公开(公告)号：CN102010135A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010540144.8

申请日：2010-11-11

Applicant: 北京自动化控制设备研究所

Inventor： 唐琼 ,  杨军 ,  曲蕴杰 ,  李佳 ,  朱建伟 ,  李海燕 ,  杨轶博 ,  张菁华

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法，特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤：a.清洗步骤：首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡，再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤：(1)对基片表面Ar离子轰击，(2)在温度100～220℃、溅射气压0.3～0.gPa、溅射功率1.9～2.5Kw条件下，使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜；(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜，形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀，提高掩膜的附着力，并有效去除了应力。

公开(公告)号：CN102010135B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010540144.8

申请日：2010-11-11

Applicant: 北京自动化控制设备研究所

Inventor： 唐琼 ,  杨军 ,  曲蕴杰 ,  李佳 ,  朱建伟 ,  李海燕 ,  杨轶博 ,  张菁华

IPC: C03C17/40

Abstract: 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法，特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤：a.清洗步骤：首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡，再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤：(1)对基片表面Ar离子轰击，(2)在温度100～220℃、溅射气压0.3～0.gPa、溅射功率1.9～2.5Kw条件下，使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜；(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜，形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀，提高掩膜的附着力，并有效去除了应力。

公开(公告)号：CN102009945A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010540092.4

申请日：2010-11-11

Applicant: 北京自动化控制设备研究所

Inventor： 杨军 ,  郑辛 ,  唐琼 ,  盛洁 ,  刘大俊 ,  李佳 ,  廖兴才 ,  刘迎春 ,  张菁华 ,  朱建伟 ,  车一卓 ,  李海燕

IPC: B81C1/00 ,  G01C19/56

Abstract: 本发明属于石英音叉陀螺加工领域，具体涉及一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法。其特点在于：本加工方法能实现高精度三维石英结构加工：音叉厚度误差控制在±0.5μm以内、平面尺寸精度误差可控制在±1μm以内；能实现高精度三维复杂电极图形加工：电极距音叉三维石英结构边缘距离可达到为10μm、与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±5μm以内；能实现质量块精密加工：质量块厚度误差可控制在±0.5μm内、厚度均匀性±5％、表面粗糙度不大于0.1μm，与音叉三维石英结构的相对位置误差可控制在±1μm之内。

公开(公告)号：CN102009945B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010540092.4

申请日：2010-11-11

Applicant: 北京自动化控制设备研究所

Inventor： 杨军 ,  郑辛 ,  唐琼 ,  盛洁 ,  刘大俊 ,  李佳 ,  廖兴才 ,  刘迎春 ,  张菁华 ,  朱建伟 ,  车一卓 ,  李海燕

IPC: B81C1/00 ,  G01C19/5628

Abstract: 本发明属于石英音叉陀螺加工领域，具体涉及一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法。其特点在于：本加工方法能实现高精度三维石英结构加工：音叉厚度误差控制在±0.5μm以内、平面尺寸精度误差可控制在±1μm以内；能实现高精度三维复杂电极图形加工：电极距音叉三维石英结构边缘距离可达到为10μm、与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±5μm以内；能实现质量块精密加工：质量块厚度误差可控制在±0.5μm内、厚度均匀性±5％、表面粗糙度不大于0.1μm，与音叉三维石英结构的相对位置误差可控制在±1μm之内。

公开(公告)号：CN102110771B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010539409.2

申请日：2010-11-10

Applicant: 北京自动化控制设备研究所

Inventor： 盛洁 ,  杨军 ,  唐琼 ,  刘大俊 ,  廖兴才 ,  刘迎春 ,  姜福灏 ,  李佳 ,  朱建伟 ,  车一卓 ,  杨轶博

IPC: H01L41/22

Abstract: 本发明属于加工方法，具体涉及一种三维石英敏感结构金属化加工方法。一种三维石英敏感结构金属化加工方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：加工表面电极；步骤2：加工侧面电极和不等高结构的表面电极。本发明的显著效果是：(1)实现了表面电极、侧面电极和不等高结构表面电极三种组合电极的加工；(2)表面电极尺寸精度高，可以控制在±1μm以内，同时与其它工艺兼容性好且易于加工；(3)可应用于石英微器件的批量生产中；(4)本可在同一侧面加工不同极性的侧面电极。

公开(公告)号：CN102110771A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010539409.2

申请日：2010-11-10

Applicant: 北京自动化控制设备研究所

Inventor： 盛洁 ,  杨军 ,  唐琼 ,  刘大俊 ,  廖兴才 ,  刘迎春 ,  姜福灏 ,  李佳 ,  朱建伟 ,  车一卓 ,  杨轶博

IPC: H01L41/22

Abstract: 本发明属于加工方法，具体涉及一种三维石英敏感结构金属化加工方法。一种三维石英敏感结构金属化加工方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：加工表面电极；步骤2：加工侧面电极和不等高结构的表面电极。本发明的显著效果是：(1)实现了表面电极、侧面电极和不等高结构表面电极三种组合电极的加工；(2)表面电极尺寸精度高，可以控制在±1μm以内，同时与其它工艺兼容性好且易于加工；(3)可应用于石英微器件的批量生产中；(4)本可在同一侧面加工不同极性的侧面电极。