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公开(公告)号:KR1020140065343A
公开(公告)日:2014-05-29
申请号:KR1020130140482
申请日:2013-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68735
Abstract: A substrate processing device prevents mist of a processing solution scattered from a wafer from returning to the wafer. The substrate processing device includes a rotary cup (20) surrounding a substrate (W) held in a substrate holding part (10), rotating with the substrate holding part, and guiding the processing solution scattered from the rotating substrate and a spinless outer cup (31) installed having a gap around the rotary cup and an inner space receiving the processing solution guided by the rotary cup. The height of the top of the rotary cup is higher than the height of the top of the outer cup. An outer protrusion (20c), extended in a circumferential direction and protruding toward an outer side of a radius direction of the rotary cup, is installed on an upper part of an outer surface of the rotary cup. The outer protrusion blocks the mist of the processing solution spattered from the gap of the outer cup to an upper part of the substrate.
Abstract translation: 基板处理装置防止从晶片散射的处理溶液的雾返回到晶片。 基板处理装置包括旋转杯(20),其包围保持在基板保持部(10)中的基板(W),与基板保持部旋转,并且引导从旋转基板散射的处理液和无旋转外杯 31),其具有围绕旋转杯的间隙和容纳由旋转杯引导的处理溶液的内部空间。 旋转杯顶部的高度高于外杯顶部的高度。 在旋转杯的外表面的上部安装有沿圆周方向延伸并朝向旋转杯的半径方向的外侧突出的外突出部(20c)。 外部突起阻挡从外杯的间隙溅射到基底的上部的处理溶液的雾。
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公开(公告)号:KR1020140045904A
公开(公告)日:2014-04-17
申请号:KR1020137006440
申请日:2012-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/465 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68785 , H01L21/68792 , H01L21/302
Abstract: 본 발명의 액처리 장치는, 기판(W)을 수평으로 유지하여 회전시키는 기판 유지부(21)와, 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 노즐(82)과, 기판 유지부에 유지된 기판의 둘레 가장자리의 외측에 마련되며, 처리액 노즐에 의해 기판에 공급된 뒤의 처리액을 받기 위한 컵(40)과, 기판 유지부에 유지된 기판을 위쪽에서 덮는 상부판(32)과, 상부판을 회전시키는 상부판 회전 구동 기구와, 상부판의 둘레 가장자리를 둘러싸는 환형의 액받이 공간(132)을 갖는 액받이 부재(130)를 구비하고 있다.
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公开(公告)号:KR101337718B1
公开(公告)日:2013-12-06
申请号:KR1020080068686
申请日:2008-07-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67265 , H01L21/68742
Abstract: 본 발명은 피처리 기판이 기판 유지 기구에 의해 적절히 유지되고 있는지를 잘못 검지하는 일 없이 정확히 판단할 수 있고, 제조 비용을 낮게 억제할 수 있으며, 또한 처리 중에 피처리 기판이 파손되었다고 해도 즉시 그 파손을 검지할 수 있는 것을 목적으로 한다.
처리 장치(1)는 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지 기구(20)와, 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구(30)와, 웨이퍼(W)를 주연부 외측으로부터 덮고 기판 유지 기구(20)와 일체가 되어 회전 가능한 회전 컵(61)을 포함하고 있다. 기판 유지 기구(20)는 일단(22a)에서 웨이퍼(W)를 유지하고 있을 때는 타단(22b)이 상측 위치에 위치하는 한편, 일단(22a)에서 웨이퍼(W)를 유지하고 있지 않을 때는 타단(22b)이 하측 위치에 위치하는 유지 부재(22)를 갖고 있다. 유지 부재(22)의 타단(22b)이 하측 위치에 위치하고 있을 때 해당 유지 부재(22)의 타단(22b)에 접촉 가능한 접촉식 센서(10)가 해당 유지 부재(22)의 타단(22b) 하측에 배치되어 있다.-
公开(公告)号:KR1020130091305A
公开(公告)日:2013-08-16
申请号:KR1020130091387
申请日:2013-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 이토노리히로
IPC: H01L21/302 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67051 , H01L21/67248 , Y10S134/902
Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium are provided to reduce processing time by heating processing liquid. CONSTITUTION: A first supply line (30) has a first liquid supply unit. A processing unit (50) supports a discharge opening. The discharge opening discharges liquid whose temperature is controlled. A returning line (35) returns the liquid to the first liquid supply unit. A liquid supply switch valve is installed on the first supply line.
Abstract translation: 目的:提供液体处理设备,液体处理方法和存储介质,以通过加热处理液来减少处理时间。 构成:第一供应管线(30)具有第一液体供应单元。 处理单元(50)支撑排出口。 排放口排出温度受控的液体。 返回管路(35)将液体返回到第一液体供应单元。 液体供应开关阀安装在第一供应管线上。
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公开(公告)号:KR101274824B1
公开(公告)日:2013-06-13
申请号:KR1020090067720
申请日:2009-07-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B3/04 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은 피처리체 근방 및 상방의 처리액 분위기를 효율적으로 배출하는 것을 목적으로 한다.
액 처리 장치는 피처리체(W)를 처리한다. 액 처리 장치는, 외부 용기(1)와, 외부 용기(1) 내에 배치되고 피처리체(W)를 지지하는 지지부(30a)와, 지지부(30a)에 의해 지지된 피처리체(W)를 회전시키는 회전 구동 기구(60)와, 피처리체(W)에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 피처리체(W)의 둘레 가장자리 바깥쪽에 배치되며 지지부(30a)와 함께 회전 가능한 회전컵(11)을 구비하고 있다. 회전컵(11)의 위쪽에는, 회전컵(11)과 함께 회전하는 회전 배기컵(10)이 마련되어 있다. 배출 기구는, 회전컵(11)과 회전 배기컵(10)에 의해 안내된 처리액 분위기를 배출한다.-
公开(公告)号:KR1020130023123A
公开(公告)日:2013-03-07
申请号:KR1020120092351
申请日:2012-08-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67017 , B08B3/022 , B08B3/08 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium are provided to supply processing solutions of a high temperature and obtain high heat resistance and chemical resistance against to the processing solutions of the high temperature. CONSTITUTION: A process chamber(20) receives a substrate maintaining unit to maintain a substrate(21). A discharge device(50) discharges a first liquid to the substrate on the substrate maintaining unit. A first liquid supply device(12) supplies the first liquid to the discharge device. The first liquid supply device includes a first temperature control device(30), a second temperature control device(40), and a first discharge line(51). A second liquid supply device(14) supplies a second liquid to the discharge device. A control device(60) controls the first liquid supply device and the second liquid supply device. [Reference numerals] (AA) From 60; (BB) To 60; (CC) To 42; (DD) From 45
Abstract translation: 目的:提供液体处理装置,液体处理方法和存储介质以提供高温处理溶液,并获得高温耐高温和耐化学腐蚀性的处理溶液。 构成:处理室(20)容纳衬底保持单元以维持衬底(21)。 排出装置(50)将第一液体排出到基板保持单元上的基板。 第一液体供应装置(12)将第一液体供应到排出装置。 第一液体供给装置包括第一温度控制装置(30),第二温度控制装置(40)和第一排出管线(51)。 第二液体供应装置(14)将第二液体供应到排出装置。 控制装置(60)控制第一液体供应装置和第二液体供应装置。 (标号)(AA)从60; (BB)至60; (CC)至42; (DD)从45
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公开(公告)号:KR1020130008459A
公开(公告)日:2013-01-22
申请号:KR1020120066786
申请日:2012-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67051 , G03F7/423
Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus and a liquid processing method are provided to improve the drying process of a substrate by using the gas purified by a hood. CONSTITUTION: A substrate holding unit horizontally maintains a substrate. A nozzle(82a) supplies processing liquid to the substrate. A cup receives the processing liquid. An air hood(70) flows purified gas down. A cup circumference case(50) is installed in the cup.
Abstract translation: 目的:提供液体处理装置和液体处理方法,以通过使用由发动机罩净化的气体来改善基材的干燥过程。 构成:基板保持单元水平地保持基板。 喷嘴(82a)向基板供给处理液。 杯子接收处理液体。 空气罩(70)将净化气体向下流动。 杯形外壳(50)安装在杯子中。
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公开(公告)号:KR1020120137222A
公开(公告)日:2012-12-20
申请号:KR1020120046818
申请日:2012-05-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67748
Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus and method are provided to prevent a substrate from being contaminated by particles by generating a down flow of clean gas with an air hood. CONSTITUTION: A processing fluid nozzle has an outlet that discharges a medicinal fluid from a wafer. A processing fluid provides the medicinal fluid to a processing fluid nozzle. A cover mechanism(60) covers the top of the wafer when the medicinal fluid is discharged to the wafer with the processing fluid nozzle. A lifting drive mechanism(78) drives the cover mechanism to the top and bottom between a descending position and an ascending position. An air hood(31) is located between the wafer and the cover mechanism and generates a down flow of clean gas.
Abstract translation: 目的:提供液体处理装置和方法,以通过用气罩产生清洁气体的下流来防止基质被颗粒污染。 构成:处理流体喷嘴具有从晶片排出药液的出口。 处理流体将药液提供给处理流体喷嘴。 当使用处理流体喷嘴将药液排放到晶片时,盖机构(60)覆盖晶片的顶部。 提升驱动机构(78)将盖机构在下降位置和上升位置之间驱动顶部和底部。 空气罩(31)位于晶片和盖机构之间,并产生清洁气体的向下流动。
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公开(公告)号:KR1020120089225A
公开(公告)日:2012-08-09
申请号:KR1020120078854
申请日:2012-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67051 , B05D1/002 , B05D3/0486 , H01L21/68728 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for processing a substrate and a computer readable recording medium are provided to accurately check a wafer condition by observing the pressure of the central part and the gap of the wafer in an acceleration process. CONSTITUTION: A table(15) includes a base plate(20). The table includes a gap(G) between a substrate (W) and the table and rotationally holds the substrate. A rotational drive device(35) rotationally drives the base plate. A pressure adjustment device(55) includes a sucking conduit(56). The sucking conduit is formed on the position opposed to the center part(Wa) of the substrate.
Abstract translation: 目的:提供用于处理基板和计算机可读记录介质的装置和方法,以通过在加速过程中观察晶片的中心部分压力和间隙来精确地检查晶片状况。 构成:桌子(15)包括底板(20)。 该工作台包括衬底(W)和工作台之间的间隙(G),并旋转地保持衬底。 旋转驱动装置(35)旋转地驱动基板。 压力调节装置(55)包括吸入管道(56)。 吸引导管形成在与基板的中心部(Wa)相对的位置。
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公开(公告)号:KR101062253B1
公开(公告)日:2011-09-06
申请号:KR1020070058021
申请日:2007-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 이토노리히로
IPC: H01L21/02 , H01L21/304
CPC classification number: G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67075 , H01L21/6708 , H01L21/68728 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/68792 , Y10S134/902
Abstract: 액 처리 장치는 기판(W)을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부(2)와, 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 기판과 함께 회전 가능하며, 기판으로부터 제거된 처리액을 수용하는 환형을 이루는 회전컵(4)과, 회전컵 및 기판 유지부를 일체적으로 회전시키는 회전 기구(3)와, 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 기구(5)를 구비한다. 액 처리 장치는 또한, 환형의 배액컵(51)과 환형의 배기컵(52)을 구비하고, 배기컵에 취입된 기체 성분을 배출하도록 배기컵에 배기구(70)가 접속된다. 배기컵과 배기구 사이에, 기체 성분의 기류가 배기컵 안에서 실질적으로 전체 둘레로부터 배기구를 향해서 흐르도록 기류를 조정하는 기류 조정 기구(78, 97, 99a)가 개재된다.
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