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公开(公告)号：KR1020130052175A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020110117471
申请日：2011-11-11
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B29C33/3807 , B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a multilayer nanostructure is provided to suppress photo reflection due to difference of refractivity between semiconductor material and air and to minimize damages by etching. CONSTITUTION: A manufacturing method of a multilayer nanostructure comprises a step of forming a polymer layer on the upper part of a substrate; a step of forming a photosensitive metal-organic material precursor layer and an imprint resin layer with Si or metal oxide nanoparticle in the upper part thereof. The imprint resin layer pressurizes the photosensitive metal-organic material layer by a stamp and forms a resin pattern layer or metal oxide thin film pattern layer by heating or light irradiation. An undercut is formed to expose the substrate, by etching one or more of the resin pattern layer, oxide thin film pattern layer, or polymer layer thereof. One or more layers of the resin pattern layer, oxide thin film pattern layer, or polymer layer thereof is formed on one or more upper part of the substrate. A nanostructure(100) is obtained by lifting off one or more of the metal, metal oxide, fluoride, nitride, or sulfide film, by solvent.
Abstract translation: 目的：提供一种多层纳米结构的制造方法，以抑制由于半导体材料与空气之间的折射率差异引起的光反射，并且通过蚀刻使损伤最小化。 构成：多层纳米结构体的制造方法包括在基板的上部形成聚合物层的工序; 在其上部形成感光金属 - 有机材料前体层和用Si或金属氧化物纳米颗粒的压印树脂层的步骤。 压印树脂层通过印模对感光性金属有机材料层进行加压，通过加热或光照射形成树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层。 通过蚀刻树脂图案层，氧化物薄膜图案层或其聚合物层中的一个或多个，形成底切以暴露基底。 树脂图案层，氧化物薄膜图案层或其聚合物层的一层或多层形成在基板的一个或多个上部上。 通过溶剂提取一种或多种金属，金属氧化物，氟化物，氮化物或硫化物膜来获得纳米结构（100）。
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公开(公告)号：KR101143477B1
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：KR1020110008711
申请日：2011-01-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42
Abstract: PURPOSE: An organic solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve solar cell efficiency by increasing an interfacial area of an electron donor layer and an electron accepting layer by adding a regular pattern to PN junction. CONSTITUTION: An anode(120) is formed on a transparent substrate(110). A regular pattern(123) is formed on an upper side of the anode. An electron accepting layer(130) is formed on the anode. A regular pattern(133) is formed on an upper side of the electron accepting layer. An electron donor layer(140) is formed on the electron accepting layer. A cathode(150) is formed on the electron donor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种有机太阳能电池及其制造方法，通过向PN结添加规则图案，通过增加电子供体层和电子接受层的界面面积来提高太阳能电池的效率。 构成：阳极（120）形成在透明基板（110）上。 在阳极的上侧形成规则图案（123）。 在阳极上形成电子接受层（130）。 在电子接受层的上侧形成规则图案（133）。 在电子接受层上形成电子给体层（140）。 在电子给体层上形成阴极（150）。
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公开(公告)号：KR102199166B1
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：KR1020180161483
申请日：2018-12-14
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/0328 , H01L31/0216
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 에피성장용기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층에메사에칭을진행하여상기반도체층을복수개의단위반도체층셀로분리하는제2단계와, 각단위반도체층셀의상부에제1전극, 메사영역에제2전극을형성하고, 상기반도체층의측면을절연하기위한절연층을형성하는제3단계와, 상기제1전극및 제2전극, 상기절연층이형성된단위반도체층셀 전면(total surface)에유연기판을형성하는제4단계와, 상기유연기판에상기제1전극및 제2전극에대응하는영역에상하로관통하는전극연결부를형성하는제5단계와, 상기전극연결부에전도성재료를충진시키는제6단계와, 상기에피성장용기판을상기반도체층으로부터박리시키고, 공정용임시기판을상기유연기판에부착시키는제7단계와, 상기단위반도체층셀의캡 에칭(cap etching) 및 ARC(anti-reflection coating) 공정을수행한후 각단위반도체층셀을분리하고, 상기공정용임시기판을분리하는제8단계를포함하는것을특징으로하는후면전극태양전지의제조방법및 이에의해제조된후면전극태양전지그리고이를이용한후면전극태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해태양전지의후면에제1전극및 제2전극이동시에위치하는후면전극태양전지를제공하며, 와이어본딩공정등이전혀필요치않아공정을단순화시키고, 전극간 연결부위가안정적으로이루어지도록하여생산성및 내구성을향상시키는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101796012B1
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：KR1020160036143
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에경화성수지층을형성하는제2단계와, 상기경화성수지층을패터닝하고경화하여, 홀패턴이구비된플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기홀패턴내부에후면전극을형성시키는제4단계와, 상기벌크기판을제거하는제5단계와, 상기반도체층하부에전면전극을형성하는제6단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지그리고이를이용한플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은홀패턴이구비된플렉시블기판을적용하여플렉시블기판사용시문제되는전기적및 열적특성을향상시켜태양전지의성능을개선시킬수 있도록하였으며, 이러한홀패턴이구비된플렉시블기판을사용한플렉시블태양전지는직렬로연결하여모듈형태로사용할시에후면전극연결문제를해결하고, 무게를획기적으로줄일수 있는초경량플렉시블태양전지또는초경량플렉시블태양전지모듈을제공할수 있는이점이있다.
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65.发明公开전도성 기판을 갖는 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈 有权生产具有的导电性基板，因此通过使用相同的制备的柔性太阳能电池和柔性太阳能电池模块的柔性太阳能电池
公开(公告)号：KR1020170113798A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160036148
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/049 , H01L31/0236 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/049 , H01L31/1892
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에후면전극을형성하는제2단계와, 상기후면전극상부에홀패턴이구비된플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기벌크기판을제거하는제4단계와, 상기반도체층하부에전면전극을형성하는제5단계와, 상기홀패턴내부에전도성재료를충진시키는제6단계및 상기전도성재료가홀패턴에충진된플렉시블기판전면에금속백시트를형성하는제7단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는전도성기판을갖는플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지그리고이를이용한플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은홀패턴이구비된플렉시블기판을사용하고, 상기홀패턴에전도성재료를충진하여사용함으로써, 플라스틱재료의유연성과전도성재료의전도성을융합시킨전도성을갖는플렉시블기판을적용하여, 기존플렉시블기판사용시문제되는전기적및 열적특성을향상시켜태양전지의성능을개선시키고, 이러한홀패턴이구비된플렉시블기판을사용한플렉시블태양전지는직렬로연결하여모듈형태로사용할시에후면전극연결문제를해결하고, 무게를획기적으로줄일수 있는초경량플렉시블태양전지또는초경량플렉시블태양전지모듈을제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种形成的制造方法，并且在体衬底上形成半导体层的第一步骤背接触，该半导体层的上方涉及由此制造的柔性太阳能电池的柔性太阳能电池的第二步骤中， 其中，所述背接触顶部的第三步骤的所述第四步骤，以形成具有孔图案的柔性基板，在去除体衬底，并在半导体层中形成的正面电极的下部的第五步骤中，内部的孔图案 制造柔性太阳能电池的制造方法具有第六步骤，和所述导电材料以填充具有导电性基板，其包括形成在柔性基板上的金属背片上填充在孔图案的第七步骤所述导电材料 并且由此制造的柔性太阳能电池和使用其的柔性太阳能电池模块。 这种做发明是应用柔性衬底上，以及通过填充所述孔图案的导电材料使用具有其使用设置有孔图案的柔性衬底上的导电性，并且结合了塑料材料的导电材料的柔韧性和电导率，现有 使用柔性基板时的问题，以改善太阳能电池的性能提高了电气和热性能，为模块化使用时使用所述柔性基板的柔性太阳能电池是这样的串联连接提供固定背面电极连接问题的孔图案 轻质柔性太阳能电池或超轻质柔性太阳能电池组件，可显着减轻重量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170073832A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150182202
申请日：2015-12-18
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은은 나노와이어를이용한나노패턴메탈메쉬구현공정방법및 이를이용한하이브리드메탈메쉬에관한것으로서, 상기방법은, 기판상에은 나노와이어를분산하고, 제1 임프린트레진을이용하여상기은 나노와이어의패턴을본 뜨는패턴형성단계; 상기제1 임프린트레진에형성된상기패턴을제2 임프린트레진으로찍어내상기패턴을포함한메탈몰드를형성하는단계; 및제3 임프린트레진을포함한투명기판상에, 상기메탈몰드의상기패턴을찍어패턴을형성하고, 스퀴징(Squeezing) 및열 경화(Thermal Curing) 공정을거쳐메탈메쉬를형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明是一种方法，使用一个纳米线纳米图案的金属网实现的过程，并使用相同的，所述方法包括涉及一种混合金属网：衬底上eeun和纳米线分散，使用纳米线的第一压印树脂sanggieun图案 图案形成步骤; 通过用第二压印树脂印刷形成在第一压印树脂上的图案来形成包括图案的金属模具; 并且通过在包括第三压印树脂的透明基板上形成金属模的图案并且对金属网进行挤压处理和热固化处理来形成图案。
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67.发明公开
公开(公告)号：KR1020160084966A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001431
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0047
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체및 그제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법및 그에의해제조된금속산화물복합구조체를기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间光光固化印刷法和光刻法制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 光固化印刷步骤，其中光固化在低于完全固化光敏金属 - 有机材料前体层并且高于其固化所需的临界剂量的剂量下的剂量下进行，并且使用具有第一图案的印记印模 以向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 以及将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，通过以不引起完全固化的剂量进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和降低工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
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公开(公告)号：KR101581437B1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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69.发明公开습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 ＩｎＧａＡｌＰ계 발광 다이오드의 제조방법 및 이에 의한 혼합패턴이 형성된 ＩｎＧａＡｌＰ계 발광 다이오드 无效因此，采用InGaAlP发光二极管的复合图案的制造方法使用湿式蚀刻和InGaAlP发光手电筒
公开(公告)号：KR1020150033318A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：KR1020130113166
申请日：2013-09-24
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22 , H01L21/3063
Abstract: 본발명은습식식각을통한혼합패턴의제조방법및 이를이용한광전자소자에관한것으로, 발광다이오드의제조방법에있어서, 기판상에제1도전형 InGaAlP층을형성하는단계, 상기제1도전형 InGaAlP층상에 InGaAlP 다중양자우물층을형성하는단계, 상기 InGaAlP 다중양자우물층상층에제2도전형 InGaAlP층을형성하는단계, 상기제2도전형 InGaAlP층상에포토레지스트패턴을형성하여 1차패턴을결정짓는마스크패턴층을형성하는단계, 상기마스크패턴층을마스크로하여습식식각을진행하여상기 1차패턴의모양에대응하여 2차패턴을형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는습식식각을통한혼합패턴이형성된 InGaAlP계발광다이오드의제조방법및 이에의해제조된혼합패턴이형성된 InGaAlP계발광다이오드를기술적요지로한다. 이에의해일반적인사진공정방법과습식식각으로두 가지이상의혼합된혼합패턴을제조함으로써, 하나의패턴또는표면거칠기로이루어지는광추출구조에비해우수한광추출구조를매우단순한공정으로제조할수 있어, 발광다이오드분야에널리용이하게적용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过湿蚀刻制造混合物图案的方法和使用其的光电子元件。 更具体地说，本发明涉及通过湿蚀刻制造具有混合图案的InGaAlP基发光二极管（LED）的方法和由其制造的混合图案的InGaAlP基LED。 通过湿蚀刻制造具有混合图案的InGaAlP基LED的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一导电型InGaAlP层; 在第一导电型InGaAlP层上形成InGaAlP多量子阱层; 在所述InGaAlP多量子阱层上形成第二导电型InGaAlP层，在所述第二导电型InGaAlP层上形成光致抗蚀剂图案，以形成确定第一图案的掩模图案层，并使用所述掩模图案层进行湿蚀刻 掩模，以形成对应于第一图案的形状的第二图案。 通过通过一般的光刻法和湿式蚀刻制造包括两种或更多种图案的混合图案，与包括单一图案或表面粗糙度的光提取结构相比，可以通过非常简单的工艺制造出优异的光提取结构，因此 ，本发明可广泛应用于LED领域。
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公开(公告)号：KR101450518B1
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020130119823
申请日：2013-10-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01J37/317 , H01J37/147
Abstract: The present invention relates to an electron beam lithography apparatus adjusting an electron beam focus in accordance to the type of substrate, and to a method to adjust focus of the same. According to the present invention, the method to adjust a focus of the electron beam lithography apparatus comprises the steps of: measuring the height of a substrate; regarding a height map showing measurement error of the measured height to adjust the measured height; and adjusting a focus of an electron beam irradiated in accordance to the adjusted height.
Abstract translation: 本发明涉及一种根据衬底的类型调整电子束聚焦的电子束光刻设备及其调整焦点的方法。 根据本发明，调整电子束光刻设备的焦点的方法包括以下步骤：测量衬底的高度; 关于高度图显示测量高度的测量误差，以调整测量的高度; 以及调整根据调节高度照射的电子束的焦点。
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