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    陰極構成体、電子銃、及びこのような電子銃を有するリソグラフィシステム
    71.
    发明专利
    陰極構成体、電子銃、及びこのような電子銃を有するリソグラフィシステム 审中-公开
    具有阴极结构，电子枪，和这样的电子枪光刻系统

    公开(公告)号：JP2017501553A

    公开(公告)日：2017-01-12

    申请号：JP2016544160

    申请日：2014-12-22

    Applicant: マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ.

    Inventor： ディヌ−グールトレル、ローラ ,  ホガーボルスト、エリック・ペトルス

    IPC: H01J3/02 ,  H01J37/06 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/3174 ,  G03F7/70058 ,  H01J1/15 ,  H01J1/28 ,  H01J3/027 ,  H01J3/029 ,  H01J37/075 ,  H01J37/3177 ,  H01J2229/481 ,  H01J2237/061

    Abstract: 本発明は、長手方向(Z)に電子を放出するための、放出周縁(35)で境界が定められた放出表面(32)を収容している陰極本体(22)と、横断方向(X、Y)に陰極本体を少なくとも部分的に囲み、放出表面によって放出された電子を集束させるための、アパーチャ周縁(45)で境界が定められた電子透過アパーチャ(44)を有する集束電極(40)とを具備し、陰極本体は、アライメントされた位置(R0)から最大横断距離(d1)を超えて集束電極内に移動可能に配置され、アパーチャ周縁は、最大横断距離(d1)を超えるオーバーラップ距離(d2)にわたって、放出周縁を超えて放出表面の上に横断方向に延びている陰極構成体(20)に関する。

    Abstract translation: 本发明中，为了以发射在纵向方向上的电子（Z），阴极体（22）容纳通过释放轮辋（35），沿横向方向限定的释放表面（32）（X， 至少部分地包围阴极体Y），用于聚焦由所述发光面发射的电子，并且通过所述孔边缘界定的具有聚焦电极的电子传输孔（45）（44）（40） 包括阴极体可移动地设置在所述对准位置（R0）最大横向距离（D1）超出从孔周边的聚焦电极是重叠距离超过最大横向距离（d1）的 在（D2），该阴极结构在发射表面超出放电轮缘约（20）横向延伸。

    高ビーム電流および低ビーム電流の両方を用いた、高解像度イメージングのための二重レンズ銃電子ビーム装置および方法
    72.
    发明专利
    高ビーム電流および低ビーム電流の両方を用いた、高解像度イメージングのための二重レンズ銃電子ビーム装置および方法 有权
    随着高分辨率成像兼具高束电流和低电子束电流，双峰枪电子束的装置和方法

    公开(公告)号：JP2015531984A

    公开(公告)日：2015-11-05

    申请号：JP2015532101

    申请日：2013-09-13

    Applicant: ケーエルエー−テンカー コーポレイション ,  ケーエルエー−テンカー コーポレイション

    Inventor： シンロン ジャン ,  シンロン ジャン ,  リクン ハン ,  リクン ハン

    IPC: H01J37/28 ,  H01J37/04 ,  H01J37/06 ,  H01J37/09

    CPC classification number: H01J37/063 ,  H01J3/029 ,  H01J3/08 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/30472

    Abstract: 一実施形態は、電子ビームを放出するための二重レンズ電子銃を備える電子ビーム装置に関する。電子ビームは、第一の動作モードにおいては高ビーム電流電子ビームであり、第二の動作モードにおいては低ビーム電流電子ビームである。装置は、第一の動作モードにおいては高ビーム電流電子ビームの経路から外れ、第二の動作モードにおいては電子ビーム装置の光軸の中心に位置するコラムアパーチャをさらに備える。別の実施形態は、第一の銃レンズ、ビーム制限アパーチャ、および第二の銃レンズを備える電子銃に関する。第一の銃レンズは、ビーム制限アパーチャを通る前の電子を集束するが、第二の銃レンズは、ビーム制限アパーチャを通った後の電子を集束する。他の実施形態、態様および特徴もまた開示される。

    Abstract translation: 一个实施例涉及的电子束装置包括：用于发射电子束一个双透镜电子枪。 的电子束，在高电子束电流的电子束的第一操作模式，在第二操作模式是低电子束电流的电子束。 装置中，在第一操作模式从高电子束电流的电子束的路径的，在第二操作模式中，还包括在所述电子束装置的光轴的中心的柱孔。 另一个实施例中，第一透镜枪，光束限制孔，以及一个电子枪包括第二枪透镜。 第一枪透镜是通过光束限制孔前聚焦的电子，所述第二枪透镜通过光束限制孔后聚焦电子。 其它实施例，方面和特征也被公开。

    고 및 저 빔 전류 둘 다에 의한 고분해능 이미징을 위한 듀얼 렌즈 총 전자 빔 장치 및 방법
    75.
    发明公开
    고 및 저 빔 전류 둘 다에 의한 고분해능 이미징을 위한 듀얼 렌즈 총 전자 빔 장치 및 방법 审中-实审
    双镜头电子束装置和用于高分辨率和低光束电流的高分辨率成像方法

    公开(公告)号：KR1020150055023A

    公开(公告)日：2015-05-20

    申请号：KR1020157009422

    申请日：2013-09-13

    Applicant: 케이엘에이-텐코 코포레이션

    Inventor： 지앙신롱 ,  한리췬

    IPC: H01J37/28 ,  H01J37/063 ,  H01J3/08 ,  H01J3/02 ,  H01J37/09

    CPC classification number: H01J37/063 ,  H01J3/029 ,  H01J3/08 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/30472

    Abstract: 하나의실시예는전자빔을방출하는듀얼렌즈전자총(dual-lens electron gun)을포함하는전자빔 장치에관한것이다. 전자빔은제1 동작모드에서의고 빔전류전자빔(high beam-current electron beam) 및제2 동작모드에서의저 빔전류전자빔(low beam-current electron beam)이다. 본장치는제1 동작모드에서고 빔전류전자빔의경로를벗어나있고제2 동작모드에서전자빔 장치의광학축에중심을둔 경통부개구부를추가로포함한다. 다른실시예는제1 총렌즈(gun lens), 빔제한개구부, 및제2 총렌즈를포함하는전자총에관한것이다. 제1 총렌즈는전자들이빔 제한개구부를통과하기전에전자들을포커싱시키는반면, 제2 총렌즈는전자들이빔 제한개구부를통과한후에전자들을포커싱시킨다. 다른실시예들, 태양들및 특징들이또한개시되어있다.

    냉음극 전자원과 그 구동방법 및 필드 에미션 디스플레이
    77.
    发明授权
    냉음극 전자원과 그 구동방법 및 필드 에미션 디스플레이 失效
    冷阴极电子源及其驱动方法和场发射显示

    公开(公告)号：KR100522092B1

    公开(公告)日：2005-10-18

    申请号：KR1020037004361

    申请日：2001-09-27

    Applicant: 샤프 가부시키가이샤

    Inventor： 이데테츠야 ,  사와하타쥬니치 ,  우라야마마사오

    IPC: H01J1/30

    CPC classification number: H01J29/488 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J3/029 ,  H01J29/467 ,  H01J2329/00

    Abstract: A cold-cathode electron source having an improved utilization efficiency of an electron beam and a simple structure. The cold-cathode electron source comprises a gate electrode (4) provided on a substrate (2) through an insulating layer (3) and an emitter (6) extending through the insulating layer (3) and the gate electrode (4) and disposed in an opening of the gate. During the emission of electrons from the emitter (6), the following relationships are satisfied: 10 ÄV/ mu mÜ ≥ (Va-Vg)/(Ha-Hg) ≥ Vg/Hg; and Vg/Hg ÄV/ mu mÜ ≥ Va x 10 x (9.7-1.3 x 1n (Hg)) x (1000/Ha) , where Ha Ä mu mÜ is an anode-emitter distance, Va ÄVÜ is an anode-emitter voltage, Hg Ä mu mÜ is a gate-emitter distance, and Vg ÄVÜ is a gate-emitter voltage.

    캐소드 어레인지먼트, 전자총, 및 그런 전자총을 포함하는 리소그래피 시스템
    78.
    发明公开
    캐소드 어레인지먼트, 전자총, 및 그런 전자총을 포함하는 리소그래피 시스템 审中-实审
    阴极装置，电子枪和包括这种电子枪的光刻系统

    公开(公告)号：KR1020160104712A

    公开(公告)日：2016-09-05

    申请号：KR1020167021108

    申请日：2014-12-22

    Applicant: 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.

    Inventor： 디누-거틀러,라우라 ,  호거보스트,에릭페트러스

    IPC: H01J1/15 ,  H01J1/28 ,  H01J3/02 ,  H01J37/075 ,  H01J37/317 ,  G03F7/20

    CPC classification number: H01J37/3174 ,  G03F7/70058 ,  H01J1/15 ,  H01J1/28 ,  H01J3/027 ,  H01J3/029 ,  H01J37/075 ,  H01J37/3177 ,  H01J2229/481 ,  H01J2237/061

    Abstract: 본발명은길이방향(Z)으로전자들을방사하기위한방사표면(32)을하우징하는캐소드바디― 상기방사표면은방사둘레(35)에의해한정됨―; 횡방향으로캐소드바디를적어도부분적으로에워싸고방자표면에의해방사된전자들을포커싱하기위한전자전달애퍼처(44)를포함하는포커싱전극(40)을포함하는캐소드어레인지먼트(20)에관한것이고, 애퍼처는애퍼처둘레(45)에의해한정되고, 캐소드바디는정렬된포지션(Ro)으로부터최대횡 방향거리(d1)에걸쳐포커싱전극내에이동가능하게배열되고, 그리고애퍼둘레는방사표면을넘어그리고최대횡 방향거리를초과하는오버랩거리(d2)를넘어방사둘레를지나횡 방향으로연장된다.

    Abstract translation: 本发明的阴极体，其容纳的发射表面32，用于在纵向方向（Z）发射电子 - 通过表面有限性圆周35所发射的辐射; 本发明涉及阴极体中至少部分地包围在包括含有用于通过屏蔽表面，悬崖聚焦所发射的电子的电子转移孔（44）的聚焦电极（40），所述阴极装置（20）沿水平方向 孔径由孔45周围所定义的，阴极体被布置成横跨从对准位置（RO），和孔周长超出辐射表面的最大横向距离（D1）是在聚焦电极移动，并且 横向延伸超过径向范围超过超过最大横向距离的重叠距离d2。

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