公开(公告)号：KR101545738B1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：KR1020080136439

申请日：2008-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김노선 ,  오정민

IPC: H04W48/16 ,  H04B1/40 ,  H04W88/06

CPC classification number: H04W48/16 ,  H04W8/183 ,  H04W48/18 ,  H04W48/20 ,  H04W60/00

Abstract: 본발명은이동통신단말기에서네트워크스캔방법및 장치에관한것으로서, 가입자인증모듈카드를바탕으로 PLMN 리스트를구성하는과정과, 이전스캐닝결과검색된주파수와해당 PLMN의정보를데이터베이스에저장하는과정과, 상기 PLMN 리스트와상기데이터베이스를비교하는과정과, 상기비교결과에따라상기데이터베이스에포함된주파수에대해서만스캐닝을수행하거나전체주파수대역에대해스캐닝을수행하는과정을포함하여, 전류소모를최소화하면서빠른시간내에네트워크를검색할수 있다.

公开(公告)号：KR1020130007255A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110064867

申请日：2011-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤준호 ,  유영섭 ,  민경진 ,  최한메 ,  구봉진 ,  양상렬 ,  김기철 ,  우상윤 ,  한제우 ,  박태진 ,  오정민 ,  임종성 ,  장용문 ,  이지은

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L27/10852

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent material reaction between a sacrificial layer and a bottom electrode by forming a conformal silicide preventing layer in the inner wall of an opening part. CONSTITUTION: A sacrificial layer(151,153) and a support layer(152,154) are successively laminated on a composite layer(150). The composite layer is formed on a substrate(100). A plurality of opening passing through the composite layer are formed. The opening unit exposes a lower contact plug(130) via the composite layer and an etch stop layer(140). A bottom electrode(180) is formed in the plurality of opening parts. A part of a support layer and a part or the entire of the sacrificial layer are removed. A silicide preventing layer(170) is formed in the inner wall of the opening part.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过在开口部的内壁中形成保形硅化物防止层来防止牺牲层与底部电极之间的材料反应。 构成：牺牲层（151,153）和支撑层（152,154）依次层压在复合层（150）上。 复合层形成在基板（100）上。 形成穿过复合层的多个开口。 打开单元通过复合层和蚀刻停止层（140）暴露下接触塞（130）。 底部电极（180）形成在多个开口部分中。 支撑层的一部分和牺牲层的一部分或全部被去除。 在开口部的内壁形成硅化物防止层（170）。

公开(公告)号：KR1020120067403A

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：KR1020100128776

申请日：2010-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용진 ,  이근택 ,  이효산 ,  김영후 ,  이정원 ,  배상원 ,  오정민

IPC: H01L21/66 ,  B08B7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L27/108 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67023 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/31111 ,  H01L22/00 ,  H01L22/26 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02343 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and a substrate processing system for executing the same are provided to easily confirm the progress and end-point of a super-critical fluid process by analyzing concentration of target material within a discharged fluid in real time. CONSTITUTION: A substrate is loaded within a processing chamber(S110). A super-critical fluid process is executed by providing a supercritical fluid to the substrate. The super-critical fluid is discharged from the processing chamber during the super-critical fluid process(S120). A real-time concentration value of a target material included within the discharged super-critical fluid is measured(S140). An end-point of the super-critical fluid process is determined according to the real-time concentration value of the target material(S140).

Abstract translation: 目的：提供一种用于执行该基板处理方法和基板处理系统，以便通过实时分析排出流体中的目标材料的浓度来容易地确认超临界流体处理的进度和终点。 构成：将衬底装载在处理室内（S110）。 通过向基材提供超临界流体来执行超临界流体过程。 在超临界流体过程中超临界流体从处理室排出（S120）。 测量排出的超临界流体中包含的目标材料的实时浓度值（S140）。 根据目标材料的实时浓度值确定超临界流体处理的终点（S140）。

公开(公告)号：KR1020120028672A

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020100090665

申请日：2010-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정민 ,  이근택 ,  이효산 ,  김영후 ,  이정원 ,  배상원 ,  조용진

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same are provided to prevent a water spot from being generated on a substrate by drying a substrate by using a supercritical fluid in a state of controlling natural drying. CONSTITUTION: A substrate wet treatment apparatus(SWTA) performs wet processing by supplying a processing liquid to a substrate(W). A substrate dry treatment apparatus(SDTA) performs drying treatment by supplying a supercritical fluid to the substrate. A carrying means(STM) carries a cassette station(18) and the substrate. The carrying means includes substrate conveying members(TR1,TR2) and a cooling means supporting the substrate. The substrate conveying member is arranged accurately between the substrate wet treatment apparatus and the substrate dry treatment apparatus.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和使用其的基板处理方法，以防止在控制自然干燥的状态下通过使用超临界流体干燥基板而在基板上产生水斑。 构成：基板湿式处理装置（SWTA）通过向基板（W）供给处理液来进行湿式处理。 基板干燥处理装置（SDTA）通过向基板供给超临界流体来进行干燥处理。 携带装置（STM）携带盒式站（18）和基板。 承载装置包括基板输送构件（TR1，TR2）和支撑基板的冷却装置。 衬底输送构件精确地布置在衬底湿处理设备和衬底干燥处理设备之间。

公开(公告)号：KR100837325B1

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070001514

申请日：2007-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  부경대학교 산학협력단

Inventor： 이효산 ,  홍창기 ,  이근택 ,  한정남 ,  오정민 ,  심우관 ,  임권택 ,  황하수 ,  할디랄유바라즈 ,  정재목

IPC: H01L21/302

Abstract: 초임계 유체를 이용한 식각, 세정 및 건조 방법들 및 이를 위한 챔버 시스템을 제공한다. 이 방법은 식각 약품이 용해된 초임계 이산화탄소를 사용하여 물질막을 식각하는 단계 및 세정 약품이 용해된 초임계 이산화탄소를 사용하여 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020080043748A

公开(公告)日：2008-05-19

申请号：KR1020080031852

申请日：2008-04-04

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  부경대학교 산학협력단

Inventor： 이효산 ,  홍창기 ,  이근택 ,  한정남 ,  오정민 ,  심우관 ,  임권택 ,  황하수 ,  할디랄유바라즈 ,  정재목

IPC: H01L21/302

Abstract: A drying method using a supercritical fluid is provided to enhance productivity by using high reactivity of the supercritical fluid. A material layer is formed(S30). The material layer is processed by using water-soluble chemicals(S32). A wet-rinse process is performed(S33). The water-soluble chemicals are removed by using a supercritical fluid including a supercritical CO2 and a surface active agent(S34). A flushing process is performed by using the supercritical CO2(S35). The material layer is a silicon oxide layer. The process using the water-soluble chemicals includes a process for dipping the material layer into a chemical material including deionized water and fluorine melted in the deionized water.

Abstract translation: 提供使用超临界流体的干燥方法，以通过使用超临界流体的高反应性来提高生产率。 形成材料层（S30）。 通过使用水溶性化学品处理材料层（S32）。 进行湿式漂洗处理（S33）。 通过使用包括超临界CO 2和表面活性剂的超临界流体（S34）除去水溶性化学物质。 通过使用超临界CO 2进行冲洗处理（S35）。 材料层是氧化硅层。 使用水溶性化学品的方法包括将材料层浸入包括在去离子水中熔融的去离子水和氟的化学材料的方法。

公开(公告)号：KR1020080012635A

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：KR1020060073777

申请日：2006-08-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정민 ,  한정남 ,  홍창기 ,  이근택 ,  이효산 ,  이몽섭

IPC: H01L21/304

Abstract: A substrate drying method is provided to restrain generation of a water mark by sufficiently removing water remaining on a substrate. A substrate cleaned by using a cleaning solution containing deionized water is firstly rinsed by using a dry agent containing a first organic fluorine-based compound and alcohol(S10). The firstly rinsed substrate is secondly rinsed by using an organic fluorine-based compound solvent containing a second organic fluorine-based compound(S20). The organic fluorine-based compound solvent is a solvent from which water is removed. The alcohol is isopropyl alcohol, ethanol or methanol.

Abstract translation: 提供了一种基板干燥方法，通过充分去除残留在基板上的水分来抑制水痕的产生。 首先使用含有第一有机氟系化合物和醇的干燥剂对通过使用含有去离子水的清洗液进行清洗的基板进行清洗（S10）。 首先使用含有第二有机氟系化合物的有机氟系化合物溶剂对第一次冲洗的基材进行第二次冲洗（S20）。 有机氟系化合物溶剂是除去水的溶剂。 醇是异丙醇，乙醇或甲醇。

公开(公告)号：KR1020060054806A

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：KR1020040093632

申请日：2004-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 추대호 ,  강호민 ,  황재훈 ,  오정민

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133528 ,  G02F1/133723 ,  G02F1/133784

Abstract: 이너 편광자의 편광특성을 최적화하기 위한 기판 제조 방법 및 그 제조 시스템이 개시된다. 기판 제조 시스템은 코팅부 및 러빙부를 포함한다. 코팅부는 서로 다른 단차의 하지막을 갖는 기판 상에 이너 편광자층을 제1 방향으로 코팅한다. 러빙부는 이너 편광자층의 편광 분자들을 재배열하기 위해 제1 방향으로 러빙한다. 이에 따라, 코팅형 이너 편광소자의 형성시, 용액형 액정상의 이너 편광자 물질을 코팅하고, 수분 성분을 증발시킨 후 러빙 공정으로 이너 편광자 물질과 직접 콘택에 의한 물리적 전단 응력을 인가하여 물감 물질의 색선별 비율을 공정적으로 증가시켜 이너 편광자의 편광도, 투과도 및 편광자의 대비비를 개선할 수 있다.
액정, 러빙, 편광, 이너 편광자, 가열, 챔버

公开(公告)号：KR100414890B1

公开(公告)日：2004-01-13

申请号：KR1020010025409

申请日：2001-05-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정민 ,  김동빈 ,  이성희 ,  김병수

IPC: H01L21/78

CPC classification number: B28D5/0094 ,  B28D5/0064 ,  G05B2219/45031 ,  G05B2219/45044 ,  G05B2219/49075 ,  Y10T83/088 ,  Y10T83/089 ,  Y10T83/7763

Abstract: A wafer sawing apparatus comprises an electrically conductive chuck table surrounding a suction plate and tactile sensing lines formed on the upper surface of the suction plate. At least one end of each tactile sensing line is electrically connected to the table body. A controller controls the chuck table and a scribing blade. The controller is electrically connected to both elements. The controller comprises a tactile sensing unit connected to the table body for sensing contact of the scribing blade with the tactile sensing lines or the table body and an equipment stop unit for stopping the scribing blade. The controller further comprises a zero point adjusting unit for receiving a contact signal from the tactile sensing unit and for adjusting a zero point of the scribing blade, and a switching unit connecting the tactile sensing unit to the zero point adjusting unit or the equipment stop unit.

Abstract translation: 一种晶圆切割装置包括围绕吸盘的导电吸盘台和形成在吸盘上表面上的触觉感应线。 每个触觉感测线的至少一端电连接到台体。 控制器控制卡盘台和划线刀片。 控制器电连接到两个元件。 控制器包括连接到台体的触觉感测单元，用于感测划线刀片与触觉感测线或台体的接触以及用于停止划线刀片的设备停止单元。 控制器还包括零点调整单元，用于接收来自触觉感测单元的接触信号和用于调整划线刀片的零点，以及切换单元，将触觉感测单元连接到零点调整单元或设备停止单元 。

公开(公告)号：KR1020010113095A

公开(公告)日：2001-12-28

申请号：KR1020000033207

申请日：2000-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정민 ,  이창일 ,  선용균 ,  강현구

IPC: H01L23/08

CPC classification number: H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/16195

Abstract: 본 발명은 화상 인식에 사용되는 CCD 패키지(Charge Coupled Device)에 관한 것으로서, CCD 칩과, 공동(空洞)이 형성되어 있으며 CCD 칩이 공동에 위치하도록 실장되는 패키지 몸체, 및 패키지 몸체에 부착되어 공동을 밀폐시키는 유리 덮개를 구비하는 CCD 패키지에 있어서, 유리 덮개 자체가 필터링 기능을 수행하는 필터링 수단으로 구성하거나 유리 덮개에 필터링 수단을 부착하는 것을 특징으로 한다. 이때, 유리 덮개 자체를 필터링 수단으로 하는 경우에는 필터링 수단으로 유리형 필터(glass type filter)나 필터 기능을 갖는 유리(filter type glass), 예컨대 색깔이 첨부된 색유리 등을 적용할 수 있다. 이에 따르면, 난반사로 인한 광선의 분산을 최대한 방지할 수 있기 때문에 잔화상의 퍼짐 및 화상이 지나치게 밝음으로 인한 화상인식 오류를 방지할 수 있어 화상 전송률을 100%까지 가능하게 한다.