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公开(公告)号：CN103213939B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210017609.0
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明涉及加工方法，特别是具有不等高梳齿结构和需圆片级封装的硅微机电陀螺结构的加工方法。它包括步骤一：加工下封帽；步骤二：下封帽与敏感结构键合，敏感结构上表面结构加工；下封帽与敏感结构键合；步骤三：加工敏感结构，敏感结构支撑层与绝缘层的去除；氮化硅掩膜图形化；生长二氧化硅；敏感结构掩膜图形化；刻蚀定齿结构；刻蚀动齿结构；步骤四：加工上封帽，上封帽引线孔加工；上封帽质量块加工；步骤五：敏感结构与上封帽键合；步骤六：金属化。本发明的效果是：有利于保证线条质量，提高梳齿结构的侧壁垂直度；解决了不同材料的热膨胀系数不同所引起的残余应力等问题，提高了工艺兼容性；减少了加工工序，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN102009945A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010540092.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明属于石英音叉陀螺加工领域，具体涉及一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法。其特点在于：本加工方法能实现高精度三维石英结构加工：音叉厚度误差控制在±0.5μm以内、平面尺寸精度误差可控制在±1μm以内；能实现高精度三维复杂电极图形加工：电极距音叉三维石英结构边缘距离可达到为10μm、与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±5μm以内；能实现质量块精密加工：质量块厚度误差可控制在±0.5μm内、厚度均匀性±5％、表面粗糙度不大于0.1μm，与音叉三维石英结构的相对位置误差可控制在±1μm之内。
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公开(公告)号：CN103217151B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201210017308.8
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本发明属于陀螺敏感装置，具体涉及一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置。一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置，包括敏感结构和分别设置敏感结构上下两侧的上封帽、下封帽，所述的敏感结构包括4个质量块。本发明的显著效果是：避免了耦合误差；抵消了在硅微陀螺敏感装置工作状态下基座所受耦合力矩；节约了加工成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102009945B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010540092.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C1/00 , G01C19/5628
Abstract: 本发明属于石英音叉陀螺加工领域，具体涉及一种微机械石英音叉陀螺敏感结构加工方法。其特点在于：本加工方法能实现高精度三维石英结构加工：音叉厚度误差控制在±0.5μm以内、平面尺寸精度误差可控制在±1μm以内；能实现高精度三维复杂电极图形加工：电极距音叉三维石英结构边缘距离可达到为10μm、与音叉三维石英结构表面的相对位置误差可控制在±1μm之内，在同一侧面上可形成不同极性的电极且加工误差控制在±5μm以内；能实现质量块精密加工：质量块厚度误差可控制在±0.5μm内、厚度均匀性±5％、表面粗糙度不大于0.1μm，与音叉三维石英结构的相对位置误差可控制在±1μm之内。
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公开(公告)号：CN103217151A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017308.8
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本发明属于陀螺敏感装置，具体涉及一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置。一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置，包括敏感结构和分别设置敏感结构上下两侧的上封帽、下封帽，所述的敏感结构包括4个质量块。本发明的显著效果是：避免了耦合误差；抵消了在硅微陀螺敏感装置工作状态下基座所受耦合力矩；节约了加工成本。
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公开(公告)号：CN103213939A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017609.0
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明涉及加工方法，特别是具有不等高梳齿结构和需圆片级封装的硅微机电陀螺结构的加工方法。它包括步骤一：加工下封帽；步骤二：下封帽与敏感结构键合，敏感结构上表面结构加工；下封帽与敏感结构键合；步骤三：加工敏感结构，敏感结构支撑层与绝缘层的去除；氮化硅掩膜图形化；生长二氧化硅；敏感结构掩膜图形化；刻蚀定齿结构；刻蚀动齿结构；步骤四：加工上封帽，上封帽引线孔加工；上封帽质量块加工；步骤五：敏感结构与上封帽键合；步骤六：金属化。本发明的效果是：有利于保证线条质量，提高梳齿结构的侧壁垂直度；解决了不同材料的热膨胀系数不同所引起的残余应力等问题，提高了工艺兼容性；减少了加工工序，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN102110771B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010539409.2
申请日：2010-11-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: H01L41/22
Abstract: 本发明属于加工方法，具体涉及一种三维石英敏感结构金属化加工方法。一种三维石英敏感结构金属化加工方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：加工表面电极；步骤2：加工侧面电极和不等高结构的表面电极。本发明的显著效果是：(1)实现了表面电极、侧面电极和不等高结构表面电极三种组合电极的加工；(2)表面电极尺寸精度高，可以控制在±1μm以内，同时与其它工艺兼容性好且易于加工；(3)可应用于石英微器件的批量生产中；(4)本可在同一侧面加工不同极性的侧面电极。
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公开(公告)号：CN102110771A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010539409.2
申请日：2010-11-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: H01L41/22
Abstract: 本发明属于加工方法，具体涉及一种三维石英敏感结构金属化加工方法。一种三维石英敏感结构金属化加工方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：加工表面电极；步骤2：加工侧面电极和不等高结构的表面电极。本发明的显著效果是：(1)实现了表面电极、侧面电极和不等高结构表面电极三种组合电极的加工；(2)表面电极尺寸精度高，可以控制在±1μm以内，同时与其它工艺兼容性好且易于加工；(3)可应用于石英微器件的批量生产中；(4)本可在同一侧面加工不同极性的侧面电极。
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