Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Quantentopfstruktur

    公开(公告)号:DE102009040438A1

    公开(公告)日:2011-01-27

    申请号:DE102009040438

    申请日:2009-09-07

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper angegeben, der ein Halbleitermaterial enthält, das aus einer ersten Komponente und einer von der ersten Komponente verschiedenen zweiten Komponente zusammengesetzt ist. Der Halbleiterkörper weist eine Quantentopfstruktur auf, die zwischen einer n-leitenden Schicht (1) und einer p-leitenden Schicht (5) angeordnet ist. Die Quantentopfstruktur besteht aus folgenden Elementen: einer einzelnen Quantentopfschicht (31) oder einem Schichtstapel (3), der aus einer Mehrzahl von Quantentopfschichten (31) und mindestens einer Barriereschicht (32) besteht, wobei zwischen jeweils zwei aufeinander folgenden Quantentopfschichten (31) eine Barriereschicht (32) angeordnet ist, die an beide Quantentopfschichten (31) angrenzt; einer n-seitigen Abschlussschicht (2), die an die n-leitende Schicht (1) und an die einzelne Quantentopfschicht (31) bzw. den Schichtstapel (3) angrenzt; und einer p-seitigen Abschlussschicht (4), die zwischen der p-leitenden Schicht (5) und der einzelnen Quantentopfschicht (31) bzw. dem Schichtstapel (3) angeordnet ist und an den Schichtstapel (3) bzw. die einzelne Quantentopfschicht (31) angrenzt. Der Stoffmengenanteil der ersten Komponente an dem Halbleitermaterial ist in jeder der Quantentopfschichten (31) größer als in der n-seitigen Abschlussschicht (2), in der p-seitigen Abschlussschicht (4) und ggf. in der mindestens einen Barriereschicht (32). Er ist in der n-seitigen Abschlussschicht (2) größer als in der ...

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102008052405A1

    公开(公告)日:2010-04-22

    申请号:DE102008052405

    申请日:2008-10-21

    Abstract: An optoelectronic semiconductor component comprising a semiconductor layer sequence (3) based on a nitride compound semiconductor and containing an n-doped region (4), a p-doped region (8) and an active zone (5) arranged between the n-doped region (4) and the p-doped region (8) is specified. The p-doped region (8) comprises a p-type contact layer (7) composed of InxAlyGa1-x-yN where 0≦̸x≦̸1, 0≦̸y≦̸1 and x+y≦̸1. The p-type contact layer (7) adjoins a connection layer (9) composed of a metal, a metal alloy or a transparent conductive oxide, wherein the p-type contact layer (7) has first domains (1) having a Ga-face orientation and second domains (2) having an N-face orientation at an interface with the connection layer (9).

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