公开(公告)号：DE102017108114A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102017108114

申请日：2017-04-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTH ALEXANDER ,  HÖGERL JÜRGEN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  TIMME HANS-JÖRG

IPC: H01L23/433 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Modul (100), das einen Träger (102), einen zumindest teilweise thermisch leitfähigen und elektrisch isolierenden Körper (104), der auf nur einem Teil einer Hauptoberfläche (128) des Trägers (102) montiert ist, eine zumindest teilweise elektrisch leitfähige Umverdrahtungsstruktur (112) auf dem thermisch leitfähigen und elektrisch isolierenden Körper (104), einen elektronischen Chip (106), der auf der Umverdrahtungsstruktur (112) und über dem thermisch leitfähigen und elektrisch isolierenden Körper (104) montiert ist, und ein Verkapselungsmittel (108), das zumindest einen Teil des Trägers (102), zumindest einen Teil des thermisch leitfähigen und elektrisch isolierenden Körpers (104), zumindest einen Teil der Umverdrahtungsstruktur (112) und zumindest einen Teil des elektronischen Chips (106) verkapselt, aufweist.

公开(公告)号：DE102013101935B4

公开(公告)日：2022-05-12

申请号：DE102013101935

申请日：2013-02-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGL REIMUND ,  HENNECK STEPHAN ,  MAIS NORBERT ,  MEINHOLD DIRK ,  TIMME HANS-JÖRG ,  URBANSKY NORBERT ,  VATER ALFRED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleiterbauelement, das Folgendes aufweist:• eine Metallatome aufweisende Metallleitung (230), über einem Substrat (10) angeordnet, wobei ein Abschnitt einer oberen Oberfläche der Metallleitung (230) einen Kontaktbereich (271, 272) aufweist; und• eine die Metallatome aufweisende Schutzschicht (270), auf dem Kontaktbereich (271, 272) angeordnet, wobei die Schutzschicht (270) ein anderes Material als die Metallleitung (230) ist und die Metallleitung (230) teilweise abdeckt, so dass ein Abschnitt der Metallleitung (230) frei ist von der Schutzschicht (270);• eine Passivierungsschicht (240), auf der Metallleitung (230) angeordnet, wobei die Passivierungsschicht (240) eine Öffnung über dem Kontaktbereich (271, 272) aufweist, welche die Schutzschicht (270) teilweise freilegt; und• wobei die Passivierungsschicht den Abschnitt der Metallleitung (230) abdeckt.

公开(公告)号：DE102011053819B4

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：DE102011053819

申请日：2011-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  TIMME HANS-JÖRG

IPC: H01L21/8258 ,  H01L27/06

Abstract: Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Ausbilden einer ersten porösen Halbleiterschicht (110) über einer oberen Oberfläche eines Substrats (100); Ausbilden einer ersten Epitaxieschicht (120) über der ersten porösen Halbleiterschicht (110); Ausbilden einer Schaltungsanordnung in und über der ersten Epitaxieschicht (120), wobei die Schaltungsanordnung ohne vollständiges Oxidieren der ersten Epitaxieschicht (120) ausgebildet wird; und Umwandeln mindestens eines Teils der ersten porösen Halbleiterschicht (110) in ein Metallsilizid.

公开(公告)号：DE102013104952B4

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：DE102013104952

申请日：2013-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  TIMME HANS-JÖRG

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/04 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleiterpackage, aufweisend:• einen vertikalen Halbleiterchip (20) mit einer ersten Hauptoberfläche (11) auf einer Seite des vertikalen Halbleiterchips (20) und einer zweiten Hauptoberfläche (12) auf einer gegenüberliegenden Seite des vertikalen Halbleiterchips (20), wobei die erste Hauptoberfläche (11) ein erstes Kontaktgebiet (110, 120) enthält und die zweite Hauptoberfläche (12) ein zweites Kontaktgebiet (130) enthält und wobei der vertikale Halbleiterchip (20) eingerichtet ist zum Regeln des Stromflusses von dem ersten Kontaktgebiet (110, 120) zu dem zweiten Kontaktgebiet (130) entlang einer Stromflussrichtung;• eine vorderseitige Metallisierungsschicht (100), die über dem ersten Kontaktgebiet (110, 120) angeordnet ist;• einen rückseitigen Leiter (320), der an dem zweiten Kontaktgebiet (130) der zweiten Hauptoberfläche (12) angeordnet ist; und• ein erstes Kapselungsmittel (50), in dem der vertikale Halbleiterchip (20) und der rückseitige Leiter (320) angeordnet sind, wobei das erste Kapselungsmittel (50) entlang von Seitenwänden, betrachtet bezüglich der Stromflussrichtung, des Halbleiterchips (20) angeordnet ist und wobei das erste Kapselungsmittel (50) einen ersten Teil von Seitenwänden des rückseitigen Leiter (320) bedeckt;• ein zweites Kapselungsmittel (450), das äußere Seitenwände des ersten Kapselungsmittels (50), die vorderseitige Metallisierungsschicht (100) und einen verbleibenden Teil der Seitenwände des rückseitigen Leiters (320) bedeckt, wobei das erste Kapselungsmittel (50) und das zweite Kapselungsmittel (450) selbst dann, wenn sie aus dem gleichen Material bestehen, eine unterschiedliche Grenzfläche aufweisen, weil sie in verschiedenen Prozessschritten ausgebildet werden; und• mehrere Kontaktpads (260, 270, 290), die in einer Hauptoberfläche des zweiten Kapselungsmittels (450) angeordnet sind, wobei die mehreren Kontaktpads ein erstes Kontaktpad (270, 290) umfassen, das durch eine in dem zweiten Kapselungsmittel (450) angeordnete Zwischenverbindung (280b, 280a) an das erste Kontaktgebiet (110, 120) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102017105432B3

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：DE102017105432

申请日：2017-03-14

Applicant: FRIEDRICH ALEXANDER UNIVERSTITAET ERLANGEN NUERNBERG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER JONATHAN ,  BAUDER RÜDIGER ,  TIMME HANS-JÖRG

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02

Abstract: Ein Resonator wird beschrieben, der ein piezoelektrisches Material (10) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode (11, 12), die auf dem piezoelektrischen Material (10) bereitgestellt sind, beinhaltet. Ein akustisches Metamaterial (14) umgibt einen aktiven Bereich (13) des Resonators zumindest teilweise.

公开(公告)号：DE102016107658A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102016107658

申请日：2016-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TIMME HANS-JÖRG ,  BAUDER RÜDIGER

IPC: H03H9/60

Abstract: Es wird ein Resonatorelement zur Verwendung in einem Filter bereitgestellt. Das Resonatorelement umfasst einen ersten Resonator, der akustisch mit einem zweiten Resonator gekoppelt ist. Der erste Resonator weist Anschlüsse zur Einbindung in eine Filterstruktur auf. Ein Abstimmungsschaltkreis ist mit dem zweiten Resonator gekoppelt, um zu ermöglichen, das Resonatorelement abzustimmen.