公开(公告)号：KR20210027578A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020190105932A

申请日：2019-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강동훈

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/525 ,  H01L23/58 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L25/0657 ,  H01L23/31 ,  H01L23/4828 ,  H01L23/525 ,  H01L23/58 ,  H01L24/06 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 제 1 반도체 칩, 상기 제 1 반도체 칩의 상기 제 2 면 상에 배치되고, 상기 제 1 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 제 2 반도체 칩, 상기 제 1 반도체 칩의 측면들 및 제 2 반도체 칩의 측면들을 감싸고, 상기 제 1 반도체 칩의 상기 제 1 면을 노출시키는 몰딩 패턴 및 상기 제 1 반도체 칩의 상기 제 1 면 상의 유리 패턴을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：WO2021149921A1

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：PCT/KR2020/018679

申请日：2020-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강동훈 ,  김수향

IPC: G06F3/16 ,  G06F3/14 ,  G10L15/04 ,  G10L15/22 ,  G10L21/02

Abstract: 개시된 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 사용자의 입력을 수신하는 사용자 입력 수신부; 상기 사용자의 발화 음성을 수신하는 음성 수신부; 상기 사용자의 발화 음성에 기초하여 대화 서비스를 제공하는 복수 개의 VA(Voice Assistance) 서버와 연계된 복수 개의 VA 어플리케이션을 저장하는 메모리; 및 상기 사용자 입력 수신부를 통해 적어도 하나의 VA 어플리케이션의 실행을 위한 사용자 입력이 수신되면, 상기 메모리에 저장된 복수 개의 VA 어플리케이션 중 상기 사용자 입력에 의해 자동으로 실행되는 것으로 지정된 VA 어플리케이션에 대한 설정 정보에 기초하여 제1 VA 어플리케이션이 실행되도록 결정하고, 상기 음성 수신부를 통해 수신한 사용자의 발화 음성에서 상기 복수 개의 VA 어플리케이션 중 제2 VA 어플리케이션의 실행을 위한 호출어가 인식되는 것에 기초하여 상기 제2 VA 어플리케이션이 상기 사용자 입력에 의해 자동으로 실행되도록 상기 메모리에 저장된 설정 정보를 변경하는 프로세서;를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140074722A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：KR1020120142998

申请日：2012-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 강동훈 ,  박병국 ,  손중곤 ,  김가람 ,  김장현 ,  박의환

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20

Abstract: The present invention relates to a semiconductor light emitting device, which comprises a first conductive semiconductor layer; an active layer formed on the first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer formed on the active layer and having an upper surface on which at least one groove unit is formed; a transparent electrode layer formed on the second conductive semiconductor layer; and a first electrode and a second electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, wherein the center of the groove unit intersects with a straight line which links the center of the first electrode and the center of the second electrode to improve the current distribution, thereby improving the internal light extraction efficiency.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其包括第一导电半导体层; 形成在所述第一导电半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上并具有上表面的第二导电半导体层，所述上表面上形成有至少一个沟槽单元; 形成在所述第二导电半导体层上的透明电极层; 以及电连接到第一导电半导体层和第二导电半导体层的第一电极和第二电极，其中，沟槽单元的中心与连接第一电极的中心和第二电极的中心的直线相交 提高电流分布，从而提高内部光提取效率。

公开(公告)号：KR101334181B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020070038978

申请日：2007-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은하 ,  강동훈 ,  이재철 ,  김창정 ,  임혁

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675

Abstract: 선택적으로 결정화된 채널을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 게이트, 채널층, 소스 및 드레인을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 채널층은 산화물 반도체층이고, 상기 소스 및 드레인과 접촉된 상기 채널층의 적어도 일부분은 결정화된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 제공한다. 또한 개시된 본 발명은 게이트, 채널층, 소스 및 드레인을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층으로 상기 채널층을 형성하는 단계 및 상기 채널층에 금속성분을 주입하여 상기 채널층의 상기 소스 및 드레인과 접촉된 부분의 적어도 일부를 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공한다. 상기 금속성분은 금속층의 증착과 열처리를 이용하거나 이온주입을 이용하여 주입할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110036466A

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：KR1020090094144

申请日：2009-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박무윤 ,  김진하 ,  김희동 ,  강동훈 ,  정수진

IPC: H01L33/50

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode package is provided to save manufacturing costs using a single light emitting diode. CONSTITUTION: A light emitting device(20) is mounted on the main body of a light emitting diode package. A photo converter comprises a fluid receiving part(31), transparent fluid, and a fluorescent material. The fluid receiving part is arranged on the route of light emitted from the light emitting device. The transparent fluid flows into the fluid receiving part. The fluorescent material is dispersed in the transparent fluid. A controller(40) is connected to the photo converter. The controller controls the color temperature of light by controlling the volume of the fluid receiving part.

Abstract translation: 目的：提供发光二极管封装，以使用单个发光二极管节省制造成本。 构成：发光装置（20）安装在发光二极管封装的主体上。 光转换器包括流体接收部分（31），透明流体和荧光材料。 流体接收部分布置在从发光装置发射的光的路线上。 透明流体流入流体接收部。 荧光材料分散在透明液体中。 控制器（40）连接到光转换器。 控制器通过控制流体接收部分的体积来控制光的色温。

公开(公告)号：KR1020070102939A

公开(公告)日：2007-10-22

申请号：KR1020070029380

申请日：2007-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  송이헌 ,  강동훈 ,  박영수

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: An amorphous ZnO based thin film transistor and a method of manufacturing the same are provided to improve a photo sensitivity by controlling content of a gallium oxide and an indium oxide. An amorphous ZnO based thin film transistor includes a substrate(10), an active layer(11), a source electrode(12s), a drain electrode(12d), a gate electrode, and a gate insulation layer(13). The active layer(11) includes an amorphous ZnO based complex semiconductor expressed by a chemical equation that is x(Ga2O3).y(In2O3).z(ZnO) and 1.15

Abstract translation: 提供一种无定形ZnO基薄膜晶体管及其制造方法，以通过控制氧化镓和氧化铟的含量来提高光敏性。 一种无定形ZnO基薄膜晶体管，包括衬底（10），有源层（11），源电极（12s），漏电极（12d），栅电极和栅极绝缘层（13）。 有源层（11）包括由x（Ga 2 O 3）y（In 2 O 3）z（ZnO）和1.15 <= x / z <=2.05,1.15≤y/ y的化学方程表示的非晶ZnO基复合半导体， ž<= 1.70。 源电极（12s）和漏电极（12d）与有源层（11）接触。 栅电极在有源层（11）中形成电场。 栅极绝缘层（13）插入在栅电极和有源层（11）之间。

公开(公告)号：KR1020170016107A

公开(公告)日：2017-02-13

申请号：KR1020150109463

申请日：2015-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김철 ,  강동훈 ,  김도형 ,  문승진 ,  최용준 ,  하승모

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/66795

Abstract: 반도체장치제조방법이제공된다. 상기반도체장치제조방법은복합막을형성하고, 상기복합막상에러프(rough) 패턴을형성하고, 상기러프패턴에이온주입(ion implant) 및플라즈마처리(plasma treatment)를하여스무드(smooth) 패턴을형성하고, 상기스무드패턴을마스크로상기복합막을패터닝하는것을포함한다.

Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括在复合膜上形成复合膜，形成粗糙图案，通过使粗糙图案经受离子注入和等离子体处理形成平滑图案，并使用平滑图案将复合膜图案化为第一 面具。

公开(公告)号：KR1020160143988A

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：KR1020150080063

申请日：2015-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강동훈 ,  하경남 ,  김형동 ,  정준필

IPC: G11C29/42 ,  G11C5/04 ,  G11C5/06

CPC classification number: H01L23/481 ,  G06F11/1012 ,  G11C5/025 ,  G11C11/401 ,  G11C11/4093 ,  G11C29/022 ,  G11C29/025 ,  G11C29/4401 ,  G11C29/52 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311

Abstract: 본발명의반도체메모리장치는스택드칩 구조에서소프트데이터페일분석및 구제기능을제공한다. 본발명에따른반도체메모리장치는, 적어도하나의버퍼다이를가지는제1 그룹다이와, 상기제1 그룹다이의상부에적층되고복수의관통라인들을통해데이터를통신하는복수의메모리다이들을포함하는제2 그룹다이를구비한다. 상기복수의메모리다이들중 적어도하나는상기제1 그룹다이로전송되는전송데이터를이용하여전송패리티비트들을생성하는제1 타입 ECC 회로를가진다. 또한, 상기버퍼다이는상기복수의관통라인들을통해수신되는상기전송데이터에전송에러가발생된경우에상기전송패리티비트들을이용하여전송에러를정정함에의해에러정정된데이터를생성하는제2 타입 ECC 회로를가진다.

Abstract translation: 半导体存储器件包括包括至少一个缓冲管芯的第一组裸片，并且包括堆叠在第一组上的多个存储器管芯的第二组裸片通过多个TSV线传送数据。 这里，多个存储管芯中的至少一个存储器管芯包括第一型ECC电路，其使用要发送到第一组管芯的发送数据生成传输奇偶校验位，并且缓冲器管芯包括第二类型ECC电路，其在传输时校正 通过多个TSV线接收的发送数据发生误差，使用发送奇偶校验位的发送错误，并生成纠错数据。

公开(公告)号：KR1020130092805A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：KR1020120014335

申请日：2012-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강동훈 ,  강보람

IPC: G01J1/08 ,  G01J3/443 ,  G01J3/46

Abstract: PURPOSE: An optical inspection device is provided to unify processes for measuring the intensity and color information of lights emitted by a light emitting unit, thereby simplifying an optical property inspection process. CONSTITUTION: An optical inspection device (1) includes a light emitting unit (10), a first detection unit (20), a second detection unit (30), and an inspection unit (40). The first detection unit detects the density of the lights emitted by the light emitting unit. The second detection unit detects the color of the lights emitted by the light emitting unit. The inspection unit receives the information generated by the first and second detection units simultaneously, thereby inspecting the optical properties of the light emitting unit.

Abstract translation: 目的：提供一种光学检查装置，用于统一用于测量由发光单元发出的光的强度和颜色信息的处理，从而简化光学性能检查过程。 构成：光学检查装置（1）包括发光单元（10），第一检测单元（20），第二检测单元（30）和检查单元（40）。 第一检测单元检测由发光单元发射的光的密度。 第二检测单元检测由发光单元发出的光的颜色。 检查单元同时接收由第一和第二检测单元生成的信息，从而检查发光单元的光学特性。

公开(公告)号：KR1020090114936A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：KR1020080040822

申请日：2008-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강동훈 ,  전중석 ,  김준연 ,  허지현

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/42392

Abstract: PURPOSE: A method of fabricating transistor using dummy gate is provided to reduce the manufacturing cost by forming the length of the gate. CONSTITUTION: The source formation region(115), and the drain formation field(117) and channel forming region(116) are formed on the silicon layer by patterning the first insulation layer(112). The second insulation layer is spread on the substrate. The gate dummy pattern(120) is formed by patterning the second insulation layer. Trimming is carried out on the gate dummy pattern. The third insulation layer which covers the gate dummy pattern is formed on the substrate. The dummy gate region is exposed by planarizing the third insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供使用伪栅极制造晶体管的方法，以通过形成栅极的长度来降低制造成本。 构成：通过图案化第一绝缘层（112），在硅层上形成源极形成区域（115）和漏极形成区域（117）和沟道形成区域（116）。 第二绝缘层扩散在基板上。 栅极虚设图案（120）通过图案化第二绝缘层而形成。 在门虚拟图案上进行修整。 覆盖栅极虚设图案的第三绝缘层形成在基板上。 通过平坦化第三绝缘层来露出伪栅极区域。