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公开(公告)号：KR1020130126840A
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020120047360
申请日：2012-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L29/41758 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/05568 , H01L2224/056 , H01L2224/06135 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014
Abstract: The present invention relates to a GaN (gallium nitride)-based compound power semiconductor device and a manufacturing method thereof. The gallium nitride-based compound power semiconductor device comprises a gallium nitride-based compound element growing on a wafer; a contact pad including a source, a drain and a gate on the gallium nitride-based compound element; a module substrate to which the gallium nitride-based compound element is bonded with a flip chip; a bonding pad formed on the module substrate; and a bump formed on the bonding pad of the module substrate to bond the contact pad and the bonding pad with the flip chip. According to the present invention, processing costs are low by forming the bump on the substrate with a front process (wafer level). According to the present invention, heat generated in an AlGaN HEMT element is quickly discharged becuase a subsource contact pad and subdrain contact pad of the substrate is formed on the substrate. According to the present invention, the heat generated in the AlGaN HEMT element is effectively discharged by forming a via hole on the substrate and filling the via hole with conductive metal.
Abstract translation: 本发明涉及一种GaN（氮化镓））复合功率半导体器件及其制造方法。 氮化镓基复合功率半导体器件包括在晶片上生长的氮化镓基化合物元素; 接触焊盘，其包括在所述氮化镓基复合元件上的源极，漏极和栅极; 所述氮化镓系复合元件与倒装芯片接合的模块基板; 形成在所述模块基板上的焊盘; 以及形成在模块基板的焊盘上的凸块，以将接触焊盘和焊盘与倒装芯片接合。 根据本发明，通过用前处理（晶片级）在基板上形成凸块来加工成本低。 根据本发明，在AlGaN HEMT元件中产生的热量由于子源接触焊盘而快速放电，并且在衬底上形成衬底的亚临界接触焊盘。 根据本发明，通过在基板上形成通孔并用导电金属填充通孔来有效地排出在AlGaN HEMT元件中产生的热量。
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公开(公告)号：KR1020130071748A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：KR1020110139142
申请日：2011-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/06
CPC classification number: H04B1/18 , H03F1/26 , H03F2200/294
Abstract: PURPOSE: A multi-channel beam scan receiver is provided to include a multi-channel antenna in a single substrate. CONSTITUTION: A switch (103) selects one of plurality of signals received through a multi-channel antenna. A first low-noise amplifier (105) firstly amplifies a signal selected in the switch. A band-pass filter (107) filters the firstly amplified signal. A second low-noise amplifier (109) secondly amplifies the filtered signal. A detector (111) converts the secondly amplified signal into voltage. [Reference numerals] (101) Multi-channel antenna; (103) Switch; (105) First low-noise amplifier; (107) Band-pass filter; (109) Second low-noise amplifier; (111) Detector; (115) DC amplifier
Abstract translation: 目的：提供多通道光束扫描接收器，以在单个基板中包括多通道天线。 构成：开关（103）选择通过多通道天线接收的多个信号中的一个。 第一低噪声放大器（105）首先放大在开关中选择的信号。 带通滤波器（107）对第一放大信号进行滤波。 第二低噪声放大器（109）二次放大经滤波的信号。 检测器（111）将第二放大信号转换为电压。 （附图标记）（101）多声道天线; （103）开关; （105）第一低噪声放大器; （107）带通滤波器; （109）第二低噪声放大器; （111）检测器; （115）直流放大器
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公开(公告)号：KR1020130031771A
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：KR1020120062664
申请日：2012-06-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/402 , H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a method for fabrication the same are provided to improve productivity and stability by not using a lithography process. CONSTITUTION: An active layer(31), a cap layer(32), an ohmic metal layer(33) and an insulating layer(34) are formed on a substrate(30). An insulating layer is etched by using a photoresist pattern as an etching mask. A metal is deposited on a gate recess region(37c) and the insulating layer to form a gate-electric field electrode layer(39).
Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管及其制造方法，以通过不使用光刻工艺来提高生产率和稳定性。 构成：在基板（30）上形成有源层（31），盖层（32），欧姆金属层（33）和绝缘层（34）。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻绝缘层。 金属沉积在栅极凹部区域（37c）和绝缘层上以形成栅极 - 电场电极层（39）。
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公开(公告)号：KR101226955B1
公开(公告)日：2013-01-28
申请号：KR1020090123356
申请日：2009-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66462
Abstract: 본 발명은 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법을 개시한다. 이 방법은 기판 상에 활성 층과 캡핑 층을 형성하고, 상기 캡핑 층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성한다. 이후, 기판 상에 층간 절연막을 형성하고, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 층간 절연막 상에서 비대칭적인 깊이의 제 1 개구부와 제 2 개구부를 갖는 레지스트 층들을 형성한다. 제 1 개구부는 층간 절연막을 노출시키고, 제 2 개구부는 상기 레지스트 층들 중 최하부 레지스트 층을 노출시킨다. 다음으로, 제 1 개구부 바닥의 층간 절연막과 제 2 개구부 바닥의 최하부 레지스트 층을 동시에 제거하여 상기 제 1 개구부 내에 캡핑 층을 노출시키고, 상기 제 2 개구부 내에 층간 절연막을 노출시킨다. 그리고, 제 1 개구부의 캡핑 층을 제거하여 활성 층을 노출 시킨 후, 기판 상에 금속 층을 증착하여 제 1 개구부와 제 2 개구부 내에 게이트 전극과 전계 전극을 동시에 형성할 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다. 마지막으로 레지스트 층들을 제거하여 상기 레지스트 층들 상의 금속 층을 리프트 오프 시킬 수 있다.
활성, 캡핑(capping), 개구부, 절연막, 리프트 오프(lift-off)-
公开(公告)号：KR1020110052336A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090109325
申请日：2009-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a transistor is provided to reduce resistance and parasitic capacitance by controlling the height of a Y-shaped gate electrode according to the thickness of a mold oxide layer with a trench and a depressed part. CONSTITUTION: A source electrode(11) and a drain electrode(12) are formed on a substrate(10). A mold oxide layer is formed on the substrate. A depressed part is formed on the upper side of the mold oxide layer between the source electrode and the drain electrode. A trench which exposes the substrate is formed by removing the mold oxide layer in the depressed part. A recess(26) is formed by removing the substrate exposed by the trench with a preset depth. A Y shaped gate electrode(30) is connected from the recess to the depressed part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造晶体管的方法，通过根据具有沟槽和凹陷部分的模具氧化物层的厚度控制Y形栅电极的高度来降低电阻和寄生电容。 构成：在基板（10）上形成源电极（11）和漏电极（12）。 在基板上形成模具氧化物层。 在源电极和漏电极之间的模具氧化物层的上侧形成有凹部。 通过去除凹陷部分中的模制氧化物层来形成暴露基板的沟槽。 通过以预设深度去除由沟槽暴露的衬底而形成凹部（26）。 Y形栅电极（30）从凹部连接到凹部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110025500A
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：KR1020090083600
申请日：2009-09-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/8128 , H01L29/42316 , H01L29/66863 , H01L21/02225 , H01L29/41725 , H01L29/42312
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a forming method thereof are provided to improve the low noise property by reducing the parasitic capacitance among the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode. CONSTITUTION: An active layer is formed on the top of the substrate. The capping layer is formed on the active layer. A source and a drain electrode are formed on the capping layer. A gate electrode(140) is formed on the active layer. A first void region(155) is formed on the first side wall of the gate electrode. A second void region(156) is formed on the second side wall facing the first side wall.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其形成方法，通过减小栅电极，源电极和漏电极之间的寄生电容来改善低噪声特性。 构成：在衬底的顶部上形成有源层。 覆盖层形成在有源层上。 源极和漏极形成在封盖层上。 在有源层上形成栅电极（140）。 第一空隙区域（155）形成在栅电极的第一侧壁上。 在面向第一侧壁的第二侧壁上形成第二空隙区域（156）。
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公开(公告)号：KR100976627B1
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：KR1020070127884
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/10
CPC classification number: H03K17/063 , H01P1/15 , H03K17/693 , H03K2017/066
Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역 스위치 회로에 관한 것으로서, 신호 포트 경로 상에 배치되어 관심 주파수에 정합되고, 입출력 전송선로와 수직으로 연결되는 트랜지스터 및 상기 입출력 전송선로의 상부 및 하부에 대칭적으로 배치되는 다수의 접지 비아홀을 포함하는 제1, 제2 스위치 셀; 상기 제1, 제2 스위치 셀의 바이어스 안정화를 위한 제1, 제2 캐패시터; 상기 제1, 제2 캐패시터와 각각 병렬 연결되어 상기 제1, 제2 스위치 셀을 제어하기 위한 제1, 제2 바이어스 패드; 및 특정 임피던스 값을 가지며, 터미널 포트를 경유하여 공통포트와 상기 제1 스위치 셀 또는 상기 공통포트와 상기 제2 스위치 셀을 연결하는 터미널 전송회로를 포함하며, 이에 따라 별도의 다른 스위치 소자를 사용하지 않고도 최적화 스위치 셀의 대칭 구조에 의해 회로 설계 및 레이아웃(layout)을 간단하게 함으로써, 격리도를 향상시킬 수 있으며, 저삽입손실과 함께 집적회로의 칩 사이즈를 줄일 수 있으므로 제조 공정의 수율과 집적도의 향상을 통해 제조비용을 감소시킬 수 있다.
밀리미터파 대역, 스위치 회로, 스위치 셀, 트랜지스터, 전송선로, 공통 포트, 비아홀, 컨트롤 바이어스 패드, 캐패시터.-
78.发明公开부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 소자를 갖는 파워 앰프 失效用于制造PSEUDOMORPHIC高电子移动晶体管器件的方法和具有相同产生的PHEM的功率放大器
公开(公告)号：KR1020100060108A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080118554
申请日：2008-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04 , H01L29/772
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a pseudomorphic high electron mobility transistor device is provided to satisfy wideband characteristics and unconditionally stable conditions by including a negative feedback circuit. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a pseudomorphic high electron mobility transistor device, an epitaxial substrate is provided(101). A source and a drain are formed on a substrate. The epitaxial substrate is processed by a gate recess etching including a dry and wet method to form a recess region. The gate(180) is formed in the recess region.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造伪像高电子迁移率晶体管器件的方法，通过包括负反馈电路来满足宽带特性和无条件稳定条件。 构成：在制造假晶高电子迁移率晶体管器件的方法中，提供外延衬底（101）。 源极和漏极形成在衬底上。 通过包括干法和湿法的栅极凹槽蚀刻来处理外延衬底以形成凹陷区域。 门（180）形成在凹陷区域中。
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公开(公告)号：KR1020100060107A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080118553
申请日：2008-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03F3/193 , H03F1/0211 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F2200/451
Abstract: PURPOSE: A super high frequency amplifier and a bias circuit for the same are provided to optimize performance by adjusting a source voltage, regardless of a change in the properties of a depletion-type FET(Field Effect Transistor) due to the process change. CONSTITUTION: An amplifier circuit amplifies a high frequency signal through a depletion-type FET(30). An input matching circuit(20) matches the inputted high frequency signal in the depletion-type FET. An output matching circuit(40) matches the amplified signal, and thereby outputs the matched signal. A bias circuit(80) gives a negative value to a voltage between a gate and a source of the depletion-type FET by applying a positive voltage to the source of the depletion-type FET. The bias circuit tunes the voltage between the gate and the source by changing the positive voltage applied to the source.
Abstract translation: 目的：提供超高频放大器和偏置电路，以通过调节源极电压来优化性能，而不管由于过程变化而导致的耗尽型FET（场效应晶体管）的特性变化。 构成：放大器电路通过耗尽型FET（30）放大高频信号。 输入匹配电路（20）匹配耗尽型FET中输入的高频信号。 输出匹配电路（40）匹配放大的信号，从而输出匹配信号。 偏置电路（80）通过向耗尽型FET的源极施加正电压来给出耗尽型FET的栅极和源极之间的电压的负值。 偏置电路通过改变施加到源极的正电压来调节栅极和源极之间的电压。
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公开(公告)号：KR1020070059842A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060044929
申请日：2006-05-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C25D5/54
Abstract: A gold bump structure which can reduce defective proportion generated due to causes such as lead opening and the like in a process of bonding the gold bump to semiconductor chips and so on by improving non-uniformity of the gold bump with respect to thickness of a gold bump formed by a plating process, and a fabrication method of the gold bump structure are provided. A gold bump comprises: a seed metal layer formed on a substrate; a plating bump layer formed on an upper portion of the seed metal layer; and a domed gold-rich process alloy formed on an upper portion of the plating bump layer and made from a metal with a low melting point. A fabrication method of a gold bump comprises the steps of: forming a seed metal layer(23) on a substrate(21); plating and forming a gold bump layer(25) on the seed metal layer; forming a metal layer with a low melting point on the gold bump layer; and forming a domed gold-rich process alloy(27) on an upper portion of the low melting point metal layer-formed gold bump layer. The method further comprises the steps of: forming an adhesion layer(22) between the seed metal layer and the substrate; removing the exposed seed metal layer and the adhesion layer under the exposed seed metal layer; and forming a photosensitive film for forming patterns of the gold bump layer.
Abstract translation: 一种金凸块结构，其可以通过改善金凸块相对于金的厚度的不均匀性，从而在金凸块与半导体芯片等接合的过程中减少由于诸如引线开口等原因而产生的不良比例 提供通过电镀工艺形成的凸块，以及金凸块结构的制造方法。 金凸块包括：形成在基板上的种子金属层; 形成在种子金属层的上部的电镀突起层; 以及形成在电镀凸块层的上部并由具有低熔点的金属制成的穹顶金富余工艺合金。 金凸块的制造方法包括以下步骤：在基底（21）上形成种子金属层（23）; 电镀并在种子金属层上形成金突起层（25）; 在金凸点层上形成具有低熔点的金属层; 以及在低熔点金属层形成的金凸块层的上部形成圆顶状富金合金（27）。 该方法还包括以下步骤：在种子金属层和基底之间形成粘合层（22）; 去除暴露的种子金属层下的暴露的种子金属层和粘附层; 以及形成用于形成金凸块层的图案的感光膜。
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