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公开(公告)号：KR1020040036410A
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020020065430
申请日：2002-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An infrared detecting pixel is provided to facilitate fabrication of the structure of a detection part and maximize an effective detecting area by separating the detection part from a substrate having a read-out integrated circuit by a gap and by electrically connecting electrodes of the detection part and the read-out integrated circuit by a pillar. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) includes the read-out integrated circuit. The detection part detects infrared rays, located over the semiconductor substrate and spatially separated from the substrate. A plurality of support units have a dual cylinder structure made of outer insulation pillars(104a,104b) and inner conductive bridges(106a,106b), connecting the semiconductor substrate with the detection part. A signal detected by the detection part is delivered to the read-out integrated circuit of the semiconductor substrate through the conductive bridge.
Abstract translation: 目的：提供一种红外线检测像素，以便于制造检测部件的结构，并通过将检测部分与具有读出集成电路的基板间隔开来并通过电连接检测电极而使检测部分分离，从而使检测部分最大化 部分和读出的集成电路由一个支柱。 构成：半导体衬底（100）包括读出的集成电路。 检测部分检测位于半导体衬底上并与衬底空间分离的红外线。 多个支撑单元具有由外绝缘柱（104a，104b）和内导电桥（106a，106b）制成的双圆筒结构，其将半导体衬底与检测部分连接。 由检测部检测的信号通过导电桥传送到半导体基板的读出集成电路。
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公开(公告)号：KR1020020042228A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：KR1020000072033
申请日：2000-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/409 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/50 , H01L21/02194 , H01L21/02197 , H01L21/02274 , H01L21/31691 , Y10S438/905
Abstract: PURPOSE: A formation method of a Sr-Ta-O thin film is provided to improve an electrical characteristic by forming a Sr-Ta-O thin film having a high dielectric constant and a low current leakage through an atomic vaporization using plasma. CONSTITUTION: A thermal treatment is performed at the temperature of 155 - 165 deg.C, after locating a substrate to a reactive chamber(119). Then, a source having a strontium tantalum ethoxide is injected to the reactive chamber(119) by a carrier gas. An evaporated source in the carrier gas is carried to the outer of the reactive chamber(119) by an Ar gas. A plasma is formed by injecting an oxygen into the reactive chamber(119). Then, the oxygen plasma is carried to the outer of the reactive chamber(119) using the Ar gas.
Abstract translation: 目的：提供Sr-Ta-O薄膜的形成方法，以通过使用等离子体通过原子蒸发形成具有高介电常数和低电流泄漏的Sr-Ta-O薄膜来改善电特性。 构成：在将基板定位到反应室（119）之后，在155-165℃的温度下进行热处理。 然后，通过载气将具有钽酸锶钽的源注入反应室（119）。 载气中的蒸发源通过Ar气输送到反应室（119）的外部。 通过将氧注射到反应室（119）中形成等离子体。 然后，使用Ar气体将氧等离子体运送到反应室（119）的外部。
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公开(公告)号：KR1020010037449A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990044998
申请日：1999-10-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A non-destructive read-out field effect transistor is provided to obtain enhanced stability by manufacturing an SBN thin film through an organic metal heat decomposition. CONSTITUTION: Ba 2-ethylhexanoate and Sr 2-ethylhexanoate are solved into xylene solvent and Nb-ethoxide is solved into 2-methoxyethanol to prepare a precursor solution. The precursor solution is deposited on a substrate to form an SBN thin film through spin-coating at 3000 rpm. The spin coated thin film is first dried at 150 deg.C for 5 minutes, and second dried at 450 deg.C for 5 minutes. The second drying is repeated to obtain a desired thickness of the thin film. Annealing is performed for the final crystallization at 850 deg.C under an oxygen or air atmosphere for 30 minutes to 1 hour.
Abstract translation: 目的：提供一种非破坏性的读出场效应晶体管，通过有机金属热分解制造SBN薄膜来获得更高的稳定性。 构成：将2-乙基己酸钡和Sr 2-乙基己酸酯溶解在二甲苯溶剂中，并将铌酸乙酯溶解在2-甲氧基乙醇中以制备前体溶液。 将前体溶液沉积在基底上以通过以3000rpm旋涂形成SBN薄膜。 旋涂的薄膜首先在150℃下干燥5分钟，然后在450℃下干燥5分钟。 重复第二次干燥以获得期望的薄膜厚度。 在氧气或空气气氛下，在850℃下进行退火30分钟至1小时。
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公开(公告)号：KR101818033B1
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020110113006
申请日：2011-11-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/5275 , H01L51/0097 , H01L51/5206 , H01L51/5212 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 플렉시블전극기판의제조방법이제공된다. 그의제조방법은필름의하부에마이크로렌즈어레이를형성하는단계와, 상기마이크로렌즈어레이에대향되는상기필름의상부에투명전극층을형성하는단계와, 상기필름과상기투명전극층 사이에또는상기투명전극층 상에그리드전극을형성하는단계를포함한다. 여기서, 상기그리드전극과, 상기마이크로렌즈어레이는상기필름의양면에잉크젯 방식, 롤투롤방식, 스크린방식, 스템프방식중 적어도하나의인쇄공정으로형성될수 있다.
Abstract translation: 提供了一种制造柔性电极基板的方法。 它们的制备方法包括：形成在膜的下部的微透镜阵列和，形成在薄膜上相对于微透镜阵列的顶部的透明电极层的步骤，在所述膜和所述电极层或透明电极层之间的透明 形成网格电极。 这里，可以形成在微透镜阵列和所述栅电极，喷墨法中的至少一个印刷过程中膜，辊对辊法，丝网法，冲压法的两个表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170141575A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020160153585
申请日：2016-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전극제조방법에관한것으로, 산화그래핀을포함하는조성물을준비하는것, 기판상에상기조성물을도포하여산화그래핀박막을형성하는것, 및상기산화그래핀박막에광을조사하는것을포함하되, 상기산화그래핀박막에광을조사하는것에의하여상기산화그래핀이환원되고, 상기산화그래핀박막내에기공이형성되는것을포함하는전극제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明包括上，氧化是haneungeot制备组合物，其包括销，以涂覆在基片haneungeot该组合物形成氧化物石墨烯薄膜照射光，并且是根据电极的制造方法的氧化销薄膜 其中用光照射氧化石墨烯薄膜，使氧化石墨烯减少，并在氧化石墨烯薄膜中形成孔隙。
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公开(公告)号：KR1020170100711A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160022684
申请日：2016-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른슈퍼캐패시터용전극은집전체, 상기집전체상에배치되고, 서로결합된복수개의다공성탄소섬유들을포함하는탄소구조체들을포함하되, 단면적관점에서, 각상기다공성탄소섬유들의표면은곡면이고, 상기다공성의탄소섬유들중 적어도두 개이상은적어도하나의상기다공성탄소섬유의표면상에배치되어결합될수 있다.
Abstract translation: 在根据本发明的一个实施例的视图的横截面面积点，但是超级电容器电极包括集流体，碳结构，其包括设置在所述集电体，多个结合到彼此多孔碳纤维，各多孔碳纤维的 该表面是弯曲表面，并且至少两个或多个多孔碳纤维可以设置并结合在至少一个多孔碳纤维的表面上。
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公开(公告)号：KR1020150052899A
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020130134089
申请日：2013-11-06
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/768
Abstract: 본발명은나노소자인쇄장치의구조를제공한다. 나노소자인쇄장치는기판, 상기기판상에서돌출된쐐기모양의제 1 전극, 상기제 1 전극상에제공되며, 상기제 1 전극을노출하는개구부를포함하는산화막, 상기산화막상에제공되며, 상기제 개구부에의해관통되는제 6 전극및 상기산화막내의상기제 1 전극과상기제 6 전극사이에제공되고, 제 1 방향으로서로마주보는제 4 및제 5 전극들, 상기산화막내에서상기제 4 및제 5 전극들과상기제 1 전극사이에제공되고상기 1 방향과직교하는제 2 방향으로서로마주보는제 2 및제 3 전극들을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种用于印刷纳米器件的装置。 用于印刷纳米器件的装置包括：在基板上突出成为楔形的第一电极; 设置在所述第一电极上并具有开口单元的氧化膜，其中所述第一电极被暴露; 设置在氧化膜上并由开口单元穿透的第六电极; 第四电极和第五电极，设置在氧化膜内部的第一和第六电极之间并且朝向第一方向彼此面对; 以及设置在所述第四电极和所述第五电极之间的第二和第三电极，并且所述第一电极和所述第一电极在所述氧化膜内部并且彼此相对于与所述第一方向成直角的第二方向。
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公开(公告)号：KR101419573B1
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：KR1020100116325
申请日：2010-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 생산성 및 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 옵셋 인쇄장치 및 그의 인쇄방법을 개시한다. 그의 장치는, 인쇄 롤과, 상기 인쇄 롤에 인쇄 물질을 도포하는 코팅부와, 상기 코팅부에서 상기 인쇄 롤에 도포된 상기 인쇄 물질을 패터닝하는 패터닝부와, 상기 인쇄 물질을 피 인쇄물에 인쇄하는 인쇄부와, 상기 인쇄 롤에 잔존하는 상기 인쇄 물질을 건식으로 세정하는 세정부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101309263B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020100015052
申请日：2010-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법이 제공된다. 유기 박막 트랜지스터의 형성방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 것, 기판 상에 게이트 전극을 덮으며 그 상부에 리세스 영역를 가지는 게이트 절연막을 형성하는 것, 리세스 영역 내에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것, 그리고 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 리세스 영역 내에 유기 반도체층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 소오스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 유기 반도체층 및 상기 게이트 전극을 형성하는 것은 상기 소오스 전극이 상기 유기 반도체층과 접하는 일 측면은 상기 게이트 전극의 일 측면과 정렬되고, 상기 드레인 전극이 상기 유기 반도체층과 접하는 일 측면은 상기 게이트 전극의 타 측면에 정렬되는 것을 포함한다.
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