Abstract:
매칭 회로를 소형화함으로써 마이크로파 발생원 등을 실드 뚜껑부 상에 일체화시켜서 탑재하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치는 진공 배기 가능하게 이루어진 처리용기(42)와, 상기 처리용기내에 설치된 피 처리체를 탑재하는 탑재대(44)와, 상기 처리용기의 천정의 개구부에 설치된 마이크로파 투과판(70)과, 상기 마이크로파 투과판을 거쳐서 상기 처리용기내에 마이크로파를 공급하기 위한 평면 안테나부재(74)와, 상기 평면 안테나부재의 위쪽을 피복하도록 접지된 실드 덮개(78)와, 마이크로파 발생원으로부터의 마이크로파를 상기 평면 안테나부재로 인도하기 위한 도파관(82)과, 상기 평면 안테나부재와 상기 실드 덮개와의 사이의 상하 방향의 거리를 상대적으로 변화시키는 부재 승강 기구(85)와, 상기 도파관내에 대하여 삽입 가능하게 설치된 동조막대(104)와, 상기 동조막대를 그 삽입량이 조정 가능하게 이동시키는 동조막대 구동 장치(102)와, 상기 안테나 부재의 승강량과 상기 동조막대의 삽입량을 제어함으로써 매칭 조정을 하는 매칭 제어부(114)를 구비한 것을 특징으로 한다.
Abstract:
생성시킨 고주파 신호를 정합장치를 통하여 처리실에 공급함으로써 플라즈마를 처리실내에 발생시키는 플라즈마 발생방법에 있어서, 고주파 발생부를 제어하여 플라즈마가 발생하는 전력보다도 작은 전력의 고주파 신호를 생성시켜 처리실에 공급하고, 그 상태에서 고주파 발생부와 처리실 사이에서 진행파에 대한 반사파의 비로서의 반사율을 측정하여, 측정된 반사율에 적어도 기초하여 정합장치를 제어하고, 그 반사율이 규정치 이하가 되는 정합장치의 정합조건을 프리셋(preset) 정합조건으로서 규정하고, 처리실내에 플라즈마를 발생시킬 때에, 프리셋 정합조건을 충족하도록 정합장치를 제어한 후에, 고주파 발생부를 제어하여 플라즈마가 발생하는 전력의 고주파 신호를 생성시켜 처리실에 공급한다.
Abstract:
저항 가열 히터 수단과 열전 변환 소자 수단을 조합하여 설치함으로써, 처리 용기의 적절한 온도 제어를 실행할 수 있을 뿐만 아니라, 공간 절약, 에너지 절약 등이 가능한 열처리 장치를 제공한다. 관상형의 처리 용기(4)와, 피처리체(W)를 탑재하기 위해서 상기 처리 용기의 바닥부로부터 지주에 의해 기립시켜 설치한 탑재대(14)와, 상기 탑재대에 설치되어 상기 피처리체를 가열하는 피처리체 가열 수단(16)을 갖는 열처리 장치에 있어서, 상기 처리 용기의 바닥부에, 가열과 냉각을 선택적으로 실행하는 것이 가능한 열전 변환 소자 수단(38)을 설치하고, 상기 처리 용기의 측벽에 저항 가열 히터 수단(50)을 설치하며, 상기 열전 변환 소자 수단과 상기 저항 가열 히터 수단의 동작을 제어하는 온도 제어부(40)를 설치한다. 이와 같이, 저항 가열 히터 수단과 열전 변환 소자 수단을 조합하여 설치함으로써, 처리 용기의 적절한 온도 제어를 실행할 수 있을 뿐만 아니라, 공간 절약, 에너지 절약 등이 가능해진다.
Abstract:
CVD 장치(100)의 처리실(102) 벽부에는 제 1 내지 제 4 카트리지 히터(146, 148, 150, 152)가 내장된다. 각 히터는 온도 상승에 비례하여 저항값이 커진다. 히터 제어 장치(160)는 각 히터의 전류값과 전압값으로부터 히터 저항값을 구한다. 또한, 히터 제어 장치(160)는 설정 온도에 근거하는 기준 저항값을 온도 센서(250)의 검출 온도에 근거하는 보정값으로 보정하고, 보정된 기준 저항값에 각 히터의 온도 분포 정수를 곱하여 목표 저항값을 구한다. 히터 제어 장치(160)는 각 히터 저항값이 목표 저항값에 추종하도록, 각 히터로 공급하는 교류 전력의 위상을 적절히 제어한다. 이러한 구성에 의해서, 제 1 내지 제 4 카트리지 히터(146, 148, 150, 152)를 엄밀하게 온도 제어 할 수 있다.
Abstract:
제어대상(2)의 제어량이 소정의 목표치로 되도록 최적 레귤레이타(4)에 의해 제어를 행하는 자동제어장치에 있어서, 이득을 설정하는 이득설정부(48)와, 상기 목표치와 상기 제어대상의 제어량을 비교하는 비교부(52)와, 이 비교부에서 얻어진 차분이 상기 목표치의 소정범위내에 들어감에 따라서 상기 이득설정부의 이득에 소정의 시간내에서 0∼1까지 증가하는 중량부가를 행하여 조작량을 출력하는 중량제어부(52)를 구비하고, 이 조작량을 상기 최적 레귤레이타에 가하도록 구성한다. 이에 따라, 한정된 범위 내에서만 이득을 차제에 크게 하는 제어를 행하여, 고속으로 또한 고정밀도의 제어를 가능하게 한다.
Abstract:
마이크로파 전송로를 전송된 마이크로파를 챔버 내에 방사하여, 표면파 플라즈마를 생성하기 위한 마이크로파 방사 안테나(45)는, 도체로 이루어지는 안테나 본체(121)와, 안테나 본체(121)에 설치된, 마이크로파를 방사하는 복수의 슬롯(122)과, 안테나 본체(121)에 설치된, 처리 가스를 챔버 내에 토출하는 복수의 가스 토출 구멍(125)을 갖고, 마이크로파에 의해 표면에 금속 표면파가 형성되고, 이 금속 표면파에 의해 표면파 플라즈마가 생성되고, 안테나 본체(121)의 금속 표면의 적어도 일부가 표면파 플라즈마로부터 직류적으로 절연되도록 유전체층(126)이 설치되어 있다.
Abstract:
피처리체를 수용하는 챔버와, 마이크로파를 발생시키고, 그 마이크로파를 상기 챔버내의 피처리체에 조사하기 위한 복수의 마그네트론과, 상기 복수의 마그네트론에 펄스형상 전압을 공급하는 전원부를 구비하는 마이크로파 조사 장치가 제공된다. 상기 전원부는 상기 복수의 마그네트론에 각각 공급되는 펄스형상 전압의 전압 펄스끼리가 시간적으로 중첩되지 않도록 전압을 공급한다.
Abstract:
마이크로파 도입 기구(41)는 마이크로파를 챔버 내에 방사하는 평면 안테나(81)를 갖는 안테나부(80)와, 임피던스 정합시키기 위한 튜너(60)와, 안테나부(80)의 열을 방열하기 위한 방열 기구(90)를 구비하고, 튜너(60)는 통 형상을 이루는 외측 도체(52)와 내측 도체(53)를 갖고 마이크로파 전송로의 일부로 되는 본체(51)와, 외측 도체(52)와 내측 도체(53) 사이에 이동 가능하게 마련된 슬러그(61a, 61b)와, 슬러그를 이동시키는 슬러그 구동부(70)를 갖고, 방열 기구(90)는 입열단이 안테나부(80)에 위치하고, 안테나부(80)의 열을 입열단으로부터 방열단으로 전송하는 히트 파이프(91)와, 방열단에 마련된 방열부(92)를 갖는다.