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公开(公告)号：KR100853202B1
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070040047
申请日：2007-04-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0248 , H01L27/14 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 볼로미터 및 그 제조방법을 제공한다. 그 볼로미터 및 방법은 반사막의 표면으로부터 적외선 파장(λ)/4만큼의 공간을 이루며 반도체 기판의 상부에 위치하는 센서구조체를 포함한다. 센서구조체는 다결정화된 불순물이 도핑된 실리콘(Si) 또는 실리콘게르마늄(Si
1-x Ge
x , x=0.2~0.5)으로 이루어진 다결정 저항층을 포함하여 반사막 상부에 위치하는 몸통부 및 몸통부의 바깥 쪽에 금속패드에 전기적으로 연결되는 지지팔을 포함한다. 몸통부는 제1 절연막, 제1 절연막 상에 형성된 저항층, 저항층을 노출하는 제2 절연막, 노출된 저항층에 형성된 전극, 및 제2 절연막 및 전극 상에 형성된 제3 절연막과, 제3 절연막 내에 형성된 흡수층을 포함한다. 지지팔은 몸통부의 제2 절연막이 연장되면서 금속 패드를 노출하고, 제2 절연막 상에 몸통부의 전극이 연장되면서 금속 패드와 연결되고, 전극 상에 몸통부의 제3 절연막이 연장되어 형성된다.
삭제-
公开(公告)号：KR1020070061032A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060034653
申请日：2006-04-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A metal nanoparticle chemical sensor material relatively insensitive to moisture and a chemical sensor array comprising the same sensor material are provided to diagnose a specific disease by detecting a specific disease gas in human breathing gas which is rich in moisture. The metal nanoparticle chemical sensor material relatively insensitive to moisture comprises a metal nanoparticle(12) having diameter of 1-20 nm and one or more kinds of hydrophobic ligand molecules(11,13) surrounding the metal nanoparticle by binding to the surface of the metal nanoparticle and having relatively low conductivity to the metal, wherein the ligand molecules are linear or branched saturated or unsaturated aliphatic or aromatic hydrocarbons, a short chain hydrocarbon ligand molecule(11) and a long chain hydrocarbon ligand molecule(13), or linear or branched aliphatic hydrocarbons having carbon number of 3-18; and the metal is gold, silver, platinum or copper.
Abstract translation: 提供对水分相对不敏感的金属纳米颗粒化学传感器材料和包含相同传感器材料的化学传感器阵列，以通过检测具有丰富水分的人呼吸气体中的特定疾病气体来诊断特定疾病。 对水分相对不敏感的金属纳米颗粒化学传感器材料包括直径为1-20nm的金属纳米颗粒（12）和通过结合金属表面而围绕金属纳米颗粒的一种或多种疏水性配体分子（11,13） 纳米颗粒，并且对金属具有相对低的导电性，其中配体分子是直链或支链饱和或不饱和脂族或芳族烃，短链烃配体分子（11）和长链烃配体分子（13），或直链或支链 碳数为3-18的脂族烃; 金属是金，银，铂或铜。
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公开(公告)号：KR100655786B1
公开(公告)日：2006-12-12
申请号：KR1020040100423
申请日：2004-12-02
IPC: G01N1/40
Abstract: 본 발명은 가스센서의 감지성능 한계를 극복하기 위한 시료 사전 농축장치로서, 시료 농축 기능 및 수분을 제거하는 기능을 동시에 하는 시료 농축 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 시료 농축 장치는 시료 농축과 1차 수분 제거의 기능을 하는 시료농축부와 탈착 가스에서 수분의 완전한 제거를 행하는 수분제거부를 구비한 2단계 시료 농축 장치로 구성된다. 본 발명에 따른 시료 농축 장치는 물의 재현성 있고 거의 완전한 제거가 가능하여 향후 전자코를 이용한 인체 진단, 대기 오염 분석 등 수분이 문제가 되는 고감도 측정에 적용될 수 있다.
전자코, 가스센서, 시료 농축 장치, 수분-
公开(公告)号：KR100533912B1
公开(公告)日：2005-12-06
申请号：KR1020020081024
申请日：2002-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 저전압 구동 플라즈마 표시 패널(plasma display panel) 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 저전압 구동 플라즈마 표시 패널 장치는 화면 표시부가 되는 전면 기판을 구성하는 제1기판과, 상기 제1기판에 이격되어 방전될 가스가 도입되는 공간을 제공하고 배면 기판을 구성하는 제2기판과, 상기 제1기판 및 상기 제2기판 사이를 단위 표시 셀 별로 구획짓는 격벽들과, 상기 제1기판에 대향하는 상기 제2기판의 앞면 및 격벽 상에 도입되는 형광층과, 상기 단위 표시 셀 별로 상기 형광층에 대향되는 상기 제1기판에 도입되고 상기 가스의 방전을 위해 탄소 나노튜브 에미터를 이용하여 전자들을 방출하는 전자총과, 상기 제1기판의 뒷면에 도입되고, 일정 전압으로 스캔하는 스캔 전극과, 상기 방전을 유지할 교류 전압이 인가되는 유지전극으로 구성되는 방전 전극들을 포함하여 구성될 수 있다. 이상과 같이 본 발명의 플라즈마 표시 패널 장치는 각 단위 셀 내부에 고효율 저전압 구동 전자총을 구비함으로써, 저전압, 저전력 및 고해상도의 특성을 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100497333B1
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020020069434
申请日：2002-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 감지된 가스 도는 적외선 정보가 열전도에 의하여 짧은 시각내에 감쇄하는 것을 방지하는데 적합한 감지기용 픽셀 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 감지기용 픽셀은 판독용 집적회로가 형성된 반도체 기판, 상기 반도체 기판상에 공기 간극을 두고 이격된 감지부, 및 상기 감지부와 상기 반도체기판을 물리적으로 연결하는 절연성 기둥을 포함하여, 가스 또는 적외선 등을 감지하는 게이트에 의하여 트랜지스터 드레인 전류가 변화하는 TFT 구조가 진공이나 공기간극에 의하여 반도체 기판과 이격되므로써 감지된 정보가 열전도에 의하여 짧은 시각내에 감쇄하는 것을 방지하기 때문에 주사방식용 감지기 어레이를 구현할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100495802B1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020020065430
申请日：2002-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 적외선 감지용 픽셀 및 그 제조방법에 관한 것으로, 읽어내기 회로를 포함하는 반도체 기판, 반도체 기판 상부에 공간적으로 분리되어 위치하며 적외선을 감지하는 감지부 및 반도체 기판과 감지부를 연결하며, 외부에 절연 기둥 및 내부에 전도성 브릿지의 이중 실린더 모양으로 된 복수개의 지지대를 포함하고, 감지부로부터 감지된 신호는 전도성 브릿지를 통해 반도체 기판의 읽어내기 회로에 전달되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 구조가 제조되기에 용이하며 열적 및 전기적 특성도 종래의 구조보다 양호하고, 감지기의 면적 효율이 높은 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100470834B1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020020073313
申请日：2002-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/105
Abstract: 강유전체 메모리 전계 효과 트랜지스터의 게이트 스택 제조방법을 제공한다.본 발명은 반도체 기판 상에 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막이 순차적으로 적층된 확산 차폐층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 확산 차폐층 상에 비스무스-란탄-티타늄-산화물을 포함하는 금속 유기물 용액을 코팅한 후, 상기 코팅된 금속 유기물 용액을 건조시켜 금속 유기물을 형성한다. 상기 금속 유기물을 450℃ 내지 550℃ 온도에서 1차 열처리하여 후에 형성되는 강유전체막의 c축 방향의 결정성을 증가시킨다. 상기 1차 열처리된 금속 유기물을 2차 열처리함으로써 상기 금속 유기물을 결정화시켜 비스무스-란탄-티타늄-산화물로 구성된 강유전체막을 형성한다. 상기 강유전체막 상에 상부 전극을 형성한다. 본 발명은 적절한 확산 차폐층의 선택과 강유전체막의 제조 방법을 최적화하여 강유전체 메모리 전계 효과 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040045512A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：KR1020020073313
申请日：2002-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/105
Abstract: PURPOSE: A gate stack of a ferroelectric memory FET(Field Effect Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to be capable of optimizing the electrical characteristics of the device. CONSTITUTION: A gate stack(25) of a ferroelectric memory FET is provided with a semiconductor substrate(11) and a diffusion barrier(19) formed on the semiconductor substrate. At this time, the diffusion barrier is completed by sequentially forming a silicon oxide layer(13), a silicon nitride layer(15), and a silicon oxide layer(17). The gate stack further includes a Bi-La-Ti-O ferroelectric layer(21) formed on the diffusion barrier and an upper electrode(23) formed on the ferroelectric layer. Preferably, a (BixLa1-x)4Ti3O12 layer is used as the ferroelectric layer.
Abstract translation: 目的：提供铁电存储FET（场效应晶体管）的栅极叠层及其制造方法，能够优化器件的电气特性。 构成：铁电存储器FET的栅极堆叠（25）设置有形成在半导体衬底上的半导体衬底（11）和扩散阻挡层（19）。 此时，通过依次形成氧化硅层（13），氮化硅层（15）和氧化硅层（17）来完成扩散阻挡层。 栅堆叠还包括形成在扩散阻挡层上的Bi-La-Ti-O铁电层（21）和形成在强电介质层上的上电极（23）。 优选使用（BixLa1-x）4Ti3O12层作为铁电体层。
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公开(公告)号：KR1020040041264A
公开(公告)日：2004-05-17
申请号：KR1020020069436
申请日：2002-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A pixel array for an infrared ray detector having a TFT(Thin Film Transistor) structure and a manufacturing method thereof are provided to be capable of restraining the attenuation of detected infrared ray information in short time due to thermal conductivity. CONSTITUTION: A pixel array for an infrared ray detector includes a semiconductor substrate(31) having an IC(Integrated Circuit) for reading infrared rays. At this time, the IC for reading infrared rays includes an electrode(32). The pixel array for an infrared ray detector further includes an infrared ray detecting part spaced apart from the semiconductor substrate as much as the height of an air gap(48), and a conductive connection electrode(37a) for connecting the infrared ray detecting part with the electrode. Preferably, the infrared ray detecting part includes a plurality of infrared ray detecting layers(40).
Abstract translation: 目的：提供具有TFT（薄膜晶体管）结构的红外线检测器的像素阵列及其制造方法，其能够在短时间内抑制由于导热性而导致的检测出的红外线信息的衰减。 构成：用于红外线检测器的像素阵列包括具有用于读取红外线的IC（集成电路）的半导体衬底（31）。 此时，用于读取红外线的IC包括电极（32）。 用于红外线检测器的像素阵列还包括与半导体衬底间隔开多个气隙（48）的高度的红外线检测部分和用于将红外线检测部分与 电极。 优选地，红外线检测部分包括多个红外线检测层（40）。
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公开(公告)号：KR102246469B1
公开(公告)日：2021-05-03
申请号：KR1020170092951
申请日：2017-07-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/155 , G02F1/1523 , G02F1/1506
Abstract: 본발명은가역전기화학거울을제공한다. 이가역전기화학거울은서로대향되는제 1 기판과제 2 기판; 상기제 1 기판상에배치되며상기제 2 기판에대향되는제 1 투명전극; 상기제 2 기판상에배치되며상기제 1 투명전극과대향되는제 2 투명전극; 상기제 1 투명전극과상기제 2 투명전극사이에개재되는전해질용액; 및상기제 2 투명전극상에배치되며상기전해질용액과접하는대향전극물질층을포함한다.
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