公开(公告)号：KR101572309B1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：KR1020130042823

申请日：2013-04-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  히시야가츠유키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: 기판처리장치는, 진공용기와, 상기진공용기내에설치되고, 원형의기판이적재되는동시에회전되는회전테이블이며, 표면에상기기판보다도직경이큰 원형의오목부가설치되고, 당해오목부내에는당해오목부및 상기기판보다도직경이작고, 상기오목부의저부보다도높은위치에설치된원형의기판적재부가설치되고, 당해기판적재부의중심이, 상기오목부의중심보다도상기회전테이블의외주부측에편심되어있는회전테이블과, 상기기판에대하여처리가스를공급하기위한처리가스공급부와, 상기진공용기내를진공배기하기위한진공배기기구를포함한다.

公开(公告)号：KR101561335B1

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：KR1020130014630

申请日：2013-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 진공용기내에서서로반응하는복수종류의처리가스를차례로공급하는사이클을복수회행하여, 반응생성물을적층함으로써기판에박막을성막하는성막장치이며, 회전테이블과, 제1 처리영역에제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급부와, 제2 처리영역에서기판에대해플라즈마처리를행하는제1 플라즈마처리부와, 상기제1 처리영역및 제2 처리영역의분위기를분리하기위해, 상기제1 처리영역및 제2 처리영역사이에형성된분리영역에분리가스를공급하는분리가스공급부를포함하고, 상기제1 플라즈마처리부는, 플라즈마를발생시키는플라즈마발생공간을구획형성하고, 하부에플라즈마의토출구가형성된제1 포위부분과, 상기플라즈마발생공간에제2 처리가스를공급하는제2 처리가스공급부와, 상기플라즈마발생공간의상기제2 처리가스를활성화하기위한활성화부와, 상기제1 포위부분의하방에설치된제2 포위부분을포함한다.

Abstract translation: 执行的多次循环供给处理气体的多个种在真空容器内相互进行反应，进而，是一种膜沉积的反应产物在基板上形成的薄膜形成装置，与旋转台，以及一第一工艺气体至该处理区域 和第一处理气体供给用于提供第二和第一等离子体处理单元，用于在处理区中，第一处理区和在所述基板上进行等离子体处理，以在第二处理区的气氛隔开，所述第一处理区 第二个是第一等离子体处理装置的等离子体放电开口，并且所述隔室形成等离子体生成空间用于产生等离子体，包括第二过程中的分离气体供给的分离气体的区域供给之间形成的分离区，并且形成在底 1个包围的部分，并且所述第二处理气体供给用于供给第二处理气体至等离子体生成空间，以使所述第二处理气体的活化在等离子体产生空间部 以及设置在第一环绕部分下方的第二环绕部分。

公开(公告)号：KR1020150056061A

公开(公告)日：2015-05-22

申请号：KR1020140158044

申请日：2014-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로 ,  고시미즈치시오 ,  야마와쿠준 ,  야마자와요헤이

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32651 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 고주파전원에접속되는주 안테나와, 당해주 안테나에대해전기적으로절연된 (플로팅상태의) 보조안테나를배치한다. 또한, 주안테나및 보조안테나를평면에서보았을때의각각의투영영역에대해, 서로겹치지않도록한다. 구체적으로는, 주안테나에대해, 보조안테나를회전테이블의회전방향하류측에배치한다. 그리고, 주안테나를통류하는유도전류를통해보조안테나에전자계를발생시킴과함께, 보조안테나를공진시켜, 주안테나의하방측의영역뿐만아니라, 보조안테나의하방측의영역에있어서도유도플라즈마를발생시킨다.

Abstract translation: 配置有与高频电源连接的主天线以及与主天线电绝缘（处于浮动状态）的辅助天线。 此外，当在平面处观察主天线和辅助天线时，每个投影区域被调整为不重叠。 更具体地，主天线设置在旋转台的旋转方向的下游侧。 然后，通过在主天线中流动的感应电流在辅助天线中产生电磁场，并且辅助天线被谐振以不仅在主天线的下部的区域中而且在主天线的区域中产生感应等离子体 辅助天线的下半部分。

公开(公告)号：KR1020140011989A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：KR1020130085368

申请日：2013-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention relates to a method for forming a thin film by repeating a step of supplying a treatment gas to a wafer while rotating a rotation table and forming a reactive layer; and a step of reforming the reactive layer using plasma. The present invention subsequently disconnects the supply of the treatment gas after the thin film is formed; and reforms the thin film by heating the wafer at a temperature higher than the temperature of the film using a heating lamp at the same time. [Reference numerals] (120) Heating lamp; (AA,CC,DD,EE) N_2 gas; (BB) Plasma generation gas

Abstract translation: 本发明涉及通过重复在旋转旋转台并形成反应层的同时向晶片供给处理气体的步骤来形成薄膜的方法; 以及使用等离子体重整反应层的步骤。 本发明随后在薄膜形成之后断开处理气体的供应; 并且通过使用加热灯同时在比膜的温度高的温度下加热晶片来改造薄膜。 （附图标记）（120）加热灯; （AA，CC，DD，EE）N_2气; （BB）等离子体产生气体

公开(公告)号：KR1020140005819A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：KR1020130078709

申请日：2013-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02233 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02565

Abstract: The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method. According to the embodiment of the present invention, the film forming apparatus includes a first process gas supply part; a second process gas supply part: a main heating unit of a separation region for preventing the mixture of a first and a second gas, and a sub heating unit. [Reference numerals] (100) Control unit; (110) Memory unit; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 本发明涉及成膜装置和成膜方法。 根据本发明的实施例，成膜设备包括第一工艺气体供应部分; 第二处理气体供给部：用于防止第一和第二气体的混合的分离区域的主加热单元和副加热单元。 （附图标记）（100）控制单元; （110）存储单元; （AA，BB，CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR1020140005817A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：KR1020130078706

申请日：2013-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  다무라다츠야 ,  기쿠치히로유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: According to the present invention, a film forming method includes adsorbing a silicon-containing gas to a substrate having a recess part by supplying the silicon-containing and forming a silicon oxide layer on the substrate by oxidizing the silicon-containing gas with an oxidation gas. Because a gas phase temperature in the upper part of the substrate to which the silicon-containing gas is supplied can be low by using an inert gas which is supplied from a separation region separating an oxidation gas supply part from a silicon-containing gas supply part even if the substrate is heated in a temperature which is higher than a temperature of decomposing the silicon-containing gas, the silicon-containing gas can be absorbed onto the substrate without decomposition in a gas phase. [Reference numerals] (100) Control part; (101) Memory part; (102) Medium; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 根据本发明，一种成膜方法包括：通过供给含硅并将含硅气体氧化成含氧气体的氧化气体，将含硅气体吸附在具有凹部的基板上，并在基板上形成氧化硅层 。 由于通过使用从分离氧化气体供给部分的分离区域与含硅气体供给部分供给的惰性气体，在供给含硅气体的基板的上部的气相温度低， 即使在高于分解含硅气体的温度的温度下加热基板，也可以将含硅气体吸收到基板上而不会在气相中分解。 （附图标记）（100）控制部; （101）记忆部分; （102）中等; （AA，BB，CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR1020130118265A

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：KR1020130042823

申请日：2013-04-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  히시야가츠유키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to prevent particles from being attached to a substrate and to suppress the degradation of a throughput. CONSTITUTION: A vacuum container (1) includes a ceiling plate (11) and a container body (12). A ring-shaped sealing member (13) is installed on the peripheral part of the upper surface of the container body. A rotary table (2) loads a circular substrate. A circular concave part with a diameter which is larger than the diameter of the circular substrate is installed on the surface of the rotary table. A substrate loading unit (23) is installed in the circular concave part. The diameter of the substrate loading unit is smaller than the diameters of the circular substrate and the circular concave part. A processing gas supply unit supplies processing gases to the circular substrate. [Reference numerals] (AA) Plasma generation gas; (BB,CC,DD,EE) Nitrogen (N_2) gas

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，以防止颗粒附着在基板上并抑制生产量的劣化。 构成：真空容器（1）包括顶板（11）和容器主体（12）。 环状密封件（13）安装在容器主体的上表面的周边部分上。 旋转台（2）装载圆形基板。 直径大于圆形基板的直径的圆形凹部安装在旋转台的表面上。 基板装载单元（23）安装在圆形凹部中。 基板装载单元的直径小于圆形基板和圆形凹部的直径。 处理气体供给单元向圆形基板供给处理气体。 （标号）（AA）等离子体产生气体; （BB，CC，DD，EE）氮（N_2）气体

公开(公告)号：KR1020130089607A

公开(公告)日：2013-08-12

申请号：KR1020130011848

申请日：2013-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for forming a film are provided to easily laminate a reaction product by repeating a cycle to successively supply various kinds of processing gases several times. CONSTITUTION: A rotary table (2) is installed in a vacuum container. The vacuum container includes a ceiling panel (11) and a container body. A separation gas supplying unit supplies a separation gas. A modifying gas supplying unit supplies a modifying gas to a modifying area. A first plasma generating unit (81) changes the modifying gas to plasma. [Reference numerals] (AA,BB,CC,DD) N2 gas

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的装置和方法，以便通过重复循环来容易地层叠反应产物，以连续地供应各种处理气体多次。 构成：旋转台（2）安装在真空容器中。 真空容器包括天花板（11）和容器主体。 分离气体供给单元供给分离气体。 改性气体供给单元将改性气体供给到改性区域。 第一等离子体产生单元（81）将改性气体改变为等离子体。 （标号）（AA，BB，CC，DD）N2气

公开(公告)号：KR1020130085990A

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：KR1020130005859

申请日：2013-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  기쿠치히로유키 ,  구마가이다케시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0206

Abstract: PURPOSE: A particle reduction method and a deposition method are provided to reduce particles generated from a concaved portion of a susceptor by efficiently removing quartz particles in a low surface of the concaved portion. CONSTITUTION: A vacuum container (1) is installed inside as an insulating material and a susceptor (2) on which a substrate loading portion on the surface is installed allowing rotation. A first gas is supplied to the vacuum container. A plasma is generated from the first gas supplying a high frequency to a plasma generation source installed to the vacuum container. A substrate loating part is exposed to the plasma in a state a substrate loading uit is exposed by rotation the susceptor. [Reference numerals] (100) Control unit; (101) Memory unit; (102) Medium; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 目的：提供一种降低粒子的方法和沉积方法，以通过有效地去除凹部的低表面中的石英颗粒来减少从基座的凹部产生的粒子。 构成：真空容器（1）作为绝缘材料安装在内部，并且其上安装有表面上的基板装载部分允许旋转的基座（2）。 向真空容器供给第一气体。 从提供高频的第一气体产生等离子体到安装在真空容器上的等离子体发生源。 衬底驻留部分在衬底加载的状态下通过转动感受器而暴露于等离子体。 （附图标记）（100）控制单元; （101）存储单元; （102）中等; （AA，BB，CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR100687948B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020060104509

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

Abstract translation: 气体加热步骤，将包含一氧化二氮的处理气体加热至不低于可形成氧氮化物膜的反应温度的温度; 并且将经加热的处理气体供应到反应室中以在待处理的物体上形成氧氮化物膜。 在反应室加热步骤中，反应室的加热温度设定为低于处理气体的反应温度。