中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

95 records (took 0.034 seconds)

    PHOTODIODE SPAD A HAUT RENDEMENT QUANTIQUE
    82.
    发明专利
    PHOTODIODE SPAD A HAUT RENDEMENT QUANTIQUE 未知

    公开(公告)号：FR3009888A1

    公开(公告)日：2015-02-27

    申请号：FR1358139

    申请日：2013-08-23

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  FREY LAURENT ,  JOUAN SEBASTIEN ,  BOUTAMI SALIM

    IPC: H01L31/02

    Abstract: L'invention concerne une photodiode de type SPAD dont la surface photoréceptrice est recouverte de bandes entrecroisées (30) formant un treillis en un premier matériau dont les parois latérales sont entourées d'au moins un espaceur (33) en un deuxième matériau d'indice optique distinct de celui du premier matériau, le pas du treillis étant de l'ordre de grandeur de la longueur d'onde de fonctionnement de la photodiode, les premier et deuxième matériaux étant transparents à la longueur d'onde de fonctionnement, le premier matériau étant conducteur et étant couplé à un nœud de connexion (36).

    PANNEAU CONSTITUE D'UNE MATRICE DE CELLULES A CRISTAUX LIQUIDES DESTINE A ETRE UTILISE DANS UN NANOPROJECTEUR
    83.
    发明专利
    PANNEAU CONSTITUE D'UNE MATRICE DE CELLULES A CRISTAUX LIQUIDES DESTINE A ETRE UTILISE DANS UN NANOPROJECTEUR 未知

    公开(公告)号：FR2992096A1

    公开(公告)日：2013-12-20

    申请号：FR1255732

    申请日：2012-06-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： MARTY MICHEL ,  HIRIGOYEN FLAVIEN ,  SEGURA PUCHADES JOSEP ,  WEHBE-ALAUSE HELENE ,  ROSSINI UMBERTO

    IPC: H01L27/32

    Abstract: L'invention concerne un panneau constitué d'une matrice de cellules (3) destiné à être utilisé dans un nano-projecteur , chaque cellule comprenant une couche de cristaux liquides (7) encadrée par des électrodes transparentes supérieure (35) et inférieure (33), un transistor MOS de commande (9) étant disposé au-dessus de l'électrode supérieure, chaque transistor étant recouvert d'au moins trois niveaux de métallisation (75, 76, 77). Le transistor de chaque cellule s'étend dans un coin de la cellule de façon que les transistors d'un ensemble de quatre cellules adjacentes soient disposés dans une région centrale dudit ensemble. Le niveau de métallisation supérieur (77) s'étend au-dessus des transistors de chaque ensemble de quatre cellules adjacentes. Le panneau comprend, pour chaque ensemble de quatre cellules adjacentes, un premier anneau conducteur (83) entourant les transistors, le premier anneau s'étendant du niveau de métallisation inférieur (75) jusqu'à l'électrode supérieure de chaque cellule avec interposition d'un matériau isolant (85).

    88.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2858877B1

    公开(公告)日：2005-10-21

    申请号：FR0350418

    申请日：2003-08-11

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTINET BERTRAND ,  MARTY MICHEL ,  CHEVALIER PASCAL ,  CHANTRE ALAIN

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/737

    Abstract: A method for forming a heterojunction bipolar transistor including the steps of: forming in a semiconductor substrate a collector area of a first doping type; growing by epitaxy above a portion of the collector area a silicon/germanium layer of a second doping type forming a base area; forming above the silicon/germanium layer a sacrificial emitter formed of a material selectively etchable with respect to the silicon/germanium layer and with respect to the layers and consecutively-formed insulating spacers; forming first insulating spacers on the sides of the sacrificial emitter; growing by epitaxy a silicon layer above the exposed portions of the silicon/germanium layer; forming second insulating spacers adjacent to the first spacers and laid on the silicon layer; covering the entire structure with an insulating layer; partially removing the insulating layer above the sacrificial emitter and removing the sacrificial emitter; filling the space previously taken up by the sacrificial emitter with a semiconductor material of the first doping type.

    89.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2867610A1

    公开(公告)日：2005-09-16

    申请号：FR0450483

    申请日：2004-03-10

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： SAUTREUIL BERNARD ,  MARTY MICHEL ,  BONNOUVRIER JEROME ,  CARPENTIER JEAN FRANCOIS

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L27/08 ,  H01L29/92 ,  H01L29/93

    Abstract: The integral condenser, formed in the upper part of a semiconductor substrate (20) comprising at least one lightly-doped type N semiconductor layer (24) with its upper surface having a highly-doped type P region (35) bounded by an insulation zone (34), has one contact in the form of a metal layer (44) buried immediately beneath the type N semiconductor layer, and at least one vertical metal contact passing through the semiconductor layer as far as the metal layer and reaching the surface of the semiconductor layer outside the type P region. The metal layer and contact are of the same metal, selected from the group comprising tungsten, titanium nitrate, titanium, copper and their alloys. An independent claim is also included for the condenser fabrication process.

Patent Agency Ranking