公开(公告)号：KR100231711B1

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019960068954

申请日：1996-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  장원익 ,  이용일 ,  유형준

IPC: H01L29/84

Abstract: 본 발명은 표면 미세 가공(surface micromachining) 기술을 이용한 마이크로 자이로스코프(micro gyroscope) 제작방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기존의 구조체 재료인 다결정 실리콘(polysilicon)에서 나타나는 응력을 해소하여 구조체가 변형되는 것을 방지하고, 또한 센서의 구동 및 감지를 위한 반도체 IC 회로의 제작 과정에서 발생할 수 있는 열공정(thermal process)의 호환성 문제, 금속배선의 어려움 및 진공 밀봉(vacuum seal)의 복잡함을 해결하고자 한다. 이에 따른 본 발명은 응력이 없는 구조체로서 기존의 다결정 실리콘 대신 SOI(Silicon On Insulator) 상부의 단결정 실리콘을 이용하고, 구동 및 감지를 위한 반도체 IC회로는 별도의 웨이퍼에 제작한 후 이를 구조체 위에 접착(bonding) 함으로써 열공정(thermal process)의 호환성, 금속 배선 및 진공 밀봉 문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR100194619B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950052676

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 반도체 레이저의 외부 광궤환 방법을 이용한 웨이퍼 자동촛점장치 및 자동촛점방법에 관한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 자동촛점장치는, 반도체 레이저(21)와, 시준렌즈(22)와, 광분할기(23)와, 촛점렌즈(24)로 이루어진 자동촛점장치 모듈; 및, 슬릿(32)과, 시준렌즈(32)와, 회절격자(33)와, 집속렌즈(34)와, PSD(35)로 구성되어, 상기한 웨이퍼(25)에 의해 반사되어 반도체 레이저(21)의 외부 광궤환에 의해서 발진하는 반도체 레이저(21)의 궤환광의 광 강도변화를 전압변화로 변환하기 위한 분광부(40)와 PSD신호처리부(50)를 포함한다.
아울러, 본 발명의 웨이퍼 자동촛점방법은, 반도체 레이저에서 나오는 레이저광을 평행광으로 만들어 광분할기를 통해 웨이퍼에 입사시키는 단계; 상기한 웨이퍼의 수직방향 위치변화에 따른 상기한 반도체 레이저의 외부 광궤환에 의한 광강도 변화에 의해 레이저광의 출력파장을 변화시키는 단계; 및, 상기한 출력파장의 변화를 PSD 및 PSD 신호처리부를 거쳐 출력전압 변화로 변환하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100194598B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950042065

申请日：1995-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 프로브 빔 주사방식에 의한 웨이퍼 자동촛점장치에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 프로브 빔 주사방식을 사용하여 촛점신호의 측정오차를 최소화함으로써 자동촛점장치의 정밀도와 분해능을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 자동촛점장치에 관한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 자동촛점장치는 반도체 노광장치의 웨이퍼 자동촛점장치에 있어서, 반도체 레이저(101); 전기한 반도체 레이저(171)로부터 발생된 빛의 편광방향을 TE편광으로 바꾸기 위한 선 편광자(103) 및 슬릿(104)의 광학계; 전기한 슬릿(104)으로부터 투사된 빛을 사용하여 웨이퍼 스테이지(90) 상의 웨이퍼(80)에 프로브 빔을 주사하기 위한 갈바노미터(106')로 이루어진 주사 거울(106); 웨이퍼(80) 상에서 반사된 반사광을 실린더상 렌즈(111)에 집속하기 위한 광학계 및 프로브 빔의 길이방향을 압축하여 PSD(112) 상에 전달하기 위한 실린더상 렌즈(112); 및, 발광 및 수광회로부(140)와 신호처리 및 제어부(150)로 구성되어 전기한 광학계에 의한 광학신호를 전기신호로 변환하기 위한 자동촛점 신호처리계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100175351B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019950053651

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  정해빈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: G03F1/22 ,  H01L21/30

Abstract: 본 발명은 높은 광투과 정렬창을 갖는 X-선 브랭크마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술의 X-선 마스크용 투과막은 광투과도가 낮고, 층간정렬도가 떨어졌던 문제점을 해결하기 위해 X-선 마스크에서 정렬광이 투과하는 부위는 광투과도가 우수한 멤브레인 물질을, X-선 노광에 의한 손상이 없는 멤브레인 물질을 하나의 웨이퍼에 형성한 구조로서, 정렬창의 멤브레인으로 Si
3 N
4 을, 칩부위의 멤브레인을 Si
3 N
4 /poly-Si/Si
3 N
4 을 사용하고, 또한 정렬창의 멤브레인으로 Si
3 N
4 /SiO
2 을 사용하고, 침부위의 멤브레인은Si
3 N
4 /poly-Si/Si
3 N
4 을 사용하는 것이다.

公开(公告)号：KR100155303B1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019940035478

申请日：1994-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오용호 ,  박병선 ,  이각현 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명에 따른 T-게이트 형성용 마스크는 불투명과 투명부위만으로 이루어진 종래의 마스크와는 달리, 선택적으로 투과율이 조절된 패턴부위가 배치하고 있으며, 투명한 패턴부위와 투과율이 조절된 패턴부위와의 빛의 위상을 조절하기 위한 위상변환층(phase shift layer)을 갖는다.
또, 본 발명의 마스크는 T-게이트의 다리부위의 패턴형성을 위한 마스크 패턴은 투명한 패턴을 형성하고 투명패턴에 인접하여 T-게이트의 머리부위를 형성하기 위한 반투명한 패턴이 배치된 구조를 갖는다.

公开(公告)号：KR100160543B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019940036335

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중화 ,  구진근 ,  유형준

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 ULSI 소자 제작에 있어서 이를 응용한 소자특성을 향상시킬 수 있도록, 특히 불순물에 대하여 치밀한 확산장벽 특성이 요구되는 절연막 및 보호막으로 유용한 고 품위의 질화 규소막을 400℃ 이하의 저온 공정으로 형성하는 방법에 관한 것이다.
특히, 본 발명의 방법에 의하면 고온 화학증착에 의한 질화규소(Si
3 N
4 ) 와 유사한 화학조성을 가지는 박막의 형성이 가능하므로, 화합물 반도체 소자의 불순물 확산 방지층 및 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 절연층 등으로의 활용도 기대된다.
본 발명에서는 플라즈마 화학기상 증착기에서 반응기체로써 SiH
4 + N
2 혼합기체를 사용하되, 수십 Å의 박막 증착과 그 직후 N
2 플라즈마 처리를 주기적으로 반복함으로써 필요한 두께의 질화규소막을 형성하는 방법을 사용하는데, 이 방법은 통상의 평행판 플라즈마 화학기상 증착기에서도 실시할 수 있을 뿐만 아니라, 형성되는 질화규소막내에 수소농도를 최소화할 수 있고, 안정적인 Si/N 조성비를 유지할 수 있는 등의 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100152324B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019940032936

申请日：1994-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  유형준 ,  최부연 ,  장원익 ,  장기호

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68707 ,  Y10S414/136 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/141

Abstract: 본 발명은 반도체 제도 장치에 관한 것으로 특히, 집게에 의하여 웨이퍼의 측면 부위를 잡도록 하여 삼발이의 도움없이도 카세트에서 웨이퍼척까지 웨이퍼를 용이하게 주고 받을 수 있도록 한 웨이퍼 측면 파지 이송 반도체 제조장치에 관한 것이다. 본 발명에서는 웨이퍼를 잡는 집게의 구조를 변경함으로써 삼발이와 같은 웨이퍼 운송기구를 제거시켜도 용이하게 웨이퍼를 파지할 수 있도록 한 것으로서 웨이퍼의 측면이 일반적으로 원형가공(ROUNDING)되어 있다는 것에 착안하여 웨이퍼의 아랫면 대신에 측면부위를 집게가 잡도록 하므로서 삼발이가 없이도 웨이퍼의 파지, 운송이 용이하게 이루어지도록 하며, 따라서 종래의 삼발이와 같은 웨이퍼운송 장치를 제거함으로써 장비의 구조가 간단하게 구성되며, 진공반응기의 배기구를 언직하방에 설치하여 상측의 가스공급기로 부터 공급되는 공정가스의 흐름이 축대칭을 이루도록 함으로써 공정균일도를 높이도록 함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980025599A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960043787

申请日：1996-10-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이창승 ,  이종현 ,  정회환 ,  노광수 ,  유형준

IPC: H01L29/84

Abstract: 큰 종횡비와 작은 저항 및 변형이 없는 실리콘 구조체를 표면 미세 가공 기술로 제작할 수 없었던 종래 기술의 문제점을 가운데의 두꺼운 실리콘 층과 농도 조절을 위한 상하의 얇은 실리콘 층으로 실리콘 다층 구조를 형성하여 박막의 상하 방향으로 불순물을 대칭으로 분포시켜 응력 구배를 제거하고, 가운데의 실리콘 박막에 잔류 응력이 존재하는 경우 상하에 주입되는 불순물의 양을 조절함으로써 기존의 응력 구배를 상쇄시켜 미소 구조체의 휨 변형을 최소화시킬 수 있는 실리콘 미소 구조체 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1019980022353A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019960041474

申请日：1996-09-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정회환 ,  이종현 ,  이창승 ,  백종태 ,  유형준

IPC: H01L21/20

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 집적회로 제작 공정을 기반으로 한 표면 마이크로 머시닝 기술.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
희생층을 사용한 미소구조체를 제조할시, 희생산화막 제거로 인해 나타나는 미소구조체의 고착 현상을 방지하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
희생층을 폴리실리콘막 상에 형성하고 희생층을 증기상 식각 방법으로 제거하여, 잔류물의 발생을 방지하는 동시에 희생층 제거로 인한 공간에 상부 구조체가 침몰하여 발생되는 고착현상을 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
MEMS(micro electro mechanical system) 제작

公开(公告)号：KR100144822B1

公开(公告)日：1998-07-01

申请号：KR1019940019492

申请日：1994-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박병선 ,  오용호 ,  유형준

IPC: H01L29/812

Abstract: 본 발명은 포토리소그래피에 의해 미세한 선폭으로 T-게이트 패턴을 형성하는 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 방법은 미세 선폭의 해상도를 향상시키기 위해 포지티브 형 포토레지스트(positive type photoresist)를 사용하여 고립선(isolated line)패턴을 형성한 후 저온 CVD방법으로 절연막을 증착하고, 이어 레지스트 패턴을 제거하는 패턴반전(pattern reversal)공정을 사용한다.
본 발명은 미세한 게이트 선폭을 패턴반전공정을 사용하여 보다 용이하게 실현할 수 있는 공정으로서, 조래의 전자빔 리소그래피를 이용한 T-게이트 형성방법에 비하여는 포토리소그래피 기술을 사용하기 때문에 생산성 및 재현성이 우수하다.