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公开(公告)号：CN111943131B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010678993.3
申请日：2020-07-15
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明公开了一体化石英振梁侧面电极的加工方法，对石英振梁敏感结构利用喷胶和侧面光刻的方法实现了高精度不同极性侧面电极的加工，并保证了侧面电极的尺寸精度，电极与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±2μm以内。
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公开(公告)号：CN112607703A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011435359.3
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C1/00 , G01C19/5628
Abstract: 本发明提供了一种用于提升驱动增益的石英音叉敏感结构的制备方法，该制备方法包括：步骤一，根据音叉驱动梁结构设计上下表面具有凹槽结构的音叉敏感结构减薄光刻版图；步骤二，在石英晶片的正反两面均形成Cr/Au/Cr/Au掩膜；步骤三，形成音叉整体结构的Cr/Au/Cr/Au掩膜图形和挠性支撑的Cr/Au掩膜图形；步骤四，形成镂空的音叉结构及挠性支撑石英结构；步骤五，根据音叉敏感结构减薄光刻版图设计具有镂空区域的音叉敏感结构侧面电极加工用遮挡板；步骤六，制备音叉敏感结构的侧面电极和挠性支撑的表面电极引线。应用本发明的技术方案，能够解决现有技术中石英音叉的制备方法无法有效增加石英音叉敏感结构驱动端三维电极有效面积，导致无法有效提升驱动增益的技术问题。
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公开(公告)号：CN103256927B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210041591.8
申请日：2012-02-21
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5628
Abstract: 本发明属于制造方法，具体涉及一种石英音叉止挡结构的制造方法。它包括：第一步，定位；第二步，进行石英音叉和底座的粘接；第三步，进行上盖的定位；第四步进行上盖和支撑框的粘接；第五步，进行底座、支撑框和上盖的装配。本发明的显著效果是：(1)提高石英音叉抗冲击性能；(2)整个止挡为全石英结构，其加工工艺与现有的石英音叉微加工工艺相兼容，易于批量化实现；(3)保证粘接时装配间隙的均匀性；(4)实现对止挡间隙均匀性误差的精确控制(±2μm以内)；(5)引入装配工装，并结合止挡结构的晶向确定定位基准，实现对平面定位误差的精确控制(±20μm以内)。
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公开(公告)号：CN103256927A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210041591.8
申请日：2012-02-21
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5628
Abstract: 本发明属于制造方法，具体涉及一种石英音叉止挡结构的制造方法。它包括：第一步，定位；第二步，进行石英音叉和底座的粘接；第三步，进行上盖的定位；第四步进行上盖和支撑框的粘接；第五步，进行底座、支撑框和上盖的装配。本发明的显著效果是：(1)提高石英音叉抗冲击性能；(2)整个止挡为全石英结构，其加工工艺与现有的石英音叉微加工工艺相兼容，易于批量化实现；(3)保证粘接时装配间隙的均匀性；(4)实现对止挡间隙均匀性误差的精确控制(±2μm以内)；(5)引入装配工装，并结合止挡结构的晶向确定定位基准，实现对平面定位误差的精确控制(±20μm以内)。
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公开(公告)号：CN102009945B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010540092.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C1/00 , G01C19/5628
Abstract: 本发明属于石英音叉陀螺加工领域，具体涉及一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法。其特点在于：本加工方法能实现高精度三维石英结构加工：音叉厚度误差控制在±0.5μm以内、平面尺寸精度误差可控制在±1μm以内；能实现高精度三维复杂电极图形加工：电极距音叉三维石英结构边缘距离可达到为10μm、与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±5μm以内；能实现质量块精密加工：质量块厚度误差可控制在±0.5μm内、厚度均匀性±5％、表面粗糙度不大于0.1μm，与音叉三维石英结构的相对位置误差可控制在±1μm之内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113514063A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110686013.9
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS微惯导结构，该MEMS微惯导结构包括：壳体组件；空间多面体电路板组件，空间多面体电路板组件设置在壳体组件内，空间多面体电路板组件包括多个电路板，任意两个相邻的电路板之间呈夹角设置；惯性传感器组件，惯性传感器组件设置在空间多面体电路板组件上，惯性传感器组件用于检测载体的角速度和加速度；灌封吸振单元，灌封吸振单元填充在惯性传感器组件、空间多面体电路板组件以及壳体组件之间的所有孔隙，灌封吸振单元用于对外界冲击及内部组件间的振动及应力能进行缓冲吸振。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中MEMS微惯导结构体积重量大的技术问题。
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公开(公告)号：CN103213939B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210017609.0
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明涉及加工方法，特别是具有不等高梳齿结构和需圆片级封装的硅微机电陀螺结构的加工方法。它包括步骤一：加工下封帽；步骤二：下封帽与敏感结构键合，敏感结构上表面结构加工；下封帽与敏感结构键合；步骤三：加工敏感结构，敏感结构支撑层与绝缘层的去除；氮化硅掩膜图形化；生长二氧化硅；敏感结构掩膜图形化；刻蚀定齿结构；刻蚀动齿结构；步骤四：加工上封帽，上封帽引线孔加工；上封帽质量块加工；步骤五：敏感结构与上封帽键合；步骤六：金属化。本发明的效果是：有利于保证线条质量，提高梳齿结构的侧壁垂直度；解决了不同材料的热膨胀系数不同所引起的残余应力等问题，提高了工艺兼容性；减少了加工工序，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN102010135B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010540144.8
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: C03C17/40
Abstract: 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法，特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤：a.清洗步骤：首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡，再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤：(1)对基片表面Ar离子轰击，(2)在温度100～220℃、溅射气压0.3～0.gPa、溅射功率1.9～2.5Kw条件下，使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜；(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜，形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀，提高掩膜的附着力，并有效去除了应力。
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公开(公告)号：CN102009945A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010540092.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明属于石英音叉陀螺加工领域，具体涉及一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法。其特点在于：本加工方法能实现高精度三维石英结构加工：音叉厚度误差控制在±0.5μm以内、平面尺寸精度误差可控制在±1μm以内；能实现高精度三维复杂电极图形加工：电极距音叉三维石英结构边缘距离可达到为10μm、与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±5μm以内；能实现质量块精密加工：质量块厚度误差可控制在±0.5μm内、厚度均匀性±5％、表面粗糙度不大于0.1μm，与音叉三维石英结构的相对位置误差可控制在±1μm之内。
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公开(公告)号：CN102010135A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010540144.8
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法，特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤：a.清洗步骤：首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡，再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤：(1)对基片表面Ar离子轰击，(2)在温度100～220℃、溅射气压0.3～0.gPa、溅射功率1.9～2.5Kw条件下，使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜；(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜，形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀，提高掩膜的附着力，并有效去除了应力。
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