Wandlerbaugruppe umfassend einen Schallwandler und einen Umgebungswandler

    公开(公告)号:DE102016203228B4

    公开(公告)日:2022-10-27

    申请号:DE102016203228

    申请日:2016-02-29

    Abstract: Wandlerbaugruppe (120a, 120b, 120c), die Folgendes umfasst:eine Platine (129), die einen Durchlass (130) umfasst;einen Deckel (128), der über dem Durchlass (130) angeordnet ist, wobei der Deckel (128) ein erstes Gebiet einschließt;einen Schallwandler (122), der über dem Durchlass (130) angeordnet ist und eine Membran (140) umfasst, wobei die Membran (140) den Durchlass (130) von dem ersten Gebiet trennt; undeinen Umgebungswandler (124), der in der Platine (129) in dem Durchlass (130) oder auf einer Oberseite der Platine (129) in einem Hohlraum (144) des Schallwandlers (122) angeordnet ist,eine integrierte Schaltung (126), die auf der Platine (129) angeordnet ist und mit dem Schallwandler (122) und dem Umgebungswandler (124) gekoppelt ist, wobei die integrierte Schaltung (126) Folgendes umfasst:gemeinsam verwendete Schaltungsblöcke, die mit sowohl dem Schallwandler (122) als auch dem Umgebungswandler (124) gekoppelt sind; unddedizierte Schaltungsblöcke, die nur mit dem Schallwandler (122) gekoppelt sind.

    Analog-Digital-Wandler-Anordnung
    72.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102012110737B4

    公开(公告)日:2020-12-10

    申请号:DE102012110737

    申请日:2012-11-09

    Abstract: Analog-Digital-Wandler-Anordnung (10), umfassend:einen analogen Verstärker (13; 43; 73) mit einstellbarer Verstärkung,einen Analog-Digital-Wandler (15, 25, 48, 78),eine digitale Rekonstruktionseinrichtung (16; 26), wobei die digitale Rekonstruktionseinrichtung (16; 26) eine Einrichtung (27, 28; 410; 710, 736-753) zum Verringern einer Auswirkung von Transienten beim Verändern der veränderbaren Verstärkung des analogen Verstärkers (13; 43; 73) umfasst,wobei die Einrichtung (27, 78; 410; 710, 736-753) zum Verringern einer Auswirkung von Transienten ein dem Analog-Digital-Wandler (15; 25; 48; 78) nachgeschaltetes digitales Filter (27; 410; 710) umfasst, wobei die Einrichtung (27, 28; 410; 710, 736-753) zum Verringern einer Auswirkung von Transienten eine Interpolationseinrichtung (28; 736-753) zum Interpolieren von Signalwerten während des Auftretens einer Transienten oder einen Repeater zum Wiederholen von vor der Transienten auftretenden Signalwerten während der Transienten umfasst.

    MEMS-Baustein
    73.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102018203094B3

    公开(公告)日:2019-05-23

    申请号:DE102018203094

    申请日:2018-03-01

    Abstract: Ein MEMS-Baustein 100 umfasst ein Gehäuse 130 mit einem Innenvolumen V, wobei das Gehäuse 130 eine Schallöffnung 132 zu dem Innenvolumen V aufweist, ein MEMS-Bauelement 110 in dem Gehäuse 130 benachbart zu der Schallöffnung 132, und ein Schichtelement 138, das zumindest bereichsweise an einem dem Innenvolumen V zugewandten Oberflächenbereich 134-1, 136-1 des Gehäuses 130 angeordnet ist, wobei das Schichtelement 138 ein Schichtmaterial aufweist, das eine niedrigere Wärmeleitfähigkeit und optional eine höhere Wärmekapazität als das an das Schichtelement 138 angrenzende Gehäusematerial des Gehäuses 130 aufweist.

    MEMS-SENSOREN, VERFAHREN ZUM BEREITSTELLEN DERSELBEN UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES MEMS-SENSORS

    公开(公告)号:DE102017213277A1

    公开(公告)日:2019-02-07

    申请号:DE102017213277

    申请日:2017-08-01

    Abstract: Ein MEMS-Sensor umfasst eine MEMS-Anordnung mit einer beweglichen Elektrode und einer Statorelektrode, die der beweglichen Elektrode gegenüberliegend angeordnet ist. Der MEMS-Sensor umfasst eine mit der Statorelektrode verbundene erste Vorspannungsquelle, die konfiguriert ist, um eine erste Vorspannung an die Statorelektrode anzulegen. Der MEMS-Sensor umfasst ferner eine durch eine kapazitive Kopplung mit der Statorelektrode verbundene Gleichtaktausleseschaltung umfassend eine zweite Vorspannungsquelle, die ausgewählt ist, um eine zweite Vorspannung an eine der Statorelektrode abgewandte Seite der kapazitiven Kopplung anzulegen.

    Vorrichtung und Verfahren zum Steuern einer Verstärkung eines Verstärkers, und Digitalisierungsschaltkreis und Mikrofonbaugruppe

    公开(公告)号:DE102014106428B4

    公开(公告)日:2018-12-13

    申请号:DE102014106428

    申请日:2014-05-08

    Abstract: Digitalisierungsschaltkreis (300) zum Erzeugen einer digitalen Darstellung eines hoch-dynamischen Signals (202), der Folgendes umfasst:eine Eingangsschnittstelle (414), die dafür ausgelegt ist, das hoch-dynamische Signal (202) zu empfangen;einen Verstärker (302), der dafür ausgelegt ist, das hoch-dynamische Signal (202) zu empfangen und eine verstärkte Darstellung (304) des hoch-dynamischen Signals zu erzeugen, wobei der Verstärker (302) eine steuerbare Verstärkung hat;einen Analog-Digital-Wandler (306), der dafür ausgelegt ist, eine digitale Darstellung (308) der verstärkten Darstellung (304) zu erzeugen; undeinen Controller (400) zum Steuern der Verstärkung des Verstärkers (302), wobei der Controller (400) Folgendes umfasst:eine Eingangsschnittstelle, die dafür ausgelegt ist, eine Niedrigamplitudendarstellung (408) des hoch-dynamischen Signals (202) zu empfangen;einen Komparator (416), der dafür ausgelegt ist, die Signalamplitude der Niedrigamplitudendarstellung (408) mit einer zuvor festgelegten Schwelle zu vergleichen;eine Ausgangsschnittstelle (404), die dafür ausgelegt ist, ein Steuersignal (402) in den Verstärker einzuspeisen (302), wobei das Steuersignal (402) dafür ausgelegt ist, die Verstärkung des Verstärkers (302) so zu steuern, dass die Verstärkung um einen Skalierungsfaktor verringert wird, wenn die Signalamplitude der Niedrigamplitudendarstellung (408) die zuvor festgelegte Schwelle übersteigt; und einen Rekonstruierer (312), der betreibbar ist, eine digitale Rekonstruktion (314) des hoch-dynamischen Signals (202) unter Verwendung der digitalen Darstellung (308) zu erzeugen, wobei der Rekonstruierer (312) betreibbar ist, die Amplitude der digitalen Darstellung (308) um den Skalierungsfaktor zu erhöhen, um die digitale Rekonstruktion (314) zu erzeugen.

    Mikroelektromechanisches Mikrofon
    76.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102017118857B3

    公开(公告)日:2018-10-25

    申请号:DE102017118857

    申请日:2017-08-18

    Abstract: Ein mikroelektromechanisches Mikrofon kann einen Halter und eine an dem Halter getragene Schalldetektionseinheit aufweisen. Die Schalldetektionseinheit kann aufweisen: eine flächige erste Membran, eine von der ersten Membran beabstandet angeordnete flächige zweite Membran, wobei wenigstens eine von der ersten und der zweiten Membran wenigstens teilweise aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist, eine zwischen der ersten Membran und der zweiten Membran gebildete Niederdruckkammer, in welcher ein gegenüber Normaldruck verringerter Gasdruck vorliegt, eine wenigstens abschnittsweise in der Niederdruckkammer angeordnete Referenzelektrode, welche wenigstens abschnittsweise aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist, wobei die erste und die zweite Membran relativ zu der Referenzelektrode durch zu detektierende Schallwellen verlagerbar sind, wobei die Referenzelektrode einen flächigen Basisabschnitt sowie eine an dem Basisabschnitt bereitgestellte Versteifungsstruktur aufweist, welche auf einer zu der ersten Membran weisenden Seite des Basisabschnitts oder/und auf einer zu der zweiten Membran weisenden Seite des Basisabschnitts bereitgestellt ist.

    Eine Integrierte-Schaltung-Vorrichtung und eine Vorrichtung zum Schutz einer Schaltung

    公开(公告)号:DE102017103803A1

    公开(公告)日:2018-08-23

    申请号:DE102017103803

    申请日:2017-02-23

    Abstract: Eine Integrierte-Schaltung-Vorrichtung umfasst mindestens eine nichtlineare Schaltung. Ferner umfasst die Integrierte-Schaltung-Vorrichtung mehrere mit der nichtlinearen Schaltung gekoppelte Anschlussschaltungen. Jede Anschlussschaltung umfasst einen zugehörigen Anschluss und ein induktives Element, das mit dem zugehörigen Anschluss und der mindestens einen nichtlinearen Schaltung gekoppelt ist. Eine Schutzvorrichtung zum Schutz einer Schaltung umfasst ein Elektrostatische-Entladung-Schutzelement, das dafür ausgelegt ist, mit einem Schaltungsanschluss verbunden zu werden, und ein induktives Element, gekoppelt mit dem Elektrostatische-Entladung-Schutzelement und dafür ausgelegt, mit der Schaltung verbunden zu werden. Das induktive Element weist eine geringe Güte auf.

    Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Empfindlichkeit einer kapazitiven Sensorvorrichtung

    公开(公告)号:DE102014103445B4

    公开(公告)日:2018-06-07

    申请号:DE102014103445

    申请日:2014-03-13

    Abstract: Vorrichtung (200) zur Bestimmung der Empfindlichkeit (242) einer kapazitiven Sensorvorrichtung (210) mit einem Sensorkondensator (212) mit variabler Kapazität, wobei die Vorrichtung Folgendes umfasst:ein Messmodul (220), das konfiguriert ist, basierend auf einem ersten elektrischen Eingangssignal an den Sensorkondensator eine erste Größe zu bestimmen, die eine erste Kapazität des Sensorkondensators (212) angibt und basierend auf einem zweitem elektrischen Eingangssignal an den Sensorkondensator (212) eine zweite Größe zu bestimmen, die eine zweite Kapazität des Sensorkondensators (212) angibt; undeinen Prozessor (240), der konfiguriert ist, basierend auf der ersten und zweiten Größe oder einer Differenz davon die Empfindlichkeit (242) unter Verwendung einer funktionellen Beziehung zwischen der Empfindlichkeit (242) und der Differenz zwischen der ersten und der zweiten Kapazität zu bestimmen,wobei die funktionelle Beziehung ein Polynom ist, das aus der Differenz zwischen der ersten und der zweiten Kapazität konstruiert wurde.

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