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公开(公告)号：CN100555624C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610110998.6
申请日：2006-08-11
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K7/1432 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/40091 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/45124 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
Abstract: 一种半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置，该半导体装置具有：第1半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第1功率半导体元件；第2半导体元件群，其在第2电位与第3电位之间至少电连接有一个第2功率半导体元件；和第3半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第3功率半导体元件，其中第2半导体元件群配置在第1半导体元件群与第3半导体元件群之间。由此，提供能够兼备低电感与发热平衡的低损耗的半导体装置、及使用该半导体装置的电力变换装置。
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公开(公告)号：CN101075606A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710104919.5
申请日：2007-05-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/02 , H01L23/34
CPC classification number: H05K3/284 , H01L23/16 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L23/49844 , H01L23/5385 , H01L24/33 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K1/0306 , H05K3/0058 , H05K2201/0715 , H05K2201/10166 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在模块温度为175℃～250℃的高温的情况下，存在陶瓷配线衬底和设备的接合部或设备上部电极和电连接导体的接合部的温度循环或功率循环可靠性降低的问题。此外在压紧冷却构造体进行安装的构造中，如果为确保冷却性能而提高按压力，则存在设备因应力而损伤的问题。因而本发明目的在于提供即使功率半导体模块的使用温度在175℃～250℃的高温的情况下，设备或接合部不发生机械性损伤，且高温保持可靠性和温度循环可靠性优良的功率半导体模块及变换器装置。在设备的上下配置低热膨胀的陶瓷衬底，且在陶瓷衬底间配置热膨胀率为10ppm/K以下的部件。进而，在设备的周围配置热膨胀率为2～8ppm/K的无机部件。
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公开(公告)号：CN1921105A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610110998.6
申请日：2006-08-11
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K7/1432 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/40091 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/45124 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
Abstract: 一种半导体装置及使用该半导体装置的电力变换装置，该半导体装置具有：第1半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第1功率半导体元件；第2半导体元件群，其在第2电位与第3电位之间至少电连接有一个第2功率半导体元件；和第3半导体元件群，其在第1电位与第3电位之间至少电连接有一个第3功率半导体元件，其中第2半导体元件群配置在第1半导体元件群与第3半导体元件群之间。由此，提供能够兼备低电感与发热平衡的低损耗的半导体装置、及使用该半导体装置的电力变换装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1163488A
公开(公告)日：1997-10-29
申请号：CN97102374.3
申请日：1997-01-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/68
Abstract: 半导体器件，具有：包括主表面和相对表面的半导体衬底，至少一个部分暴露于衬底侧表面的p-n结，以及具有两个或更多个涂敷于所述半导体衬底侧表面的钝化膜的多层钝化结构，所述半导体衬底表面上提供的第一钝化膜和所述第一钝化膜表面上提供的第二钝化膜之间界面附近感应的界面极化电荷Qr(库/厘米2)满足1.6×10-8≥｜Qr｜，所述第一钝化膜的电导率σ1和所述第二钝化膜的电导率σ2满足0.05≤σ2/σ1≤10。从而避免感应出电荷密度的界面极化以限制半导体器件的漏电源的增加或变化。
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公开(公告)号：CN100555627C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710104919.5
申请日：2007-05-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/02 , H01L23/34
CPC classification number: H05K3/284 , H01L23/16 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L23/49844 , H01L23/5385 , H01L24/33 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K1/0306 , H05K3/0058 , H05K2201/0715 , H05K2201/10166 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在模块温度为175℃～250℃的高温的情况下，存在陶瓷配线衬底和设备的接合部或设备上部电极和电连接导体的接合部的温度循环或功率循环可靠性降低的问题。此外在压紧冷却构造体进行安装的构造中，如果为确保冷却性能而提高按压力，则存在设备因应力而损伤的问题。因而本发明目的在于提供即使功率半导体模块的使用温度在175℃～250℃的高温的情况下，设备或接合部不发生机械性损伤，且高温保持可靠性和温度循环可靠性优良的功率半导体模块及变换器装置。在设备的上下配置低热膨胀的陶瓷衬底，且在陶瓷衬底间配置热膨胀率为10ppm/K以下的部件。进而，在设备的周围配置热膨胀率为2～8ppm/K的无机部件。
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公开(公告)号：CN100517676C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510087684.4
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/488 , H01L23/373
CPC classification number: H01L24/84 , H01L23/4928 , H01L23/49579 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/27505 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37298 , H01L2224/3754 , H01L2224/37599 , H01L2224/37666 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 提供在高温环境下也能保持长期信赖度的功率半导体器件。该半导体器件，采用在半导体芯片的一个面和另一面分别引出主电流的输入输出电极的一个和另一个的半导体元件，通过将上述输入输出电极的一个连接在绝缘基板的导体层上，使上述绝缘基板支持上述半导体元件，其特征在于：上述半导体芯片的输入输出电极的另一个与上述绝缘基板的导体层的连接，采用了由碳和铝或者碳和铜的复合材料构成的导体条片，且上述导体条片与上述半导体芯片的输入输出电极的另一个以及上述导体条片与上述绝缘基板的导体层通过从金、银、镍、铜、铝、锌、锡、铟、铋、锑中选择的至少2种纳米尺寸和微米尺寸的金属粒子的混合物紧固地连接在一起。
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公开(公告)号：CN1728373A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510087684.4
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/488 , H01L23/373
CPC classification number: H01L24/84 , H01L23/4928 , H01L23/49579 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/27505 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37298 , H01L2224/3754 , H01L2224/37599 , H01L2224/37666 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 提供在高温环境下也能保持长期信赖度的功率半导体器件。作为连接半导体元件101的电极和成为布线基板的陶瓷绝缘基板103的导体层102a的导体条片201，采用碳和铝的复合材料或者碳和铜的复合材料，通过这样来减小导体条片201的热膨胀系数和陶瓷绝缘基板103的热膨胀系数的差，而且这些连接使用的是以5nm到几十μm的微细的粒径即所谓的纳米尺寸和微米尺寸的金粒子和银粒子为主要成分的混合物的连接层202a、202b，能够确保连接部分的散热性以及能缓和热应力。
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公开(公告)号：CN1322376A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：CN99811858.3
申请日：1999-07-29
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L23/051 , H01L23/3185 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在由绝缘性的外筒对在两面上露出的一对共用主电极板之间进行绝缘封装的扁平型封装体中装入了在第一主面上有第一主电极、在第二主面上有第二主电极的至少一个以上的半导体元件的半导体装置中,用树脂部件构成该绝缘性的外筒的至少一部分,或者利用电气绝缘性材料将半导体元件表面上不与中间电极板相对的外周部分以及中间电极板的侧面的至少一部分紧凑地封装起来。
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