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    61.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007056402A1

    公开(公告)日：2009-05-28

    申请号：DE102007056402

    申请日：2007-11-23

    Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRICK PETER ,  MUSCHAWECK JULIUS ,  SCHWALENBERG SIMON

    IPC: G02B3/00 ,  F21V5/04 ,  G02B3/08

    Abstract: The component (100) has a mounting plate (1) with a main surface that is turned away from another main surface (2). A lens structure (4) is provided on the latter main surface, where the lens structure has two micro lenses (41, 42) with a polygonal form. The lens structure completely covers the latter main surface. The lenses are not congruent to each other and/or different in its orientation on the latter main surface of the mounting plate. Another lens structure on the former main surface is mirror-inverted to the lens structure on the latter main surface. An independent claim is also included for a lighting device comprising a light source and an optical component.

    62.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007062050A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：DE102007062050

    申请日：2007-12-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHMID WOLFGANG ,  BRICK PETER

    IPC: H01S5/18 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40

    Abstract: A semiconductor laser is embodied as a surface emitting thin-film semiconductor laser (2) with a semiconductor body (4). The semiconductor body (4) comprises a first and a second planar surface (12, 14). The semiconductor body (4) comprises between the planar surfaces at least one active layer (10) for generating radiation. The semiconductor body (4) has, for coupling out the radiation from the active layer (10) toward the first planar surface (12), at least one first mirror area (26) inclined with respect to the active layer (10).

    64.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102006024220A1

    公开(公告)日：2007-10-18

    申请号：DE102006024220

    申请日：2006-05-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LUTGEN STEPHAN ,  ALBRECHT TONY ,  BRICK PETER

    IPC: H01S5/04 ,  H01S5/024 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20

    Abstract: An optoelectronic semiconductor component has a semiconductor body (1) comprising a surface emitting vertical emitter region (2) comprising a vertical emitter layer (3), at least one pump source (4) provided for optically pumping the vertical emitter layer (3), and a radiation passage area (26) through which electromagnetic radiation (31) generated in the vertical emitter layer leaves the semiconductor body (1), wherein the pump source (4) and the vertical emitter layer (3) are at a distance from one another in a vertical direction.

    66.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10313609B4

    公开(公告)日：2005-07-14

    申请号：DE10313609

    申请日：2003-03-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PHILIPPENS MARC ,  PLAINE GLENN-YVES ,  ALBRECHT TONY ,  BRICK PETER

    IPC: H01S5/06 ,  H01S5/10 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187

    Abstract: A semiconductor laser, contains at least one absorbing layer ( 8 ) in its laser resonator, said absorbing layer reducing the transmission T Res of the laser radiation ( 10 ) in the laser resonator for the purpose of decreasing the sensitivity of the semiconductor laser to disturbances created by radiation ( 9 ) fed back into the laser resonator. This reduces fluctuations in the output power due to fed-back radiation ( 9 ).

    68.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10313609A1

    公开(公告)日：2004-10-14

    申请号：DE10313609

    申请日：2003-03-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PHILIPPENS MARC ,  PLAINE GLENN-YVES ,  ALBRECHT TONY ,  BRICK PETER

    IPC: H01S5/06 ,  H01S5/10 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187

    Abstract: A semiconductor laser, contains at least one absorbing layer ( 8 ) in its laser resonator, said absorbing layer reducing the transmission T Res of the laser radiation ( 10 ) in the laser resonator for the purpose of decreasing the sensitivity of the semiconductor laser to disturbances created by radiation ( 9 ) fed back into the laser resonator. This reduces fluctuations in the output power due to fed-back radiation ( 9 ).

    Hinterleuchtungseinrichtung und Vorrichtung, aufweisend eine Hinterleuchtungseinrichtung
    70.
    发明专利
    Hinterleuchtungseinrichtung und Vorrichtung, aufweisend eine Hinterleuchtungseinrichtung 未知

    公开(公告)号：DE112015003221B4

    公开(公告)日：2022-10-06

    申请号：DE112015003221

    申请日：2015-05-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KIMME FELIX ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  BRICK PETER

    IPC: G02F1/13357 ,  G02B5/12 ,  G02F1/1335

    Abstract: Hinterleuchtungseinrichtung (105), aufweisend:mehrere in einer Ebene angeordnete Halbleiter-Lichtquellen (110) zur Erzeugung von Lichtstrahlung (150); undeine seitlich der Halbleiter-Lichtquellen (110) angeordnete Seitenwand (121, 122),wobei die Seitenwand (121, 122) geneigt ist zu der durch die Halbleiter-Lichtquellen (110) vorgegebenen Ebene,wobei die Seitenwand (121, 122) an einer Seite, welche mit Lichtstrahlung (150) der Halbleiter-Lichtquellen (110) bestrahlbar ist, retroreflektierend ist,wobei die retroreflektierende Seitenwand (121, 122) ausgebildet ist, mehr als 50% einer einfallenden Lichtstrahlung (150) in einem vorgegebenen Winkelbereich (163) in Richtung der einfallenden Lichtstrahlung (150) zurückzureflektieren,wobei die retroreflektierende Seitenwand (121, 122) eine retroreflektierende Struktur (250) aufweist, wobei Strukturelemente (237) der retroreflektierenden Struktur (250) verkippt sind zu einer durch die Seitenwand (121, 122) vorgegebenen Normale (141),cund wobei die Strukturelemente (237) der retroreflektierenden Struktur (250) in Richtung der einfallenden Lichtstrahlung (150) verkippt ausgebildet sind.

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