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公开(公告)号：CN112607703B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202011435359.3
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C1/00 , G01C19/5628
Abstract: 本发明提供了一种用于提升驱动增益的石英音叉敏感结构的制备方法，该制备方法包括：步骤一，根据音叉驱动梁结构设计上下表面具有凹槽结构的音叉敏感结构减薄光刻版图；步骤二，在石英晶片的正反两面均形成Cr/Au/Cr/Au掩膜；步骤三，形成音叉整体结构的Cr/Au/Cr/Au掩膜图形和挠性支撑的Cr/Au掩膜图形；步骤四，形成镂空的音叉结构及挠性支撑石英结构；步骤五，根据音叉敏感结构减薄光刻版图设计具有镂空区域的音叉敏感结构侧面电极加工用遮挡板；步骤六，制备音叉敏感结构的侧面电极和挠性支撑的表面电极引线。应用本发明的技术方案，能够解决现有技术中石英音叉的制备方法无法有效增加石英音叉敏感结构驱动端三维电极有效面积，导致无法有效提升驱动增益的技术问题。
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公开(公告)号：CN110440777B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910634551.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5607 , G01C19/5628
Abstract: 本发明提供了一种音叉敏感结构修调在线测试方法及角速率传感器，该方法包括：求取驱动模态的谐振频率；向驱动通道施加激励电压频率值为驱动模态的谐振频率的激励信号以及产生机械耦合解调参考信号幅值；获取机械耦合误差信号幅值以及实际的驱动模态谐振频率；求取激励电压为白噪声下的检测模态的谐振频率；获取实际的检测模态谐振频率；根据实际的驱动模态谐振频率和实际的检测模态谐振频率求取谐振频率差值；判断当前机械耦合误差信号幅值以及谐振频率差值是否满足要求，如果未满足，则进行修调，重复上述步骤，直至修调后的敏感结构满足测试要求。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中无法准确测量音叉敏感结构的耦合误差量的技术问题。
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公开(公告)号：CN103213939B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210017609.0
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明涉及加工方法，特别是具有不等高梳齿结构和需圆片级封装的硅微机电陀螺结构的加工方法。它包括步骤一：加工下封帽；步骤二：下封帽与敏感结构键合，敏感结构上表面结构加工；下封帽与敏感结构键合；步骤三：加工敏感结构，敏感结构支撑层与绝缘层的去除；氮化硅掩膜图形化；生长二氧化硅；敏感结构掩膜图形化；刻蚀定齿结构；刻蚀动齿结构；步骤四：加工上封帽，上封帽引线孔加工；上封帽质量块加工；步骤五：敏感结构与上封帽键合；步骤六：金属化。本发明的效果是：有利于保证线条质量，提高梳齿结构的侧壁垂直度；解决了不同材料的热膨胀系数不同所引起的残余应力等问题，提高了工艺兼容性；减少了加工工序，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN102010135B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010540144.8
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: C03C17/40
Abstract: 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法，特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤：a.清洗步骤：首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡，再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤：(1)对基片表面Ar离子轰击，(2)在温度100～220℃、溅射气压0.3～0.gPa、溅射功率1.9～2.5Kw条件下，使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜；(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜，形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀，提高掩膜的附着力，并有效去除了应力。
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公开(公告)号：CN102009945A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010540092.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明属于石英音叉陀螺加工领域，具体涉及一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法。其特点在于：本加工方法能实现高精度三维石英结构加工：音叉厚度误差控制在±0.5μm以内、平面尺寸精度误差可控制在±1μm以内；能实现高精度三维复杂电极图形加工：电极距音叉三维石英结构边缘距离可达到为10μm、与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±5μm以内；能实现质量块精密加工：质量块厚度误差可控制在±0.5μm内、厚度均匀性±5％、表面粗糙度不大于0.1μm，与音叉三维石英结构的相对位置误差可控制在±1μm之内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119584840A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411529599.8
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: H10N30/06 , H10N30/082 , H10N30/87 , H10N30/85
Abstract: 本发明提供一种用于石英器件的加工方法及石英器件，加工方法包括：步骤1、石英晶片准备；步骤2、根据所需要获得的石英器件确定需要被去除的区域，并采用激光改性石英晶片上需要被去除的区域；步骤3、在步骤2所得石英晶片的上下表面均制备一层金属膜层；步骤4、金属膜层图形化，确定石英结构图形，该图形与步骤2中激光改性图形大致一致，将需要被去除的区域暴露出来；步骤5、在图形化后的金属膜层表面制备第二层掩膜图形，用于确定电极图形；步骤6、采用化学溶液去除需要被去除的区域；步骤7、腐蚀金属膜层，将第二层掩膜上电极图形转移至金属膜层上；步骤8、去除第二层掩膜。本发明提高了石英结构加工精度及效率。
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公开(公告)号：CN111943131B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010678993.3
申请日：2020-07-15
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明公开了一体化石英振梁侧面电极的加工方法，对石英振梁敏感结构利用喷胶和侧面光刻的方法实现了高精度不同极性侧面电极的加工，并保证了侧面电极的尺寸精度，电极与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±2μm以内。
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公开(公告)号：CN111137850B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201911186136.5
申请日：2019-11-28
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明一种实现低应力敏感结构贴片工艺的方法，能够解决目前采用环氧树脂等胶类的MEMS器件敏感结构贴片方式所存在的技术问题。该方法包括以下步骤：在MEMS器件管壳上镀上一层金层；在所述金层上制作若干个且按设定布局排列的金球；在所述敏感结构的贴装面镀上一层金层；将敏感结构置于所述MEMS器件管壳上，其中，所述金球与敏感结构的贴装面的金层对准，得到复合结构；在真空和高温环境下，对所述敏感结构施加一定压力，通过金金热压焊工艺实现贴装面与金球的连接以完成敏感结构贴片工艺。
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公开(公告)号：CN112607703A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011435359.3
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C1/00 , G01C19/5628
Abstract: 本发明提供了一种用于提升驱动增益的石英音叉敏感结构的制备方法，该制备方法包括：步骤一，根据音叉驱动梁结构设计上下表面具有凹槽结构的音叉敏感结构减薄光刻版图；步骤二，在石英晶片的正反两面均形成Cr/Au/Cr/Au掩膜；步骤三，形成音叉整体结构的Cr/Au/Cr/Au掩膜图形和挠性支撑的Cr/Au掩膜图形；步骤四，形成镂空的音叉结构及挠性支撑石英结构；步骤五，根据音叉敏感结构减薄光刻版图设计具有镂空区域的音叉敏感结构侧面电极加工用遮挡板；步骤六，制备音叉敏感结构的侧面电极和挠性支撑的表面电极引线。应用本发明的技术方案，能够解决现有技术中石英音叉的制备方法无法有效增加石英音叉敏感结构驱动端三维电极有效面积，导致无法有效提升驱动增益的技术问题。
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公开(公告)号：CN111137850A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911186136.5
申请日：2019-11-28
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明一种实现低应力敏感结构贴片工艺的方法，能够解决目前采用环氧树脂等胶类的MEMS器件敏感结构贴片方式所存在的技术问题。该方法包括以下步骤：在MEMS器件管壳上镀上一层金层；在所述金层上制作若干个且按设定布局排列的金球；在所述敏感结构的贴装面镀上一层金层；将敏感结构置于所述MEMS器件管壳上，其中，所述金球与敏感结构的贴装面的金层对准，得到复合结构；在真空和高温环境下，对所述敏感结构施加一定压力，通过金金热压焊工艺实现贴装面与金球的连接以完成敏感结构贴片工艺。
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