公开(公告)号：KR1020160039172A

公开(公告)日：2016-04-08

申请号：KR1020160035986

申请日：2016-03-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  조운조 ,  연규혁 ,  한일기 ,  최원준 ,  김준영

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L33/38 ,  H01L33/48

Abstract: 본발명은발광소자및 발광소자패키지에관한것이다. 본발명에따른발광소자는, 지지기판; 상기지지기판상에형성된제1 도전성반도체층; 상기제1 도전성반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에형성된제2 도전성반도체층; 및상기제2 도전성반도체층상에형성된격자구조의광확산층;을포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及发光器件和发光器件封装。 根据本发明的发光器件包括：支撑衬底; 形成在所述支撑基板上的第一导电半导体层; 形成在所述第一导电半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上的第二导电半导体层; 以及在第二导电半导体层上形成有栅格图案的光扩散层。 在本发明中，在发光元件的最上层形成具有较高折射率差的材料作为栅格结构，从而改善了光束扩展的角度。

公开(公告)号：KR1020150000615A

公开(公告)日：2015-01-05

申请号：KR1020130072911

申请日：2013-06-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고형덕 ,  김은겸 ,  한일기 ,  김지훈

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/06

CPC classification number: H01L51/5016 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/5012 ,  H01L2924/0615

Abstract: 백색 유기 발광 소자는 기판, 기판 위에 위치하는 제1 전극, 제1 전극 위에 위치하는 발광층, 그리고 발광층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 발광층은 폴리스티렌 유기물을 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及能够提高发光效率并简化制造工艺的白色有机发光元件。 根据本发明实施例的白色有机发光元件包括：基板; 布置在所述基板上的第一电极; 布置在所述第一电极上的发光层; 以及布置在发光层上的第二电极。

公开(公告)号：KR101388523B1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：KR1020130018424

申请日：2013-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  이은혜 ,  배민환 ,  최원준 ,  한일기 ,  오현지

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02466 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02546

Abstract: Disclosed are a manufacturing method for a compound semiconductor substrate using a silicon-based lattice mismatching elimination layer, which includes a step of forming an AlAsSb layer on a silicon substrate; a step of forming an AlAs on the AlAsSb layer; and a step of forming a GaAs layer on the AlAs, and a compound semiconductor substrate manufactured by the same.

Abstract translation: 公开了一种使用硅基晶格失配消除层的化合物半导体衬底的制造方法，其包括在硅衬底上形成AlAsSb层的步骤; 在AlAsSb层上形成AlAs的步骤; 以及在AlAs上形成GaAs层的工序，以及由其制造的化合物半导体基板。

公开(公告)号：KR100502884B1

公开(公告)日：2005-07-25

申请号：KR1020010088867

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  이정호

IPC: H01L29/15

Abstract: 본 발명은 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭을 조정하는 방법에 관한 것으로서, InGaAs/GaAs 양자점 기판을 성장하는 단계와, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 2중 유전체 덮개층을 성장하는 단계와, 2중 유전체 덮개층이 성장된 InGaAs/GaAs 양자점 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법을 제공한다. InGaAs/GaAs 양자점 기판에 유전체 덮개층으로 SiN
x 와 SiO
2 를 성장하고, 700℃에서 1 내지 4분간 열처리한 결과, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 국부적으로 다른 에너지 밴드갭이 형성되었고 공정 조건에 의존하여 에너지 밴드갭의 이동량이 변화하는 것을 관찰하며, 이와 함께 반치폭 값의 감소 현상과 스펙트럼 강도의 증가 현상을 관찰한다.

公开(公告)号：KR1020050041121A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：KR1020030076161

申请日：2003-10-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 한일기 ,  이정일 ,  조운조 ,  최원준 ,  허두창

IPC: H01S5/34

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/125 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/34373 ,  H01S2304/04

Abstract: 본 발명은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 다수의 압축 스트레인 우물층과 다수의 긴장 스트레인 장벽층으로 이루어진 스트레인 보상 다층양자우물을 갖는 에피 구조를 이용함으로써, 다층양자우물에서의 오제 재결합 발생 확률을 감소시키고, 다층양자우물의 온도 안정성을 더욱 향상시켜 양자 효율을 증가시키며, 최대 광출력 및 단일모드 광출력을 증가시킬 수 있는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050039911A

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：KR1020030074986

申请日：2003-10-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  박용주 ,  최원준 ,  한일기 ,  이정일

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02518 ,  H01L21/02617

Abstract: 본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040098798A

公开(公告)日：2004-11-26

申请号：KR1020030031065

申请日：2003-05-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 한일기 ,  허두창

IPC: H01L33/06

Abstract: PURPOSE: A super luminescent diode using a quantum dot as an active layer is provided to emit light with a region of a new wavelength by simultaneously satisfying a broad wavelength bandwidth of an LED(light emitting diode) and a high optical output of a laser diode. CONSTITUTION: A substrate(21) is prepared. The first cladding layer(22) is formed on the substrate to restrict emitted light. The first super lattice layer(23) is formed on the first cladding layer to control the arrangement of quantum dots. An active layer(24) of a quantum dot is formed on the first super lattice layer to emit the light with a predetermined wavelength. The second super lattice layer(25) is formed on the active layer to control the arrangement of the quantum dots. The second cladding layer(26) is formed on the second super lattice layer to restrict the light emitted from the active layer. An ohmic layer(27) is formed on the second cladding layer to control an ohmic contact.

Abstract translation: 目的：提供一种使用量子点作为有源层的超发光二极管，通过同时满足LED（发光二极管）的宽波长带宽和激光二极管的高光输出来发射具有新波长区域的光 。 构成：制备基材（21）。 第一包层（22）形成在基板上以限制发射的光。 第一超晶格层（23）形成在第一覆层上以控制量子点的排列。 量子点的有源层（24）形成在第一超晶格层上以发射具有预定波长的光。 第二超晶格层（25）形成在有源层上以控制量子点的排列。 第二覆层（26）形成在第二超晶格层上，以限制从有源层发射的光。 在第二覆层上形成欧姆层（27）以控制欧姆接触。

公开(公告)号：KR1020030058419A

公开(公告)日：2003-07-07

申请号：KR1020010088868

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 한일기 ,  최원준 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  허두창

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A method is provided which increase light output of a laser diode using a heavily doped p-InP insertion layer in an InP-based laser diode technique. CONSTITUTION: According to the method for forming an InGaAsP/InGaAs laser diode structure based on InP, a heavily doped p-InP layer is inserted, and the above p-InP layer is adjacent to a quantum well. The heavily doped p-InP layer is used in a ridge type laser diode, a large area laser diode, a taper type laser diode and a superluminescent laser diode. While inserting the heavily doped p-InP layer, Be and Zn are used as a p-doping impurity.

Abstract translation: 目的：提供一种使用InP基激光二极管技术中使用重掺杂p-InP插入层增加激光二极管的光输出的方法。 构成：根据用于形成基于InP的InGaAsP / InGaAs激光二极管结构的方法，插入重掺杂的p-InP层，并且上述p-InP层与量子阱相邻。 重掺杂的p-InP层用于脊型激光二极管，大面积激光二极管，锥形激光二极管和超发光激光二极管。 当插入重掺杂的p-InP层时，使用Be和Zn作为p掺杂杂质。

公开(公告)号：KR1020030058418A

公开(公告)日：2003-07-07

申请号：KR1020010088867

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  이정호

IPC: H01L29/15

Abstract: PURPOSE: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by combination of a dielectric capping layer in a quantum dot disorder method is provided to form different band gap regions on the same InGaAs/GaAs quantum dot substrate by coating a dielectric capping layer on a quantum dot structure and performing a thermal process. CONSTITUTION: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by using a dielectric capping layer includes a dielectric combination formation process and an energy band gap formation process. The dielectric combination formation process is to form a dielectric combination on a quantum dot substrate by using SiNx and SiO2 as the dielectric capping layer. The quantum dot substrate having a different energy band gap is formed by performing a thermal process for the quantum dot substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种通过量子点无序方法中的介电覆盖层的组合来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法，通过涂覆电介质在同一InGaAs / GaAs量子点基板上形成不同的带隙区域 覆盖在量子点结构上并进行热处理。 构成：通过使用介电覆盖层来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法包括电介质组合形成工艺和能带隙形成工艺。 电介质组合形成工艺是通过使用SiN x和SiO 2作为电介质覆盖层在量子点衬底上形成电介质组合。 通过对量子点基板进行热处理，形成具有不同能带隙的量子点基板。

公开(公告)号：KR1020020042229A

公开(公告)日：2002-06-05

申请号：KR1020000072036

申请日：2000-11-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김동환 ,  이상배 ,  최상삼 ,  변영태 ,  한일기

IPC: G02B26/00

CPC classification number: G02F2/004

Abstract: PURPOSE: A high speed optical wavelength converting apparatus for detecting electrooptic synchronous signal at the same time is provided to realize a high speed optical wavelength convertor without an optical pump and to realize a clock generator generating optical pulse trains with synchronized to the phase of input signal train. CONSTITUTION: The apparatus includes a mode locking laser(100) and an attenuator(120) for attenuating an optical output of an optical fiber. The first and second polarization controllers(140,280) are provided for maximizing four-wave mixing phenomenon because the four-wave mixing phenomenon is dependent upon polarization. A 3-dB optical coupler(160) is provided for dividing optical intensity into fifty to fifty. An optical isolator(180) transmits an optical wavelength of the optical fiber. A semiconductor optical amplifier(200) is operated as a laser gainer and a wavelength converter. The apparatus includes a delay line(220), an output variable optical fiber coupler(240) for varying the output intensity of the optical fiber, a band pass filter(260) for varying and filtering the optical wavelength, the first and second band pass filters(300,340), and an oscilloscope(340).

Abstract translation: 目的：提供同时检测电光同步信号的高速光波长转换装置，以实现无光泵的高速光波长转换器，实现与输入信号相位同步的产生光脉冲串的时钟发生器 培养。 构成：该装置包括用于衰减光纤的光输出的模式锁定激光器（100）和衰减器（120）。 第一和第二偏振控制器（140,280）用于使四波混频现象最大化，因为四波混频现象取决于极化。 提供了一种3分贝光耦合器（160），用于将光强度分成五十到五十。 光隔离器（180）透射光纤的光波长。 半导体光放大器（200）作为激光增益器和波长转换器工作。 该装置包括延迟线（220），用于改变光纤的输出强度的输出可变光纤耦合器（240），用于改变和滤波光波长的带通滤波器（260），第一和第二带通 滤波器（300,340）和示波器（340）。