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公开(公告)号：KR1020170119119A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160046868
申请日：2016-04-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 실시예들은하부전극, 상기하부전극상에형성되는유전체층및 상기유전체층상에형성되는상부전극을포함하되, 상기유전체층은루타일(rutile) 구조의티타늄산화물을포함하는, 반도체메모리소자용커패시터및 그제조방법에관련된다.
Abstract translation: 实施例涉及一种用于半导体存储器件的电容器，包括下电极，形成在下电极上的电介质层和形成在电介质层上的上电极，其中电介质层包括金红石结构的氧化钛， ＆lt;
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公开(公告)号：KR101766376B1
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020150164611
申请日：2015-11-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 가스센싱장치는, 입력된가스에반응하여센서데이터를출력하도록구성된센서부; 하나이상의단일가스에대해상기센서부에서출력된센서데이터인제1 벡터를포함하는데이터베이스가저장된저장부; 및상기데이터베이스에기초하여, 하나이상의혼합가스에대응되는제2 벡터를포함하는확장데이터베이스를생성하고, 상기센서부의대상가스에대한센서데이터를상기확장데이터베이스와비교함으로써상기대상가스를검지하도록구성된검지부를포함한다. 상기가스센싱장치에의하면, 단일가스에대한데이터베이스만으로단일가스와혼합가스를모두인지하고분류할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170071235A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020150179316
申请日：2015-12-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은열전소재를제조하는방법으로서, 열전파우더를준비하는단계; 상기열전파우더를금속산화물로코팅하는단계; 상기금속산화물로코팅된열전파우더를가압성형하여열전소재를형성하는단계; 상기열전소재를소결하는단계; 및상기열전소재를열처리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造热电材料的方法，包括以下步骤：制备热电粉末; 用金属氧化物涂覆热电粉末; 通过压制涂覆有金属氧化物的热电粉末形成热电材料; 烧结热电材料; 并热处理热电材料。
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公开(公告)号：KR101712349B1
公开(公告)日：2017-03-07
申请号：KR1020150069849
申请日：2015-05-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/316 , C23C14/34 , H01L21/02
Abstract: 본발명은음이온의화학양론제어를통해투명성및 높은전기전도도특성을갖는단결정구조의주석질산화물박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른주석질산화물단결정박막의제조방법은스퍼터링공정을통해기판상에 SnON(0.35
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公开(公告)号：KR101670229B1
公开(公告)日：2016-10-28
申请号：KR1020150042493
申请日：2015-03-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은소결열전소재와단결정열전소재를조합하여열전모듈을구성함에있어서소결열전소재와단결정열전소재의저항차이를최소화하여저항매칭을간소화함과함께열전성능을향상시킬수 있는열전모듈및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른열전모듈은 p형열전소재와 n형열전소재로이루어지는열전셀을복수개포함하며, 상기 p형열전소재와 n형열전소재중 어느하나는소결열전소재를포함하여구성되며, 상기 p형열전소재와 n형열전소재중 어느하나는, 소결열전소재와, 상기소결열전소재의양단상에구비되어물질의고상확산을방지하는확산방지층과, 상기소결열전소재양단의확산방지층중 적어도어느하나이상의확산방지층상에구비되는금속블록층을포함하여구성되며, 상기금속블록층은상기소결열전소재보다상대적으로전기저항값이낮은것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking76.发明公开레이저를 이용한 박막 전지용 양극 제조 방법, 그 방법으로 제조된 박막 전지용 양극 및 이를 포함하는 박막 전지 有权使用激光制作薄膜电池的阴极的方法，其制成的阴极电池和包括其的薄膜电池
公开(公告)号：KR1020160054255A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140153627
申请日：2014-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/139 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/0402 , H01M4/0404 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/058 , H01M10/659
Abstract: 박막전지용양극형성방법은, 기판상에양극활물질을증착하는단계; 및상기양극활물질상에레이저를조사하여상기양극활물질을결정화하는단계;를포함할수 있다. 양극활물질은상온에서기판상에증착될수 있고, 레이저를이용하여저온에서양극활물질을결정화함으로써가볍고가공이용이한고분자기판을사용할수 있게된다. 본발명의일 실시예에따른양극제조방법으로제조된양극을포함하는박막전지는높은방전용량등 우수한충·방전특성을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用激光的薄膜电池用正极的制造方法，利用该方法制造的薄膜电池用正极以及包含该正极的薄膜电池。 薄膜电池用正极的形成方法包括以下步骤：将正极活性物质沉积在基板上; 并通过在正极活性物质上照射激光来使正极活性物质结晶。 正极活性物质可以在室温下沉积在基板上，并且可以通过使用激光在低温下使正极活性物质结晶而使用轻而易加工的聚合物基材。 包含根据本发明的一个实施方案的由正极制造方法制造的正极的薄膜电池具有优异的充放电特性，例如高放电容量等。
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公开(公告)号：KR101495093B1
公开(公告)日：2015-03-09
申请号：KR1020130059870
申请日：2013-05-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/495 , C04B35/453 , H01B3/10 , H01B17/56
Abstract: 본 발명은 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 비스무트 니오베이트 유전체 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학식 1(KSr
2
(1-x) Bi
(y/3)x Nb
3 O
10+δ (KSBNO) (상기 화학식 1에서 몰분율 x는 0-
公开(公告)号：KR101471036B1
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130125976
申请日：2013-10-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 p형 열전소재와 n형 열전소재가 직접 접합되는 구조를 통해 전기적 저항을 최소화함과 함께 열전모듈 내에 구비되는 p형 열전소재와 n형 열전소재의 쌍을 최대화하여 열전모듈의 기전력을 증대시킬 수 있는 관형 열전모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 관형 열전모듈은 순차적으로 적층된 고리 형상의 복수의 단위 열전판 및 상기 단위 열전판들 사이에 각각 구비되는 절연층을 포함하여 이루어지며, 상기 단위 열전판은 하나 또는 복수의 열전쌍으로 구성되며, 상기 열전쌍은 p형 열전소재와 n형 열전소재의 쌍이며, 상기 단위 열전판 내에서 p형 열전소재와 n형 열전소재는 수평 접합층을 매개로 연결되며, 이웃하는 단위 열전판의 p형 열전소재와 n형 열전소재는 수직 접합층을 매개로 연결되며, 상기 수평접합층과 수직 접합층은 p형 열전소재 및 n형 열전소재가 확장되어 접합된 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 管状热电模块及其制造方法技术领域本发明涉及一种管状热电模块及其制造方法，能够通过直接结合p型热电材料和n型热电材料的结构来最小化电阻， p型热电材料和n型热电材料，从而提高热电模块的电动势。 根据本发明的管状热电模块包括：顺序堆叠并具有环形的多个单元热电板; 以及分别形成在单元热电板中的绝缘层。 每个单元热电板包括一个或多个热电偶。 热电偶是一对p型热电材料和n型热电材料。 p型热电材料和n型热电材料通过单元热电板中的水平结合层的介质连接，单元热电板的相邻p型热电材料和n型热电材料连接在 垂直接合层的介质，并且水平接合层和垂直接合层通过膨胀p型热电材料和n型热电材料而接合。
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公开(公告)号：KR101398553B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020130009749
申请日：2013-01-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/465 , H01B3/12
CPC classification number: H01G4/1254 , C04B35/495 , H01G4/306
Abstract: The present invention provides a niobate dielectric composition which is displayed in a chemical formula 1, a chemical formula 2, or a chemical formula 3 below and a nanosheet thin film using the same. KCa_2(1-x)Sr_2xNb_3O_10 (the chemical formula 1) HCa_2(1-x)Sr_2xNb_3O_10 (the chemical formula 2) Ca_2(1-x)Sr_2xNb_3O_10 (the chemical formula 3) (in the forementioned formulas, x is 0
Abstract translation: 本发明提供以化学式1，化学式2或下述化学式3表示的铌酸盐电介质组合物和使用其的纳米片薄膜。 KCa_2（1-x）Sr_2xNb_3O_10（化学式1）HCa_2（1-x）Sr_2xNb_3O_10（化学式2）Ca_2（1-x）Sr_2xNb_3O_10（化学式3）（在前述式中，x为0
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公开(公告)号：KR101372287B1
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020110134586
申请日：2011-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , H01L21/00 , G01N27/30
Abstract: 본 발명은 나노튜브 박막 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 전극이 형성된 기판을 준비하는 제1단계; 상기 기판의 전극 상에 금속 박막을 증착하는 제2단계; 상기 금속 박막을 양극 산화시켜 금속 산화물 나노튜브를 포함하는 가스 감지막을 형성하는 제3단계; 및 상기 가스 감지막의 표면을 식각하는 제4단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법를 제공한다. 또한, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 전극; 및 상기 전극 상에 형성된 가스 감지막을 포함하되, 상기 가스 감지막은, 전극 상에 증착된 금속 박막이 양극 산화되어 형성된 금속 산화물 나노튜브를 포함하는 가스 센서를 제공한다. 본 발명에 따르면, 공정이 단조롭고 일반적인 실리콘 반도체 제조 공정과 호환성을 갖는다. 또한, 대량 생산이 가능하고, 대면적과 함께 고감도 및 고신뢰성을 갖는다.
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