公开(公告)号：DE102012217640A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012217640

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  OFF JUERGEN ,  HERTKORN JOACHIM ,  LOEFFLER ANDREAS ,  WALTER ALEXANDER ,  SCHIAVON DARIO

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Schichtstruktur mit einer leuchtaktiven Schicht. Dabei weist die leuchtaktive Schicht in einem ersten lateralen Bereich eine höhere Dichte an V-Defekten auf als in einem zweiten lateralen Bereich.

公开(公告)号：DE102012106998A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE102012106998

申请日：2012-07-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FRAUNHOFER GES FORSCHUNG

Inventor： PETER MATTHIAS ,  KATZ SIMEON ,  OFF JUERGEN ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  GEHRKE KAI ,  AIDAM ROLF ,  PASSOW THORSTEN ,  DAEUBLER JUERGEN

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement (100) angegeben, umfassend: – eine erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (1), – eine transparente leitfähige Oxidschicht (3), – eine Spiegelschicht (4), und – eine zwischen der ersten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht (1) und der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) angeordnete zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2), wobei die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) an einer der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) zugewandten Grenzfläche (23) N-Face-Domänen (22) aufweist, und wobei die N-Face-Domänen (22) an der Grenzfläche (23) einen Flächenanteil von mindestens 95 % aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des Kontaktschichtsystems angegeben.

公开(公告)号：DE102016103346B4

公开(公告)日：2025-04-30

申请号：DE102016103346

申请日：2016-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  LEHNHARDT THOMAS ,  OFF JUERGEN ,  LAHOURCADE LISE ,  DRECHSEL PHILIPP

IPC: H10H20/816 ,  H10H20/819

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1),- epitaktisches Aufwachsen einer Pufferschicht (3) auf das Aufwachssubstrat (1), wobei in der Pufferschicht (3) eine Vielzahl an V-Pits (4) erzeugt wird,- epitaktisches Aufwachsen einer strahlungserzeugenden aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Pufferschicht (3), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die aktive Halbleiterschichtenfolge (5) fortsetzt,- epitaktisches Aufwachsen einer weiteren elektronenblockierenden Schichtenfolge (9) auf die aktive Halbleiterschichtenfolge (5), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die weitere elektronenblockierende Schichtenfolge (9) fortsetzt und wobei die weitere elektronenblockierende Schichtenfolge (9) aus alternierend angeordneten AlGaN-Schichten (10) und InGaN-Schichten (11) oder aus alternierend angeordneten InGaN-Schichten und GaN-Schichten gebildet ist und wobei der Aluminiumgehalt und/oder Indiumgehalt der weiteren elektronenblockierenden Schichtenfolge (9), die auf Facetten (8) der V-Pits (4) aufgebracht wird, gegenüber dem Aluminiumgehalt und/oder dem Indiumgehalt der weiteren elektronenblockierenden Schichtenfolge (9), die auf einer Hauptfläche (12) der aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) aufgebracht wird, erniedrigt ist,- selektives Entfernen der weiteren elektronenblockierenden Schichtenfolge (9) von den Facetten (8) der V-Pits (4) durch Ätzen im Epitaxiereaktor in situ, wobei die weitere elektronenblockierende Schichtenfolge (9) auf der Hauptfläche (12) der aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) verbleibt, und- epitaktisches Aufwachsen einer p-dotierten Halbleiterschicht (15), die die V-Pits (4) vollständig oder teilweise ausfüllt.

公开(公告)号：DE102009037416A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：DE102009037416

申请日：2009-08-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  OFF JUERGEN ,  TAKI TETSUYA ,  HERTKORN JOACHIM ,  SABATHIL MATTHIAS ,  LAUBSCH ANSGAR ,  BIEBERSDORF ANDREAS

IPC: H01S5/34 ,  H01L33/06

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm.

公开(公告)号：DE102009040438A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：DE102009040438

申请日：2009-09-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS ,  BUTENDEICH RAINER ,  TAKI TETSUYA ,  OFF JUERGEN ,  WALTER ALEXANDER ,  MEYER TOBIAS

IPC: H01S5/34 ,  H01L33/06

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper angegeben, der ein Halbleitermaterial enthält, das aus einer ersten Komponente und einer von der ersten Komponente verschiedenen zweiten Komponente zusammengesetzt ist. Der Halbleiterkörper weist eine Quantentopfstruktur auf, die zwischen einer n-leitenden Schicht (1) und einer p-leitenden Schicht (5) angeordnet ist. Die Quantentopfstruktur besteht aus folgenden Elementen: einer einzelnen Quantentopfschicht (31) oder einem Schichtstapel (3), der aus einer Mehrzahl von Quantentopfschichten (31) und mindestens einer Barriereschicht (32) besteht, wobei zwischen jeweils zwei aufeinander folgenden Quantentopfschichten (31) eine Barriereschicht (32) angeordnet ist, die an beide Quantentopfschichten (31) angrenzt; einer n-seitigen Abschlussschicht (2), die an die n-leitende Schicht (1) und an die einzelne Quantentopfschicht (31) bzw. den Schichtstapel (3) angrenzt; und einer p-seitigen Abschlussschicht (4), die zwischen der p-leitenden Schicht (5) und der einzelnen Quantentopfschicht (31) bzw. dem Schichtstapel (3) angeordnet ist und an den Schichtstapel (3) bzw. die einzelne Quantentopfschicht (31) angrenzt. Der Stoffmengenanteil der ersten Komponente an dem Halbleitermaterial ist in jeder der Quantentopfschichten (31) größer als in der n-seitigen Abschlussschicht (2), in der p-seitigen Abschlussschicht (4) und ggf. in der mindestens einen Barriereschicht (32). Er ist in der n-seitigen Abschlussschicht (2) größer als in der ...

公开(公告)号：DE10142653A1

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：DE10142653

申请日：2001-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ FERDINAND ,  LELL ALFRED ,  HAERLE VOLKER ,  DUMITRU VIOREL ,  SCHWEIZER HEINZ ,  BADER STEFAN ,  KUHN BERTRAM ,  OFF JUERGEN

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

Abstract: Radiation-emitting semiconductor component comprises a semiconductor body (1) having a radiation-producing active layer (9) and a p-conducting contact layer (2) containing InxGa1-xN (where x = 0-1) or AlyInxGa1-x-yN (where x = 0-1; y = 0-1; and x + y = 0-1). A contact metallization (3) is formed on the contact layer. An Independent claim is also included for a process for the production of a radiation-emitting semiconductor comprising preparing a semiconductor surface, applying a p-conducting contact layer containing InxGa1-xN (where x = 0-1) or AlyInxGa1-x-yN (where x = 0-1; y = 0-1; and x + y = 0-1) on the surface, and applying a contact metallization on the contact layer. Preferred Features: The contact layer is doped with magnesium. The contact metallization contains Pd, Ni, Au or Pt or an alloy of these.