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公开(公告)号：CN111525391B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010072729.5
申请日：2020-01-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供可得到获得良好的FFP且可靠性高的FFP的半导体激光元件。半导体激光元件(1)在半导体层(20)中具有：一对第2凹部(130)，其相对于在脊部(110)的两侧形成的第1槽部(120)而在光出射面(170)侧，夹着脊部(110)对置；和一对第3槽部(140)，其从光出射面(170)与第1槽部(120)平行并且夹着脊部(110)。
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公开(公告)号：CN104364917A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380031117.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2933/0033 , H01L33/20
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。
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公开(公告)号：CN104272477A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380023054.3
申请日：2013-10-16
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其包含多重量子阱发光层，该多重量子阱发光层从接近p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，第一发光层具备多个第一量子阱层和设于多个第一量子阱层之间的第一势垒层，第二发光层具备多个第二量子阱层和设于多个第二量子阱层之间的第二势垒层，第二量子阱层比第一量子阱层厚。
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公开(公告)号：CN101938085A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010219685.0
申请日：2010-06-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/06226 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/2222 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器及晶片。该氮化物半导体激光器的电容减小以具有更好的响应。氮化物半导体激光器包括有源层；上覆层，层叠在有源层之上；低介电常数绝缘膜，层叠在该上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在该低介电常数绝缘膜之上。
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公开(公告)号：CN1589502A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02823267.4
申请日：2002-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/103 , H01L31/02161
Abstract: 一种光接收装置包括硅衬底100、在所述衬底100上的第一P型扩散层101、以及在所述第一P型扩散层101上的P型半导体层102。在所述P型半导体层102表面部分上，设置两个N型扩散层103和103作为光接收部分，并且设置第二P型扩散层104在所述两个N型扩散层103和103之间。在所述P型半导体层102上，设置由通过热氧化形成的第一氧化硅107以及通过CVD形成的第二氧化硅108组成的抗反射薄膜结构106。所述第一氧化硅107的薄膜厚度设定为大约15nm，因此防止在所述第一氧化硅107与所述P型半导体层102之间的界面上的缺陷。所述第二氧化硅108的薄膜厚度设定为大约100nm，因此当长时间施加电源电压时防止在阴极之间的漏电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111435782A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010023097.3
申请日：2020-01-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 亚力克斯 , 约丁 , 谷本佳美 , 谷善彦 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
Abstract: 本发明提供发光元件(半导体激光元件1)，其具有依次层叠基板(21)、半导体层(22～27)、绝缘层(28)以及金属层(29)的层叠结构，具备多个放射激光的发光部(11)，多个发光部(11)具有脊(脊形波导路12)，至少一个发光部(11)中的从活性区域(24)的特定的位置至金属层(29)的内表面为止的距离与其他发光部(11)不同。
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公开(公告)号：CN104272477B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201380023054.3
申请日：2013-10-16
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其包含多重量子阱发光层，该多重量子阱发光层从接近p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，第一发光层具备多个第一量子阱层和设于多个第一量子阱层之间的第一势垒层，第二发光层具备多个第二量子阱层和设于多个第二量子阱层之间的第二势垒层，第二量子阱层比第一量子阱层厚。
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公开(公告)号：CN102956769A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210286901.2
申请日：2012-08-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。该多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和具有低于势垒层的带隙能量的阱层所形成的层。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，且V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中。
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公开(公告)号：CN101938085B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010219685.0
申请日：2010-06-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/06226 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/2222 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器及晶片。该氮化物半导体激光器的电容减小以具有更好的响应。氮化物半导体激光器包括有源层；上覆层，层叠在有源层之上；低介电常数绝缘膜，层叠在该上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在该低介电常数绝缘膜之上。
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公开(公告)号：CN107924966A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580046876.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。
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