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公开(公告)号：KR1019940010154B1
公开(公告)日：1994-10-22
申请号：KR1019910006553
申请日：1991-04-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: The system exhausts reactive toxic gas, manages a high vacuum state to prevent a thin film from being polluted, and performs a real time analysis of the thin film in the process of the CBE/ALE growth. The vacuum system comprises a long manipulator (11) equipped on one side of a load lock/analysis chamber (B) in order to transfer a base plate; gate valves (5,13,7,12) for preventing pollution between the growth chamber and the load lock/analysis chamber (B); a turbo molecular pump (5) connected to the chamber (A); an suction pump (13)/an ion pump (14) connected to the chamber (B); a titanium pump (8).
Abstract translation: 该系统排除反应性有毒气体，管理高真空状态，防止薄膜受到污染，并对CBE / ALE生长过程中的薄膜进行实时分析。 该真空系统包括一个装在锁定/分析室（B）的一侧上的长操纵器（11），以便传送一个底板; 用于防止生长室和负载锁定/分析室（B）之间的污染的闸阀（5,13,7,12）; 连接到所述室（A）的涡轮分子泵（5）; 连接到所述室（B）的抽吸泵（13）/离子泵（14）; 钛泵（8）。
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公开(公告)号：KR1019930022622A
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：KR1019920006001
申请日：1992-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: 본 발명은 높은 모빌리티(mobility)와 조절 가능한 면전하 미도(controllable sheet carrier density)를 가지는 2차원 전자기체(2dimensional electron gas)를 조셉슨 접합(Josephson junction)으로 이용함으로써, 용이한 소자 제작 및 소자 자체의 신뢰성및 조절성(reliability, controllability)이 높아지며, 게이트(gate)장착 또는 접합 부분(junction)구조의 변형을 통하여 새로운 소자 (device)의 개념도입이 가능하고, 확립된 최첨단의 기술의 보유하고 있는 반도체 2차원 전자기체를 이용함으로써, 초전도체와 반도체간의 접합이 가능하여 집접회로(integrated cureuit)의 구현이 용이하므로 마이크로 파 또는 밀리미터파의 소스 및 디렉터, 트랜지스터와 같은 소자로서의 응용성이 매우 높다.
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公开(公告)号：KR100170997B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019940035162
申请日：1994-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 표시장치 및 광 모듈레이터용 회전이동형 광개폐소자의 구조와 제조방법에 관한 것으로, 빛의 사용효율을 높이고 생산단가를 낮추기 위하여 마이크로 머시닝 기술을 이용하여 3차원 미소 기계 구조체를 형성하며, 하부의 구동전극 및 선택전극과 상부의 이동전극 사이의 인가전압 차이를 이용한 정전력을 구동원으로 하여 회전이동자가 움직이며, 최상부의 마스크 및 빗살무늬로 형성된 창의 교차를 이용하여 빛의 차단 및 통과를 제어하며, 마이크로 머시닝 기술의 약점인 희생층 제거시에 상층과 기판과의 고착을 방지하기 위한 지지빔으로 구성됨을 특징으로 하는 미소기계 구조체 회전이동형 광개폐소자 및 그 제조방법.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970051606A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053676
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 정전구동 마이크로 릴레이 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본원 발명은 기판(10)상의 소정영역에 일부분이 단속되어 종방향으로 형성된 하부 접촉전극(12)과, 상기 하부 접촉전극(12)의 양측에 각각 형성되어 있는 하부 구동전극(13,14)과, 상기 하부 접촉전극(12)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 아래로 굴곡진 제1오목부(17)가 형성되어 있고 상기 하부 구동전극(13,14)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 각각 아래로 굴곡진 제2오목부(18,19)가 형성되어 있으며 하부 접촉전극(12)과 하부 구동전극(13,14)사이에 소정의 공간이 형성되도록 소정의 높이에 브릿지형상으로 형성되어 있는 브릿지 몸체(21)와, 상기 하부 접촉전극(12)과 대면하는 브릿지 몸체(21)의 제1오목부의 배면에 형성되어 있는 상부 접촉전극(20) , 상기 브릿지 몸체(21)의 전면에 형성되어 있는 상부 구동전극(20)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019960026437A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036334
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 고화질의 액티브 매트릭스 액정표시장치(active matrix LCD)에서 패널의 픽셀 스위치(pixel switch) 또는 주변 구동집적회로(drive IC)에 유용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(polysilicon thin film transistor)를 제조하는 방법에관한 것이다.
본 발명은 박막 트랜지스터의 채널영역인 다결정 실리콘박막의 형성을 위한 비정질 실리콘의 고상결정화 공정을 고압의 산소분위기에서 수행함으로써, 결정핵 생성 및 결정립 공정을 짧은 시간내에 유도하여 전체적인 고상결정화 열처리 시간을 단축함과 동시에 균일한 결정립을 가진 양질의 다결정 실리콘으로 이루어진 채녈영역을 형성한다.-
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公开(公告)号：KR1019950011032B1
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：KR1019920020985
申请日：1992-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80
Abstract: The device consists of a semi-insulating semiconductor substrate, a buffer layer which is undoped by impurities that exist on some top parts of the semiconductor substrate, a spacer layer in which 2 dimensional electron gas is formed, a carrier source layer which is doped by impurities that is formed on the top part of the spacer layer, a cap layer which is formed on the top part of the carrier source layer, a gate electrode which is formed on the top part of the cap layer, and a source and a drain electrodes which are formed to be contacted with the 2 dimensional electron gas.
Abstract translation: 该器件包括半绝缘半导体衬底，不存在于半导体衬底的一些顶部上的杂质的缓冲层，形成二维电子气的隔离层，由 在间隔层的顶部形成的杂质，形成在载体源层的顶部的盖层，形成在盖层的顶部的栅电极，以及源极和漏极 形成为与二维电子气接触的电极。
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