 30) angegeben, die im Betrieb eine erste, zweite und dritte elektromagnetische Strahlung (11, 21, 31) in einem ersten, zweiten und dritten Wellenlängenbereich emittiert, - einem ersten Kantenfilter (41), der zwischen dem ersten Halbleiterkörper (10) und dem zweiten Halbleiterkörper (20) angeordnet ist, und - einem Spiegel (50), der an der dem zweiten Halbleiterkörper (20) abgewandten Seite des ersten Halbleiterkörpers (10) angeordnet ist.
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公开(公告)号：DE102009030549A1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：DE102009030549
申请日：2009-06-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GROETSCH STEFAN , KOCUR SIMON , SABATHIL MATTHIAS
Abstract: Es wird ein optisches Projektionsgerät angegeben, mit - einer ersten Lichtquelle (1), - einer zweiten Lichtquelle (2) und - einem bildgebenden Element (8), das im Betrieb von der ersten (1) und der zweiten Lichtquelle (2) ausgeleuchtet wird, wobei - die erste Lichtquelle (1) einen im Betrieb rotes Licht emittierenden Leuchtdiodenchip (11) umfasst und - die zweite Lichtquelle (2) einen ersten (21), im Betrieb grünes Licht und einen zweiten (22), im Betrieb blaues Licht emittierenden Leuchtdiodenchip umfasst, wobei der zweite Leuchtdiodenchip (22) an einer Strahlungsaustrittsfläche (212) des ersten Leuchtdiodenchips (21) auf dem ersten Leuchtdiodenchip (21) angeordnet ist, so dass im Betrieb im ersten Leuchtdiodenchip (21) erzeugte elektromagnetische Strahlung durch den zweiten Leuchtdiodenchip (22) tritt.
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