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公开(公告)号：CN103213939B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210017609.0
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明涉及加工方法，特别是具有不等高梳齿结构和需圆片级封装的硅微机电陀螺结构的加工方法。它包括步骤一：加工下封帽；步骤二：下封帽与敏感结构键合，敏感结构上表面结构加工；下封帽与敏感结构键合；步骤三：加工敏感结构，敏感结构支撑层与绝缘层的去除；氮化硅掩膜图形化；生长二氧化硅；敏感结构掩膜图形化；刻蚀定齿结构；刻蚀动齿结构；步骤四：加工上封帽，上封帽引线孔加工；上封帽质量块加工；步骤五：敏感结构与上封帽键合；步骤六：金属化。本发明的效果是：有利于保证线条质量，提高梳齿结构的侧壁垂直度；解决了不同材料的热膨胀系数不同所引起的残余应力等问题，提高了工艺兼容性；减少了加工工序，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN102010135B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010540144.8
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: C03C17/40
Abstract: 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法，特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤：a.清洗步骤：首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡，再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤：(1)对基片表面Ar离子轰击，(2)在温度100～220℃、溅射气压0.3～0.gPa、溅射功率1.9～2.5Kw条件下，使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜；(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜，形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀，提高掩膜的附着力，并有效去除了应力。
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公开(公告)号：CN103217151B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201210017308.8
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本发明属于陀螺敏感装置，具体涉及一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置。一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置，包括敏感结构和分别设置敏感结构上下两侧的上封帽、下封帽，所述的敏感结构包括4个质量块。本发明的显著效果是：避免了耦合误差；抵消了在硅微陀螺敏感装置工作状态下基座所受耦合力矩；节约了加工成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102010135A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010540144.8
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法，特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤：a.清洗步骤：首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡，再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤：(1)对基片表面Ar离子轰击，(2)在温度100～220℃、溅射气压0.3～0.gPa、溅射功率1.9～2.5Kw条件下，使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜；(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜，形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀，提高掩膜的附着力，并有效去除了应力。
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公开(公告)号：CN103217151A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017308.8
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本发明属于陀螺敏感装置，具体涉及一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置。一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置，包括敏感结构和分别设置敏感结构上下两侧的上封帽、下封帽，所述的敏感结构包括4个质量块。本发明的显著效果是：避免了耦合误差；抵消了在硅微陀螺敏感装置工作状态下基座所受耦合力矩；节约了加工成本。
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公开(公告)号：CN103213939A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017609.0
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明涉及加工方法，特别是具有不等高梳齿结构和需圆片级封装的硅微机电陀螺结构的加工方法。它包括步骤一：加工下封帽；步骤二：下封帽与敏感结构键合，敏感结构上表面结构加工；下封帽与敏感结构键合；步骤三：加工敏感结构，敏感结构支撑层与绝缘层的去除；氮化硅掩膜图形化；生长二氧化硅；敏感结构掩膜图形化；刻蚀定齿结构；刻蚀动齿结构；步骤四：加工上封帽，上封帽引线孔加工；上封帽质量块加工；步骤五：敏感结构与上封帽键合；步骤六：金属化。本发明的效果是：有利于保证线条质量，提高梳齿结构的侧壁垂直度；解决了不同材料的热膨胀系数不同所引起的残余应力等问题，提高了工艺兼容性；减少了加工工序，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN102110771B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010539409.2
申请日：2010-11-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: H01L41/22
Abstract: 本发明属于加工方法，具体涉及一种三维石英敏感结构金属化加工方法。一种三维石英敏感结构金属化加工方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：加工表面电极；步骤2：加工侧面电极和不等高结构的表面电极。本发明的显著效果是：(1)实现了表面电极、侧面电极和不等高结构表面电极三种组合电极的加工；(2)表面电极尺寸精度高，可以控制在±1μm以内，同时与其它工艺兼容性好且易于加工；(3)可应用于石英微器件的批量生产中；(4)本可在同一侧面加工不同极性的侧面电极。
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公开(公告)号：CN102110771A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010539409.2
申请日：2010-11-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: H01L41/22
Abstract: 本发明属于加工方法，具体涉及一种三维石英敏感结构金属化加工方法。一种三维石英敏感结构金属化加工方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：加工表面电极；步骤2：加工侧面电极和不等高结构的表面电极。本发明的显著效果是：(1)实现了表面电极、侧面电极和不等高结构表面电极三种组合电极的加工；(2)表面电极尺寸精度高，可以控制在±1μm以内，同时与其它工艺兼容性好且易于加工；(3)可应用于石英微器件的批量生产中；(4)本可在同一侧面加工不同极性的侧面电极。
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