嵌入式薄层电容器、分层结构、及其制造方法

    公开(公告)号:CN1892934B

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN200610001500.2

    申请日:2006-01-19

    CPC classification number: H05K1/162 H01G4/10 H05K2201/0175 H05K2201/0179

    Abstract: 本发明涉及一种薄层电容器,其包括第一和第二金属电极层以及置于金属层之间的具有介电常数至少为15的基于BiZnNb(铋锌铌)的非晶体金属氧化物介电层,并且涉及一种具有其的分层结构。分层结构包括:第一金属电极层,形成在基于聚合物的复合衬底上;介电层,形成在第一金属电极层上,且由具有介电常数至少为15的基于BiZnNb的非晶体金属氧化物制成;以及第二金属电极层,形成在介电层上。本发明中的基于BiZnNb的非晶体金属氧化物在未经过用于结晶的热处理的情况下具有高介电常数,这对于制造基于聚合物的分层结构(例如PCB)的薄层电容器是有用的。

    电容器层形成材料及该电容器层形成材料的制造方法

    公开(公告)号:CN101164127B

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN200680013453.1

    申请日:2006-04-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供电容器层形成材料,其具有由溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中任意一种方法形成的介电层,能够减少电容器电路的漏电流。为了达成上述目的,采用在用于形成上部电极的第一导电层和用于形成下部电极的第二导电层之间具有介电层的电容器层形成材料,其特征是,该介电层是由溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意方法形成的氧化物介电膜,并在构成该氧化物介电膜的粒子之间浸渍树脂成分。另外,采用电容器层形成材料的制造方法,其特征是,在下部电极的构成材料表面,通过溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成氧化物介电膜,在该氧化物介电膜的表面浸渍树脂清漆,经树脂干燥、树脂固化形成介电层,然后在该介电层上设置上部电极构成层。

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