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    Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip
    3.
    发明专利
    Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche und Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102009008223A1

    公开(公告)日：2010-08-12

    申请号：DE102009008223

    申请日：2009-02-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BAUR ELMAR ,  BOEHM BERND ,  HEINDL ALEXANDER ,  RODE PATRICK ,  SABATHIL MATTHIAS

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/302

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; - Bereitstellen eines zweiten Halbleiterwafers (3); - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Halbleiterwafers (3); - Strukturieren der dem zweiten Halbleiterwafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2); - Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (31) des zweiten Halbleiterwafers (3) übertragen wird.

    Optoelektronisches Bauelement
    6.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102007019775B4

    公开(公告)日：2024-11-28

    申请号：DE102007019775

    申请日：2007-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RODE PATRICK ,  ILLEK STEFAN DR ,  PLÖSSL ANDREAS DR ,  HEINDL ALEXANDER ,  EISSLER DIETER DR

    IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01S5/02

    Abstract: Optoelektronisches Bauelement (1) umfassend:- einen Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem aktiven Bereich (4) aufweist,- einen Träger (3), auf dem die Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist,- zwei elektrische Kontakte (7,8), die auf verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden sind, wobei ein Teilbereich eines ersten Kontakts (7) der beiden Kontakte zwischen dem Halbleiterkörper und dem zweiten Kontakt (8) der beiden Kontakte angeordnet ist und die beiden Kontakte in diesem Teilbereich elektrisch voneinander isoliert sind,- die Kontakte (7,8) jeweils eine vom aktiven Bereich (4) abgewandte Anschlussfläche (70, 80) aufweisen,- die Anschlussflächen (70,80) auf verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs (4) angeordnet sind,- eine der Anschlussflächen (70,80) auf einer vom Halbleiterkörper (2) abgewandten Seite des Trägers (3) angeordnet ist; und- der Träger (3) strahlungsdurchlässig für im aktiven Bereich (4) zu erzeugende Strahlung ausgebildet ist.

    7.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007019775A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：DE102007019775

    申请日：2007-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK STEFAN ,  PLOESL ANDREAS ,  HEINDL ALEXANDER ,  RODE PATRICK ,  EISSLER DIETER

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01S5/02

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic component comprising a semiconductor body (2) which has a series of semiconductor layers with an active region (4) that is suitable for generating radiation, a reflective layer (72) situated on the semiconductor body and two electric contacts (7,8). A first contact (7) of said contacts on the side of the active region that faces the reflective layer is connected in an electrically conductive manner to the semiconductor body, the second contact (8) of said contacts on the side of the active region that faces away from the reflective layer is connected in an electrically conductive manner to the semiconductor body and the reflective layer lies between a sub-region of the second contact and the semiconductor body.

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005040558A1

    公开(公告)日：2007-03-01

    申请号：DE102005040558

    申请日：2005-08-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GUENTHER EWALD KARL MICHAEL ,  BRUNNER HERBERT ,  FISCHER HELMUT ,  EISSLER DIETER ,  HEINDL ALEXANDER

    IPC: H01L33/50 ,  H01L51/50

    Abstract: A method is disclosed in which a base body is prepared that comprises a layer sequence intended for the LED chip and suitable for emitting electromagnetic radiation. A cap layer is applied to at least one main surface of the base body. A cavity is introduced into the cap layer and is completely or partially filled with a luminescence conversion material. The luminescence conversion material comprises at least one phosphor. A method is also disclosed in which the cap layer comprises photostructurable material and at least one phosphor, such that it is able to function as a luminescence conversion material and can be photostructured directly. LED chips that are producible by means of the method are also described.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
    9.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils 未知

    公开(公告)号：DE102009023355A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：DE102009023355

    申请日：2009-05-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BAUR ELMAR ,  BOEHM BERND ,  HEINDL ALEXANDER ,  RODE PATRICK ,  ZULL HERIBERT

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/302

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist, wobei die strukturierte Oberfläche (11) zumindest stellenweise durch Erhebungen (E1, E2) erster (H1) und zweiter Höhe (H2) gebildet ist, wobei die erste Höhe (H1) größer ist als die zweite Höhe (H2); - Bereitstellen eines zweiten Wafers (3); - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Wafers (3); - Strukturieren der dem zweiten Wafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2), wobei die Erhebungen (E1, E2) als Gräben (G1, G2) erster und zweiter Tiefe in den Fotolack (2) abgedruckt werden; - Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Strktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (30) des zweiten Wafers (3) übertragen wird.

    Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
    10.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102009018286A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：DE102009018286

    申请日：2009-04-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RODE PATRICK ,  WIESMANN CHRISTOPHER ,  BAUR ELMAR ,  HEINDL ALEXANDER ,  BOEHM BERND

    IPC: H01L33/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Verbunds (3) von strahlungsemittierenden Halbleiterchips (310) mit einer Strahlungsauskoppelschicht (300), die auf einem III-Nitrid Halbleitermaterial basiert; - Bereitstellen eines Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen der Strahlungsauskoppelschicht (300); - Strukturieren der der Strahlungsauskoppelschicht (300) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des Wafers (1) in den Fotolack (2); - Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche der Strahlungauskoppelschicht (300) übertragen wird.

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