公开(公告)号：DE102013108946B4

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：DE102013108946

申请日：2013-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MEISER ANDREAS ,  LANG HANS-PETER ,  MEYER THORSTEN ,  IRSIGLER PETER

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/283 ,  H01L21/74 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (505) mit einer ersten Seite (512) und einer zur ersten Seite (512) entgegengesetzten zweiten Seite (517),einen ersten Kontakttrench (510), der sich in den Halbleiterkörper (505) an der ersten Seite (512) erstreckt, wobei der erste Kontakttrench (510) ein erstes leitendes Material (514) enthält, das elektrisch mit dem an den ersten Kontakttrench (510) angrenzenden Halbleiterkörper (505) gekoppelt ist,einen zweiten Kontakttrench (515a, 515b), der sich in den Halbleiterkörper (505) an der zweiten Seite (517) erstreckt, wobei der zweite Kontakttrench (515a, 515b) ein zweites leitendes Material (519a, 519b) enthält, das elektrisch mit dem an den zweiten Kontakttrench (515a, 515b) angrenzenden Halbleiterkörper (505) gekoppelt ist, und wobeider erste und zweite Kontakttrench (510, 515a, 515b) sich jeweils durch ein Dielektrikum (591a, 591d) in den Halbleiterkörper (505) erstrecken, und jeweils ein leitendes Material aufweisen, das mit dem Halbleiterkörper (515) über jeweilige Seitenwände des ersten und zweiten Kontakttrenches (510, 515a, 515b) elektrisch verbunden ist, und das Dielektrikum (591a), durch das sich der erste Kontakttrench (510) erstreckt, auf dem Halbleiterkörper (505) an der ersten Seite (512) ausgebildet ist, und das Dielektrikum (591d), durch das sich der zweite Kontakttrench (515a, 515b) erstreckt, auf dem Halbleiterkörper (505) an der zweiten Seite (517) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102016110588B4

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE102016110588

申请日：2016-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L27/06 ,  H01L29/735 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400), umfassend:ein Halbleitersubstrat (102), wobei das Halbleitersubstrat (102) einen ersten Teil (110) und einen zweiten Teil (130) umfasst, die sich von einer Vorderseitenoberfläche (104) zu einer Rückseitenoberfläche (106) des Halbleitersubstrats (102) erstrecken, wobei sich eine vergrabene laterale isolierende Festkörperstruktur (112) in dem ersten Teil (110) des Halbleitersubstrats (102) befindet; undeinen Isoliergraben (140), der sich vertikal von der Vorderseitenoberfläche (104) zu der vergrabenen lateralen isolierenden Festkörperstruktur (112) erstreckt, wobei sich zumindest ein Teil des Isoliergrabens (140) lateral zwischen dem ersten Teil (110) des Halbleitersubstrats (102) und dem zweiten Teil (130) des Halbleitersubstrats (102) befindet,wobei der zweite Teil (130) des Halbleitersubstrats (102) nur Halbleitermaterial umfasst,wobei ein elektrisches Element an dem ersten Teil (110) des Halbleitersubstrats (102) implementiert ist, wobei das elektrische Element des ersten Teils (110) des Halbleitersubstrats (102) eine Durchbruchspannung höher als 10 V aufweist.

公开(公告)号：DE102015106688B4

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102015106688

申请日：2015-04-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H02M1/088 ,  H02M3/156 ,  H05B44/00 ,  H05B45/37

Abstract: Schalter (2) mit einem Feldeffekttransistor (200), in einem eine erste Hauptoberfläche (110) aufweisenden Halbleitersubstrat (100), umfassend:einen Sourcebereich (201) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp;einen Drainbereich (205) von dem zweiten Leitfähigkeitstyp;einem Drainkontakt (206), der in einem in der ersten Hauptoberfläche ausgebildeten Drainkontakttrench angeordnet ist, wobei der Drainbereich (205) direkt an den Drainkontakt (206) angrenzt;einen Bodybereich (220) von einem ersten Leitfähigkeitstyp;und eine Gateelektrode (210) bei dem Bodybereich (220), wobei die Gateelektrode (210) gestaltet ist, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich (220) gebildeten Kanales zu steuern, wobei die Gateelektrode (210) in Gatetrenches (212) vorgesehen ist,wobei der Bodybereich (220) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet ist, die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist, der Bodybereich (220) eine Gestalt eines Grates hat, der sich längs der ersten Richtung erstreckt, und der Bodybereich direkt angrenzend an den Sourcebereich (201) und direkt angrenzend an den Drainbereich (205) vorgesehen ist, wobei eine Driftzone zwischen Bodybereich (220) und Drainbereich (205) abwesend ist,wobei der Schalter (2) weiterhin einen Sourcekontakt (202), der in einem in der ersten Hauptoberfläche ausgebildeten Sourcekontakttrench (321) angeordnet ist, und einen Bodykontaktteil (225) aufweist, der Sourcekontakt (202) elektrisch mit einem Sourceanschluss (271) verbunden ist, und wobei der Bodykontaktteil (225) in dem Halbleitersubstrat (100) angrenzend an den Sourcekontakt (202) angeordnet und mit dem Sourcekontakt (202) und dem Bodybereich (220) elektrisch verbunden ist und sich lateral nicht bis zu dem Drainkontakt (206) erstreckt.

公开(公告)号：DE102019109048A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102019109048

申请日：2019-04-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLÖSSER TILL ,  MEISER ANDREAS ,  KAMPEN CHRISTIAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements umfasst ein Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (102), der einen ersten Dotierstoff von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist. Das Verfahren umfasst zudem ein Ausbilden eines ersten Grabens (108) in dem Halbleiterkörper (102) von einer ersten Seite (110) aus sowie ein Füllen des ersten Grabens (108) mit einem Halbleiterfüllmaterial (114). Das Verfahren umfasst des Weiteren ein Ausbilden einer Superjunction-Struktur (128) durch Einbringen eines zweiten Dotierstoffs von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in den Halbleiterkörper (102), wobei das Halbleiterfüllmaterial mit dem zweiten Dotierstoff dotiert wird. Das Verfahren umfasst weiter ein Ausbilden eines zweiten Grabens (130) in dem Halbleiterkörper (102) sowie ein Ausbilden einer Grabenstruktur (134) im zweiten Graben (130).

公开(公告)号：DE102019114071A1

公开(公告)日：2019-12-05

申请号：DE102019114071

申请日：2019-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  KOEPPL BENNO ,  MAYER ALEXANDER ,  NUEBLING MARCUS ,  ZANNOTH MARKUS

IPC: G01R19/00

Abstract: Es wird eine mit einem Leistungselektroniksystem verbundene Treiberschaltung offenbart. Die Treiberschaltung umfasst eine Gate-Treiberschaltung, die dazu konfiguriert ist, eine mehrere parallele Schalter umfassende Schaltschaltung anzusteuern, wobei jeder Schalter einen jeweiligen Source-Bonddraht umfasst. Ferner umfasst die Treiberschaltung eine Bonddrahtfehlererkennungsschaltung, die eine Gate-Ladungsschätzungsschaltung umfasst, welche dazu konfiguriert ist, einen Parameter der Schaltschaltung zu messen, der eine Gate-Ladung der Schaltschaltung oder einen die mit der Schaltschaltung verbundene Gate-Ladung anzeigenden Parameter umfasst. Die Bonddrahtfehlererkennungsschaltung umfasst ferner eine Erkennungsschaltung, die dazu konfiguriert ist, einen mit mindestens einer Source-Bonddrahtschaltschaltung verbundenen Fehler basierend auf dem gemessenen Parameter der Schaltschaltung zu erkennen.

公开(公告)号：DE102018106689A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102018106689

申请日：2018-03-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  RUPP ROLAND ,  MAUDER ANTON ,  SPULBER OANA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält Graben-Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Siliziumcarbidbereich (100) erstrecken. Ein Abschirmgebiet (160) zwischen einer Driftzone (131) und den Graben-Gatestrukturen (150) entlang einer vertikalen Richtung, die zur ersten Oberfläche (101) orthogonal ist, bildet einen zusätzlichen pn-Übergang (pnx) mit der Driftzone (131). Kanalgebiete (120) und die Graben-Gatestrukturen (150) sind entlang einer ersten horizontalen Richtung (191) nacheinander angeordnet, wobei die Kanalgebiete (120) zwischen einem Sourcegebiet (110) und einem Stromausbreitungsgebiet (132) entlang einer zweiten horizontalen Richtung (192), die zur ersten horizontalen Richtung (191) orthogonal ist, angeordnet sind. Bereiche von Mesaabschnitten (180) zwischen benachbarten Graben-Gatestrukturen (150) verarmen vollständig bei einer Gatespannung VGS innerhalb absoluter maximaler Nennwerte der Halbleitervorrichtung (500).

公开(公告)号：DE102017130223A1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102017130223

申请日：2017-12-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  KAMPEN CHRISTIAN

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/78 ,  H02M3/00

Abstract: Die Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung (100), die eine erste planare Feldeffekttransistorzelle (101) und eine zweite planare Feldeffekttransistorzelle (102) aufweist. Die erste planare Feldeffekttransistorzelle (101) und die zweite planare Feldeffekttransistorzelle (102) sind elektrisch parallel geschaltet und weisen jeweils ein Drainerweiterungsgebiet (103) zwischen einem Kanalbereich und einem Drainanschluss (D) an einer ersten Oberfläche (109) eines Halbleiterkörpers (104) auf. Eine Gateelektrode (106) der ersten Feldeffekttransistorzelle (101) ist mit einem Sourceanschluss (S) elektrisch verbunden ist, und eine Gateelektrode (106) der zweiten Feldeffekttransistorzelle (102) ist mit einem vom Sourceanschluss (D) elektrisch getrennten Gateanschluss (G) verbunden.

公开(公告)号：DE102011090101B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102011090101

申请日：2011-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  MEISER ANDREAS

IPC: G01R19/00

Abstract: Schaltungsanordnung, die aufweist:einen ersten Lasttransistor (T), der dazu ausgebildet ist, einen Laststrom (i) an eine erste Last (Z), die an eine Drainelektrode (D) des ersten Lasttransistors (T) anschließbar ist, zu steuern;einen zweiten Lasttransistor (T), der dazu ausgebildet ist, einen Laststrom (i) an eine zweite Last (Z), die an eine Drainelektrode (D) des zweiten Lasttransistors (T) anschließbar ist, zu steuern;einen Messtransistor (T) , der dazu ausgebildet ist, an den ersten oder zweiten Lasttransistor (T, T) abhängig von einem Schaltsignal gekoppelt zu werden, wobei der Messtransistor (T) eine Drainelektrode (D) aufweist, die einen Messstrom bereitstellt (i) , der einen Laststrom (i; i) des daran angeschlossenen Lasttransistors (T, T) repräsentiert, wobei die ersten und zweiten Lasttransistoren (T, T) und der Messtransistor (T) Feldeffekttransistoren aufweisen, die eine gemeinsame Sourceelektrode (S) haben; undeine Messschaltung, die dazu ausgebildet ist, den Messstrom (i) von dem Messtransistor (T) zu erhalten und ein Ausgangssignal zu erzeugen, wobei das Ausgangssignal den Laststrom (i; i) des an den Messtransistor (T) gekoppelten Lasttransistors (T; T) repräsentiert.

公开(公告)号：DE102017107020B3

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：DE102017107020

申请日：2017-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  BACH KARL-HEINZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  ZUNDEL MARKUS ,  KOTZ DIETMAR ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps auf dem Halbleitersubstrat. Von einer ersten Oberfläche aus erstreckt sich eine Grabenstruktur in den Halbleiterkörper. Die Grabenstruktur umfasst eine Gateelektrode und zumindest eine Feldelektrode, die zwischen der Gateelektrode und einer Bodenseite der Grabenstruktur angeordnet ist. Ein Bodygebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps grenzt an die Grabenstruktur. Das Bodygebiet erstreckt sich von einem Transistorzellengebiet lateral in ein Randabschlussgebiet. Ein pn-Übergang ist zwischen dem Bodygebiet und der Halbleiterschicht. Eine Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht ist an einem lateralen Ende des pn-Übergangs in dem Randabschlussgebiet verringert verglichen mit einer Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht an dem pn-Übergang im Transistorzellengebiet.

公开(公告)号：DE102014114184B4

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：DE102014114184

申请日：2014-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLÖSSER TILL ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/765 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer einen Transistor aufweisenden Halbleitervorrichtung (10), umfassend:Bilden von Feldplattentrenches (252) in einer Hauptoberfläche (110) eines Halbleitersubstrats (100), wobei eine Driftzone (260) zwischen benachbarten Feldplattentrenches (252) definiert ist,Bilden einer Felddielektrikumschicht (251) in den Feldplattentrenches (252),danach Bilden von Gatetrenches (212) in der Hauptoberfläche (110) des Halbleitersubstrats (100), wobei ein Kanalbereich (220) zwischen benachbarten Gatetrenches (212) definiert ist, undBilden eines leitenden Materials (170) in wenigstens einigen der Feldplattentrenches (252) und wenigstens einigen der Gatetrenches (212),wobei das Verfahren weiterhin ein Bilden eines Sourcebereiches (201) und eines Drainbereiches (205) in der Hauptoberfläche (110) des Halbleitersubstrats (100) umfasst.