公开(公告)号：CN1150615C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN99102874.0

申请日：1999-03-11

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 河野纯子 ,  麻埜和则

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L23/3677 ,  H01L2224/16

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该器件能够将有源元件产生的热有效地传递给散热部件，同时提供了这种半导体器件的制作方法。在基片(如GaAs)上形成的有源元件的一个端子(如漏极)通过一层具有良好绝缘性和高热导率的绝缘部件(如氮化铝)与散热部件相接触。散热部件可以是与有源元件的另一端子相连的导电膜，也可以是封壳的散热片。

公开(公告)号：CN1146044C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN98101846.7

申请日：1998-05-12

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 市川清治 ,  梅本毅 ,  西部俊明 ,  佐藤一成 ,  坪田邦彦 ,  清雅人 ,  西村善一 ,  冈平庆太 ,  宫龙也 ,  北古贺亨 ,  田原和弘

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4842 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 一个具有引线端子弯成J-型形状的半导体器件被公开。一个具有一个凹槽形成在外部的散热板暴露到树脂封装的下表面和引线端子的外部自由端子位于散热板的凹槽内。这些引线端子的外部自由端子和散热板的凹槽由树脂封装的凸起部分彼此绝缘。因为散热板是暴露在树脂封装的下表面，所以其热辐射特性高而散热板和引线端子彼此之间是不短路的。

公开(公告)号：CN1452241A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03110161.5

申请日：2003-04-14

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 栗原俊道 ,  川端隆弘 ,  户田铁 ,  椿茂树

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明涉及具有半导体基片和在其上形成并被电连接到导线的焊盘电极的半导体器件。在具有半导体基片的半导体器件中，内部电极层形成在半导体基片上。阻挡金属层形成在内部电极上。外部电极层形成在阻挡金属层上。焊盘电极由内部电极层，阻挡金属层和外部电极层构成。导线被电连接到焊盘电极。外部电极层的面积被设置在处于焊盘电极上的导线的聚合部分的面积和阻挡金属层的平面面积之间的中间。

公开(公告)号：CN1433082A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02129843.2

申请日：2002-08-15

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 丹羽隆树 ,  岛胁秀德 ,  东晃司 ,  黑泽直人

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0821

Abstract: 异质结双极型晶体管具有提高的击穿电压，并抑制IC－VCE特性的增长特性的退化。集电极区域包括半导体第一、第二集电极层。第一集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，与副集电极区域接触。第二集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，具有比第一集电极层窄的带隙，与基极区域接触。第三集电极层具有比第二集电极层高的掺杂浓度，被第一集电极层和第二集电极层夹在当中。

公开(公告)号：CN1109997C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN98100906.9

申请日：1998-03-13

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 铃木恭

IPC: G06F17/50 ,  G06T11/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: G06T11/60

Abstract: 一种因对布局基元数据分级校正低于掩模图形数据而对布局基元数据所作改变作出自动反应的掩模图形数据产生方法，它无需进行手动删除或布局，防止了可能向布局数据中引入的人为误差。它按进入的布局基元数据的布局数据将布局基元数据分级置于伪基元数据以下而后将伪基元数据分级置于掩模图形数据以下，将布局基元数据上的布局数据加到伪基元数据上，并通过扩展伪基元数据以下的布局基元数据产生与布局数据中所规定角度对应的绘图数据。

公开(公告)号：CN1416169A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN02127301.4

申请日：2002-07-31

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 中泽大望 ,  木村洋之

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L21/565 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/0094 ,  H05K3/284 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括：印刷线路板(11)；半导体芯片(13)，它安装在印刷线路板上；和模制树脂(15)，它形成在印刷线路板(11)上，覆盖半导体芯片(13)，其特征在于：至少一个金属布线(17a、17b、17c和17d)，它们形成在印刷线路板上向模制树脂(15)的外面延伸。所述金属布线(17a、17b、17c和17d)镀有与模制树脂(15)粘着力小的金属。在金属和模制树脂之间的交界表面起通道作用，在半导体装置被加热时，通过所述通道在半导体装置(10)内含有的水分向外逸出。

公开(公告)号：CN1106029C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN95113199.0

申请日：1995-12-28

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 佐仓直喜

IPC: H01L21/027 ,  G03C5/00

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/40

Abstract: 由于显影后烘烤中的收缩而使光刻胶掩模(23a)的表面中出现张力，而形成于光刻胶掩膜中的粘附力(23c)吸收了该张力，因而保持对半导体衬底(22)粘附力，防止了光刻胶图形出现不希望的变形(图3D)。

公开(公告)号：CN1697271A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510068811.6

申请日：2005-05-11

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 奥田哲朗

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/227 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/34306

Abstract: 提供了一种半导体激光器，包括：n－InP衬底(1)；在n－InP衬底(1)上包括应变MQW有源层(6)的多层膜；在多层膜上的p－电极(18)；在p－电极(18)的两边分隔开多层膜并延伸到n－InP衬底(1)的一对沟槽(15)；以及在衍射光栅形成面中从该对沟槽(15)中的一个到另一个的区域中形成的多个衍射光栅，该衍射光栅形成面形成在n－InP衬底(1)的上表面中或多层膜中的任一半导体膜的上表面中。

公开(公告)号：CN1226783C

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN03106474.4

申请日：2003-02-27

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 栗原俊道 ,  上田隆

IPC: H01L23/043 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L23/047 ,  H01L21/565 ,  H01L23/08 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/552 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种电子产品，包括散热板(12)；电子元件(14)，牢固地安置在散热板上，并包括高功率晶体管；封盖(18)，其包括与散热板牢固连接的框部件(19)，以包住电子元件；以及罩部件(20，50)，其牢固地连接到框部件的上部开口端，从而在封盖中容纳和密封电子元件，至少一个导电元件(23，24)通过并贯穿框部件。框部件由适当的树脂材料制成，罩部件由陶瓷材料、金属材料和复合材料构成的组中选择的一种材料制成。

公开(公告)号：CN1677867A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510056214.1

申请日：2005-03-31

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 田中利幸

IPC: H03L7/16 ,  H03L7/08

CPC classification number: H03L7/183 ,  H03B5/1215 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/1253 ,  H03B5/1265 ,  H03B5/1293 ,  H03L7/099 ,  H03L7/10

Abstract: 一种集成于半导体集成电路上的PLL频率合成器电路，包括：压控振荡器电路，它具有电容器、电感器以及用于使用电容器和电感器的谐振频率进行振荡的可变电容器元件，用于输出可变电容器元件的振荡频率信号；负反馈回路电路，其构造为包括该压控振荡器电路，能够循环来自压控振荡器电路的信号输出，并且执行用于将信号的频率调整到期望锁定频率的频率获取操作；调谐电路，用于执行调谐，以便通过在频率获取操作之前来调节压控振荡器电路的电容器的电容值，来使振荡频率接近于锁定频率；以及参考电势应用电路，用于在调谐电路执行调谐操作期间将参考电势施加于压控振荡器电路的可变电容器元件。