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公开(公告)号：CN101483162A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910000776.2
申请日：2009-01-09
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05681 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN101192620A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196119.0
申请日：2007-11-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L23/10
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L27/14636 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置，其可以防止向电极焊盘的应力集中造成的断线等损伤。固体摄像装置(1)具备：在表面装设有排列着光敏元件的摄像区域(S)和设于摄像区域(S)的周边的电极焊盘(12)的半导体基板(11)、经由密封剂(21)结合于该半导体基板(11)的表面上的透明基板(22)、以贯穿半导体基板(11)的状态自电极焊盘(12)到达半导体基板(11)背面(11a)的背面布线(16)，在半导体基板(11)和密封剂(21)之间，以至少覆盖所述电极焊盘(12)的状态设有由无机类绝缘材料构成的保护膜(31)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266991B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810085095.6
申请日：2008-03-17
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L31/0224 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底，其具有彼此相对的第一及第二表面，所述第一表面是设置有电子元件的有源表面；衬垫电极，形成于所述有源表面上的所述电子元件的周边部分中，并与所述电子元件连接；第一开口，其从所述半导体衬底的所述第二表面向所述衬垫电极延伸并且不到达所述所述半导体衬底的所述第一表面；第二开口，被形成为从所述第一开口的底表面到达所述衬垫电极，其具有比所述第一开口更小的直径；绝缘层，被形成为覆盖所述第一开口及所述第二开口的侧壁表面；以及导电层，其形成在所述绝缘层的内侧，以至少覆盖所述绝缘层的内壁表面以及所述第二开口的底表面。
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公开(公告)号：CN101308845B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810100204.7
申请日：2008-05-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/146 , H01L23/482 , H01L23/367 , H01L21/822 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/3677 , H01L23/481 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10158 , H01L2924/16235 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，具有形成在有源表面上的第一电子电路和第二电子电路；焊盘电极，通过连接到第一电子电路和/或第二电子电路形成在有源表面上；第一开口，从半导体基板的与有源表面的相反侧的表面朝着焊盘电极沿着半导体基板的深度形成到某一位置；第二开口，形成为从第一开口的底部表面到达焊盘电极；绝缘层，通过覆盖第一开口和第二开口的侧壁表面形成；传导层，通过至少覆盖绝缘层的内壁表面和第二开口的底部表面而形成；第三开口，从半导体基板的与有源表面相反侧的表面沿着半导体基板的深度形成到某一位置；以及热绝缘体，嵌镶在第三开口中。
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公开(公告)号：CN101266991A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810085095.6
申请日：2008-03-17
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L31/0224 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底，其具有彼此相对的第一及第二表面，所述第一表面是设置有电子元件的有源表面；衬垫电极，形成于所述有源表面上的所述电子元件的周边部分中，并与所述电子元件连接；第一开口，其从所述半导体衬底的所述第二表面向所述衬垫电极延伸并且不到达所述半导体衬底的所述第一表面；第二开口，被形成为从所述第一开口的底表面到达所述衬垫电极，其具有比所述第一开口更小的直径；绝缘层，被形成为覆盖所述第一开口及所述第二开口的侧壁表面；以及导电层，其形成在所述绝缘层的内侧，以至少覆盖所述绝缘层的内壁表面以及所述第二开口的底表面。
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公开(公告)号：CN101483162B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910000776.2
申请日：2009-01-09
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05681 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及具有形成在半导体芯片中的通孔互连部的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括半导体基板、绝缘层、过孔和通孔互连部。所述绝缘层形成在所述半导体基板上。所述过孔形成为穿过所述半导体基板和绝缘层。通过填充在所述半导体基板与形成在所述半导体基板上的绝缘层之间的边界上的凹入部，使形成在所述过孔的内表面上的绝缘层的表面基本平坦化。因此，由于能够防止导电层形成可能集中有由累积热或其它情况引起的热膨胀应力的诸如凸起部等部分，能够提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN101308845A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810100204.7
申请日：2008-05-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/146 , H01L23/482 , H01L23/367 , H01L21/822 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/3677 , H01L23/481 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10158 , H01L2924/16235 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，具有形成在有源表面上的第一电子电路和第二电子电路；焊盘电极，通过连接到第一电子电路和/或第二电子电路形成在有源表面上；第一开口，从半导体基板的与有源表面的相反侧的表面朝着焊盘电极沿着半导体基板的深度形成到某一位置；第二开口，形成为从第一开口的底部表面到达焊盘电极；绝缘层，通过覆盖第一开口和第二开口的侧壁表面形成；传导层，通过至少覆盖绝缘层的内壁表面和第二开口的底部表面而形成；第三开口，从半导体基板的与有源表面相反侧的表面沿着半导体基板的深度形成到某一位置；以及热绝缘体，嵌镶在第三开口中。
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