Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm.
Abstract:
In at least one form of embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (100), said chip comprises a semiconductor layer sequence (1) based on GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN. The semiconductor layer sequence (1) contains a p-doped layer sequence (2), an n-doped layer sequence (4), and an active zone (3) between the p-doped layer sequence (2) and the n-doped layer sequence (4). The semiconductor layer sequence (1) comprises at least one intermediate layer (5) based on AlxGa1-xN, where 0
Abstract translation:在光电子半导体芯片(100),其包括的至少一个实施例的GaN基,氮化铟镓,AlGaN和(1)/或InAlGaN系半导体层序列。 半导体层序列(1)包括p掺杂的层序列(2),位于p型掺杂的(2)和n型掺杂的层序列(4)之间和活性区(3)n型掺杂的层序列(4) 定位。 此外,半导体层序列(1)包括至少一个基于的Al x Ga 1-X N的中间层(5),其特征在于,0
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (12) angegeben, bei dem eine Transferschicht (2), die InxGa1-xN mit 0 x enthält, auf die zuvor aufgewachsene Transferschicht (2) aufgewachsen, Ionen in die weitere Transferschicht (7) zur Ausbildung einer Trennzone (4) implantiert, ein weiteres Trägersubstrat (8) aufgebracht, und die weitere Transferschicht (7) durch eine Temperaturbehandlung zertrennt. Nachfolgend wird eine Halbleiterschichtenfolge (9), die eine aktive Schicht (10) enthält, auf die vom weiteren Trägersubstrat (8) abgewandte Oberfläche der weiteren Transferschicht (7) aufgewachsen.
Abstract:
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper angegeben, der ein Halbleitermaterial enthält, das aus einer ersten Komponente und einer von der ersten Komponente verschiedenen zweiten Komponente zusammengesetzt ist. Der Halbleiterkörper weist eine Quantentopfstruktur auf, die zwischen einer n-leitenden Schicht (1) und einer p-leitenden Schicht (5) angeordnet ist. Die Quantentopfstruktur besteht aus folgenden Elementen: einer einzelnen Quantentopfschicht (31) oder einem Schichtstapel (3), der aus einer Mehrzahl von Quantentopfschichten (31) und mindestens einer Barriereschicht (32) besteht, wobei zwischen jeweils zwei aufeinander folgenden Quantentopfschichten (31) eine Barriereschicht (32) angeordnet ist, die an beide Quantentopfschichten (31) angrenzt; einer n-seitigen Abschlussschicht (2), die an die n-leitende Schicht (1) und an die einzelne Quantentopfschicht (31) bzw. den Schichtstapel (3) angrenzt; und einer p-seitigen Abschlussschicht (4), die zwischen der p-leitenden Schicht (5) und der einzelnen Quantentopfschicht (31) bzw. dem Schichtstapel (3) angeordnet ist und an den Schichtstapel (3) bzw. die einzelne Quantentopfschicht (31) angrenzt. Der Stoffmengenanteil der ersten Komponente an dem Halbleitermaterial ist in jeder der Quantentopfschichten (31) größer als in der n-seitigen Abschlussschicht (2), in der p-seitigen Abschlussschicht (4) und ggf. in der mindestens einen Barriereschicht (32). Er ist in der n-seitigen Abschlussschicht (2) größer als in der ...
Abstract:
An optoelectronic semiconductor component comprising a semiconductor layer sequence (3) based on a nitride compound semiconductor and containing an n-doped region (4), a p-doped region (8) and an active zone (5) arranged between the n-doped region (4) and the p-doped region (8) is specified. The p-doped region (8) comprises a p-type contact layer (7) composed of InxAlyGa1-x-yN where 0≦̸x≦̸1, 0≦̸y≦̸1 and x+y≦̸1. The p-type contact layer (7) adjoins a connection layer (9) composed of a metal, a metal alloy or a transparent conductive oxide, wherein the p-type contact layer (7) has first domains (1) having a Ga-face orientation and second domains (2) having an N-face orientation at an interface with the connection layer (9).