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    METHOD FOR CONTACTING A DOPING AREA ON A SEMICONDUCTOR ELEMENT
    1.
    发明申请
    METHOD FOR CONTACTING A DOPING AREA ON A SEMICONDUCTOR ELEMENT 审中-公开
    方法用于接触掺杂区的半导体元件

    公开(公告)号：WO02054470A3

    公开(公告)日：2003-01-16

    申请号：PCT/DE0104590

    申请日：2001-12-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  RUF ALEXANDER ,  URBANSKY NORBERT ,  CLAUSSEN WILHELM ,  GAERTNER THOMAS ,  SCHMIDBAUER SVEN

    Inventor： RUF ALEXANDER ,  URBANSKY NORBERT ,  CLAUSSEN WILHELM ,  GAERTNER THOMAS ,  SCHMIDBAUER SVEN

    IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

    CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76856

    Abstract: The invention relates to a method for contacting a doping area (3) which is formed on the surface (2) of a substrate (1). According to the invention, an isolating layer (5) is applied to the surface of the substrate (2) and a contact hole (16) is formed in the isolating layer (5). Subsequently, a layer containing metal (6) is placed on the isolating layer (5) and the surface area (4) of the doping area (3) which is bared by means of a contact hole (16). A two-stepped temperature process then follows, whereby in the first step the layer containing metal (6) is reacted with the silicon of the doping area (3) in order to obtain a metal silicon layer (7), and subsequently in the second temperature step the remaining layer containing metal (6) is transformed into a layer (8) containing metal nitrides.

    Abstract translation: 一个Doteirgebiet设置在基板（1）的基板（2）表面上（3）接触的过程中形成。 有被施加在基底表面（2）上的绝缘层（5）和形成在绝缘层中的接触孔（16）（5）。 随后，在绝缘层（5）和由所述接触孔露出（16）的表面积上的含金属层（6）（4）掺杂区的（3）沉积。 在随后的，两步热过程中的含有金属的层（6）与所述掺杂区（3）的一种金属硅化物层的硅（7）是第一verreagiert，然后在第二温度的步骤中，含有金属的层（6）的在含金属的氮化物的层的其余部分 （8）转换。

    4.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10014917B4

    公开(公告)日：2004-12-02

    申请号：DE10014917

    申请日：2000-03-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHMIDBAUER SVEN ,  URBANSKY NORBERT

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C14/34

    Abstract: Contact layer production comprises: arranging substrate (1) in sputtering chamber on which dielectric layer (3) containing a trench (4) is arranged; producing plasma in chamber; sputtering first contact layer (7) in trench; and sputtering second contact layer (8) on first layer. Preferred Features: The number of ionized particles in relation to the total number of particles in the first sputtering step is less than that in the second sputtering step. An alternating magnetic field is used in the second sputtering step. The pressure in the chamber is less in the first sputtering step than in the first sputtering step.

    Halbleiterstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
    6.
    发明专利
    Halbleiterstruktur und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102012110060A1

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：DE102012110060

    申请日：2012-10-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KRIZ JAKOB ,  URBANSKY NORBERT

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

    Abstract: Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur (102), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Ausbilden einer Keimschicht (150) in direktem Kontakt mit einem dielektrischen Material; Ausbilden einer Maskierungsschicht (160) über der Keimschicht (150); Strukturieren der Maskierungsschicht (160), um die Keimschicht (150) freizulegen; Ausbilden einer Füllschicht (170) über der freigelegten Keimschicht (150) und Bewirken, dass die Keimschicht (150) mit der Dielektrikumsschicht (110) reagiert, so dass eine Barrierenschicht (130) zwischen der Füllschicht (170) und der Dielektrikumsschicht (110) ausgebildet wird.

    Halbleiterstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
    7.
    发明专利
    Halbleiterstruktur und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102011053107A1

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：DE102011053107

    申请日：2011-08-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DALLMANN GERALD ,  ROSSLAU HEIKE ,  URBANSKY NORBERT ,  WALLACE SCOTT

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

    Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, das Folgendes aufweist: Ausbilden einer Struktur, wobei die Struktur mindestens ein erstes Element und ein zweites Element enthält; und Ausbilden einer Passivierungsschicht (1010) über der Struktur, wobei die Passivierungsschicht (1010) mindestens das erste Element und das zweite Element enthält, wobei das erste Element und das zweite Element der Passivierungsschicht (1010) von der Struktur kommen.

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50112534D1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：DE50112534

    申请日：2001-12-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUF ALEXANDER ,  URBANSKY NORBERT ,  CLAUSSEN WILHELM ,  GAERTNER THOMAS ,  SCHMIDBAUER SVEN

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

    Abstract: A method makes contact with a doping region formed at a substrate surface of a substrate. An insulating layer is applied on the substrate surface and a contact hole is formed in the insulating layer. A metal-containing layer is subsequently deposited on the insulating layer and the surface region of the doping region that is uncovered by the contact hole. In a subsequent thermal process having two steps, first the metal-containing layer is reacted with the silicon of the doping region to form a metal silicide layer and then the rest of the metal-containing layer is converted into a metal-nitride-containing layer in a second thermal step.

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