公开(公告)号：KR101174670B1

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020110045313

申请日：2011-05-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  안기석 ,  박보근 ,  이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  신용숙 ,  정석종

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a patterned graphene applied to a graphene based device is provided to manufacture a single-multilayered graphene with a desirable pattern by using a patterned metal catalyst layer. CONSTITUTION: A substrate is prepared. A mask is fixed to the substrate. A patterned metal catalyst layer is formed on the substrate. A graphene layer is grown on the metal catalyst layer. The grown graphene layer is transferred to the insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造施加到基于石墨烯的器件的图案化石墨烯的方法，以通过使用图案化的金属催化剂层制造具有所需图案的单层多层石墨烯。 构成：制备底物。 掩模固定在基板上。 在基板上形成图案化的金属催化剂层。 在金属催化剂层上生长石墨烯层。 生长的石墨烯层被转移到绝缘层。

公开(公告)号：KR101116404B1

公开(公告)日：2012-03-09

申请号：KR1020090082061

申请日：2009-09-01

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이두형 ,  김창균 ,  정택모 ,  이선숙 ,  안기석 ,  정선호 ,  최영민 ,  류병환

IPC: B82B3/00 ,  B22F9/24 ,  C01G3/00

Abstract: 본발명은박막형화합물태양전지의광 흡수층물질인 CI(G)S(CuInGaSe; 0

公开(公告)号：KR1020110024157A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：KR1020090082043

申请日：2009-09-01

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이두형 ,  김창균 ,  정택모 ,  이선숙 ,  안기석 ,  정선호 ,  최영민 ,  류병환

IPC: B82B3/00 ,  C01G3/00 ,  B22F9/24

CPC classification number: C01G3/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/00 ,  C01G15/003 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing low temperature water-based copper-indium-(gallium-)selenide(CuIn_xGa_1-xSe_2) nano particles is provided to use carboxylic acid derivative in order to be eco-friendly implemented. CONSTITUTION: A copper complex is prepared by reacting a copper compound and carboxylic acid derivative, represented by chemical formula 1, in an aqueous solvent. A selenium compound is introduced into the copper complex solution, and a copper-selenium complex is prepared. An indium compound is introduced into a copper-selenium complex solution. Copper-indium-(gallium-)selenium nano particles are prepared.

Abstract translation: 目的：提供一种制造低温水性铜铟 - （ - 硒化镓）（CuIn_xGa_1-xSe_2）纳米颗粒的方法，以使用羧酸衍生物进行环保实施。 构成：通过将化合物1表示的铜化合物和羧酸衍生物在水性溶剂中反应制备铜络合物。 将硒化合物引入铜络合物溶液中，并制备铜 - 硒络合物。 将铟化合物引入铜 - 硒络合物溶液中。 制备了铜 - 铟 - （镓）硒纳米颗粒。

公开(公告)号：KR100997040B1

公开(公告)日：2010-11-26

申请号：KR1020080051047

申请日：2008-05-30

Applicant: 홍익대학교 산학협력단 ,  한국원자력연구원 ,  한국화학연구원

Inventor： 황진하 ,  이홍경 ,  이준영 ,  한영환 ,  이병철 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 전자빔 조사 및 어닐링 공정에 의해 메모리 특성을 향상키는데 있다.
이를 위해 본 발명은 반도체 기판 준비 단계와, 터널링층 형성 단계와, 전하 저장층 형성 단계와, 제어층 형성 단계로 이루어진 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법에 있어서, 제어층의 표면에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사 단계 및/또는 어닐링 단계가 더 포함된 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법을 개시한다.

公开(公告)号：KR1020100112260A

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：KR1020090030679

申请日：2009-04-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  정인경

IPC: C07F5/00 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C07F5/003

Abstract: PURPOSE: A novel indium alkoxide compound with an alkoxide as a ligand and a method for preparing the same are provided to use as a indium ingredient for depositing various alloys. CONSTITUTION: An indium alkoxide compound is denoted by chemical formula 1, In(O-A-NR^1R^2)_x(OR^3)_3-x. The indium alkoxide compound of chemical formula 1 is prepared by reacting alcohol of chemical formula 6, HO-A-NR^1R^2 with indium compound of chemical formula 5, In(NR^6_2)_3. The indium alkoxide compound of chemical formula 1 is also prepared by reacing indium compound of chemical formula 7, In(OR^3)_3-x(NR^6_2)_x with amino alcohol of chemical formula 6. An indium-containing thin film is formed by MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) or ALD(atomic layer deposition).

Abstract translation: 目的：提供一种具有醇盐作为配体的新型烷氧基铝化合物及其制备方法，用作沉积各种合金的铟成分。 构成：通过化学式1表示烷氧基铟化合物，In（O-A-NR ^ 1R ^ 2）_x（OR ^ 3）_3-x。 化学式1的烷氧基化铟化合物通过使化学式6的醇，HO-A-NR 1 1R 2与化学式5的铟化合物In（NR 6 - 6）3反应来制备。 化学式1的烷氧基化铟化合物也可以通过用化学式6的氨基醇取代化学式7的铟化合物In（OR 3 3）_3-x（NR 6 6））来制备。含铟薄膜是 由MOCVD（金属有机化学气相沉积）或ALD（原子层沉积）形成。

公开(公告)号：KR100976877B1

公开(公告)日：2010-08-23

申请号：KR1020080083172

申请日：2008-08-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: C07F5/00 ,  B82B3/00

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 인듐 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
In[OA-NR
1 R
2 ]
2 [NR
3
2 ]
상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고, R
1 및
R
2 는 서로 독립적으로 수소 또는 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기이고 R
3 는 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C
1 -C
5 )알킬실릴기이다.
본 발명에 따르는 인듐 화합물은 인듐 또는 산화 인듐의 선구 물질로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 승화되는 특성을 나타냄으로 인듐을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 인듐 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
인듐, 인듐 산화물, 인듐 산화물 선구 물질, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 침착법(ALD)

公开(公告)号：KR100962431B1

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020080083183

申请日：2008-08-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박민정

IPC: C07F5/06 ,  C07F5/00

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 알루미늄 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

[상기 화학식 1에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고; 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 수소 또는 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; R
3 는 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C1-C5)알킬실릴기이다.]
본 발명에 따르는 알루미늄 아미노 알콕사이드 화합물은 산화알루미늄 선구 물질로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 높은 증기압을 가지는 특성을 나타냄으로 알루미늄을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 증착에 알루미늄 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
알루미늄, 알루미늄 산화물, 알루미늄 산화물 선구물질, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD)

公开(公告)号：KR1020100054317A

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：KR1020080113192

申请日：2008-11-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  윤혜정

IPC: C01F7/00

CPC classification number: C07F5/06

Abstract: PURPOSE: Novel aluminum alkoxide compounds and a preparing method thereof are provided, which can obtain heat stability and excellent volatility and enable manufacture of a film of the high purity containing aluminum. CONSTITUTION: An aluminium alkoxide compound is represented as the chemical formula 1, Al(O-A-NR^1R^2)_x(R^3)_3-x. In the chemical formula 1, A is alkylene of C2-C5 and is substituted for linear or branched alkyl of one or more C1-C5, R^1 to R^3 are independently linear or branched alkyl of C1-C5, and X is fixed number of 1 to 3. The manufacturing method of the aluminium alkoxide compound is to react aluminum compound of the chemical formula 3, AlR^3_3 and alcohol of the chemical formula 4, HO-A-NR^1R^2.

Abstract translation: 目的：提供新的烷氧基铝化合物及其制备方法，其可以获得热稳定性和优异的挥发性，并且能够制造含有高纯度的铝的膜。 构成：烷氧化铝化合物表示为化学式1，Al（O-A-NR 1 R 1）2（X 3）3-x。 在化学式1中，A是C 2 -C 5的亚烷基并且被一个或多个C 1 -C 5的直链或支链烷基取代，R 1至R 3独立地是C1-C5的直链或支链烷基，X是 固定数量为1〜3。烷氧基铝化合物的制造方法是使化学式3的铝化合物，AlR 3 3 3和化学式4的醇HO-A-NR 1 1R 2。

公开(公告)号：KR1020100054300A

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：KR1020080113164

申请日：2008-11-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  윤혜정 ,  류병환

IPC: C01G27/00

Abstract: PURPOSE: A novel hafnium alkoxide compounds and a preparing method thereof are provided, in which compounds are thermally stable, have high volatility, and enhance reactivity with the ozone. CONSTITUTION: A novel hafnium alkoxide compound is represented as the chemical formula 1, HF(OCR^1R^2R^3)_4. In the chemical formula 1, R^1 and R2 are independently the linear or branched alkyl group of C1-C5, R^3 is linear alkenyl or alkynyl group of C2-C5. R^1 and R2 are independently selected from CH_3, C2H5, and CH(CH_3)2 or C(CH_3)3, and R^3 is C≡CH, CH_2C≡CH, CH_2CH_2C≡CH, C≡CCH_3, CH_2C≡CCH_3 or CH_2CH_2C≡CCH_3. The manufacturing method of the hafnium alkoxide compound of the chemical formula 1 is to react hafnium amide compound of the chemical formula 2, Hf(NR^4R^5)_4 and alcohol compound of the chemical formula 3, HOCR^1R^2R^3.

Abstract translation: 目的：提供一种新型的铪醇盐化合物及其制备方法，其中化合物是热稳定的，具有高挥发性，并增强与臭氧的反应性。 构成：一种新的铪醇盐化合物以化学式1表示，HF（OCR 1 R 1 R 2 R 3）4。 在化学式1中，R 1和R 2独立地是C 1 -C 5的直链或支链烷基，R 3是C 2 -C 5的直链烯基或炔基。 R 1和R 2独立地选自CH 3，C 2 H 5和CH（CH 3）2或C（CH 3）3，R 3是C≡CH，CH 2C≡CH，CH 2 CH 2C≡CH，C≡CCH3，CH 2C≡CCH3 或CH 2 CH 2C≡CCH3。 化学式1的铪醇盐化合物的制造方法是使化学式2的铪酰胺化合物，Hf（NR 4 4R 5）4和化学式3的HO化合物HOCR 1 1R 2 2R 3 。

公开(公告)号：KR1020100025870A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：KR1020080084602

申请日：2008-08-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균 ,  이병국

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing copper thin films using copper precursor by an atomic layer deposition process is provided to manufacture a thin film which has exact composition and has uniform thickness. CONSTITUTION: A method for manufacturing copper thin films using copper precursor by an atomic layer deposition process comprises following steps. The copper amino alkoxide is supplied to an atomic layer deposition reactor and copper chemical species are adsorbed on a substrate. Copper element and reaction by-products which do not react are eliminated from the reactor. Ligand is removed from the substrate by supplying hydrogen plasma to the reactor. The reaction by-product is eliminated from the reactor.

Abstract translation: 目的：提供一种通过原子层沉积工艺制造使用铜前体的铜薄膜的方法，以制造具有精确组成并具有均匀厚度的薄膜。 构成：通过原子层沉积工艺制造使用铜前体的铜薄膜的方法包括以下步骤。 将铜氨基醇盐供应到原子层沉积反应器中，并将铜化学物质吸附在基底上。 从反应器中除去铜元素和不反应的反应副产物。 通过向反应器供应氢等离子体，将配体从基板上除去。 反应副产物从反应器中排除。